Воробець Георгій Іванович

Номер патенту: 118501

Опубліковано: 10.08.2017

Автори: Головата Катерина Ярославівна, Кобаса Ігор Михайлович, Воробець Марія Михайлівна, Воробець Георгій Іванович

МПК: G01N 33/00, G01N 33/06

Мітки: плавлених, визначення, сирах, жиру, вмісту, спосіб, твердих

Формула / Реферат:

Спосіб визначення вмісту жиру у твердих та плавлених сирах, що включає розщеплення досліджуваної проби хлоридною кислотою, додавання етанолу та триразове екстрагування кислотно-спиртового розчину органічними розчинниками з наступним їх видаленням випарюванням, та визначення маси екстрагованого жиру за відомою формулою, який відрізняється тим, що під час екстрагування кислотно-спиртового розчину як один з екстрагентів використовують...

Номер патенту: 82801

Опубліковано: 12.08.2013

Автори: Мельничук Степан Васильович, Кузь Микола Андрійович, Добровольський Юрій Георгійович, Шабашкевич Борис Григорович, Юр'єв Василь Григорович, Воробець Георгій Іванович, Гуржуй Руслан Дмитрович

МПК: H01L 31/18

Мітки: освітленості, енергетичної, радіометр, діапазону, ультрафіолетового

Формула / Реферат:

Радіометр енергетичної освітленості ультрафіолетового діапазону, що містить радіометричну головку з двома фотосенсорами і подвійними світлофільтрами та мікропроцесорний вимірювальний блок з відповідним програмним забезпеченням, який відрізняється тим, що вимірювальний блок додатково містить двоканальний 16-розрядний аналогово-цифровий перетворювач з дельта-сигма модуляцією, енергонезалежний запам'ятовуючий пристрій з об'ємом пам'яті не менше...

Номер патенту: 57697

Опубліковано: 10.03.2011

Автори: Воробець Георгій Іванович, Воробець Марія Михайлівна, Волощук Анатолій Григорович

МПК: H01L 21/02, C30B 33/00, C25D 11/00 ...

Мітки: кремнію, спосіб, поверхневої, поруватого, виготовлення, пасивованого

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення поверхнево пасивованого поруватого кремнію, який включає механічне полірування, попередню хімічну обробку, електрохімічне анодування кремнієвих пластин р-типу провідності в електроліті HF(48 %):C2H5OH=1:1 за густини струму 4÷40 мА/см2 з часом анодування від 10 до 30 хв при кімнатній температурі та пасивування сформованого поруватого кремнію, який відрізняється тим, що відразу після завершення процесу...

Номер патенту: 50924

Опубліковано: 25.06.2010

Автори: Стребежев Віктор Миколайович, Мельничук Тетяна Аркадіївна, Воробець Георгій Іванович

МПК: C30B 31/00, C30B 13/00, C30B 29/10 ...

Мітки: гетероструктурі, in4se3, виготовлення, основі, спосіб, фоточутливої

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення фоточутливої гетероструктури на основі In4Se3, який включає рідиннофазну епітаксію шару In4Se3 на монокристалічну напівпровідникову підкладку з розчину-розплаву In4Se3-InBi та лазерне опромінення, який відрізняється тим, що рідиннофазну епітаксію In4Se3 проводять на підкладку з монокристалічного германію в інтервалі температур Т=793-778 К зі швидкістю...

Номер патенту: 17438

Опубліковано: 15.09.2006

Автори: Воробець Олександр Іванович, Добровольський Юрій Георгійович, Воробець Георгій Іванович

МПК: H01L 31/18

Мітки: спосіб, шотткі, кадмію, високоомного, виготовлення, діода, телуриду, основі

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення діода Шотткі на основі телуриду кадмію, який включає механічну та хімічну обробку пластин телуриду кадмію, створення бар'єра Шотткі та омічних контактів вакуумним напиленням та лазерного опромінювання, який відрізняється тим, що лазерне опромінювання з певною довжиною хвилі здійснюють в режимі модульованої добротності в квазіадіабатичних умовах при використанні серії з 20 імпульсів тривалістю