C30B 29/10 — неорганічні сполуки або композиції

Номер патенту: 106139

Опубліковано: 25.04.2016

Автори: Рубіш Василь Михайлович, Риган Михайло Юрійович, Гуранич Оксана Григорівна, Пісак Роман Петрович, Гуранич Павло Павлович

МПК: C01G 15/00, C30B 11/02, C01B 19/00 ...

Мітки: tlgаsе2)x(tlgаs2)1-x, матеріалу, синтезу, спосіб, складу, сегнетоелектричного

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу сегнетоелектричного матеріалу складу (TlGaSe2)x(TlGaS2)1-x, який включає синтез тіогалату та селеногалату талію, сплавлення їх суміші в герметизованій кварцовій ампулі та наступну кристалізацію розплаву, який відрізняється тим, що кристалізацію розплаву здійснюють шляхом охолодження з швидкістю 40-50 К/год. до температури 400-420 °С, витримки при цій температурі протягом 3-5 годин та подальшого охолодження в режимі виключеної...

Номер патенту: 104881

Опубліковано: 25.02.2016

Автори: Півоваров Олександр Андрійович, Сергєєва Ольга В'ячеславівна, Воробьова Маргарита Іванівна

МПК: C30B 7/04, C01G 3/00, C30B 29/10 ...

Мітки: спосіб, міді, основного, малахіту, карбонату, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання малахіту, який включає обробку розчину сульфату міді та NaHCO3 контактною нерівноважною низькотемпературною плазмою, який відрізняється тим, що процес проводять при тиску 10-20 кПа на поверхні 0,05-0,3 Μ водного розчину солі Сu2+ з 2-5 % надлишком NaHCO3, при силі струму розряду 150-175 мА, напрузі 450-1000В, товщині шару розчину 40-50 мм, відстані від анода до поверхні оброблювального середовища 4-7 мм, температурі...

Номер патенту: 108883

Опубліковано: 25.06.2015

Автори: Погодін Артем Ігорович, Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Соломон Андрій Михайлович

МПК: C30B 11/00, C30B 29/10

Мітки: методом, йодиду, спрямовано, кристалізації, купрум(і)пентатіофосфату(v, cu6ps5i, вирощування, розплаву, спосіб, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І)пентатіофосфату(V) йодиду Cu6PS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчасте нагрівання вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти мідь, фосфор, сірку, а також попередньо синтезований CuI у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури і витримують при цій температурі протягом 24...

Номер патенту: 108882

Опубліковано: 25.06.2015

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Соломон Андрій Михайлович, Погодін Артем Ігорович, Кохан Олександр Павлович

МПК: C30B 11/00, C30B 29/10

Мітки: розплаву, вирощування, спрямовано, купрум(і)пентатіофосфату(v, броміду, методом, cu6ps5br, кристалізації, монокристалів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І) пентатіофосфату(V) броміду Cu6PS5Br методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчасте нагрівання вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти мідь, фосфор, сірку, а також попередньо синтезований CuBr у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури і розплав витримують при цій температурі...

Номер патенту: 106179

Опубліковано: 25.07.2014

Автори: Матвієнко Леонід Федорович, Засімчук Ігор Костянтинович, Дехтяр Олександр Ілліч

МПК: C30B 29/10, C22C 27/00, C30B 13/34 ...

Мітки: монокристала, вольфрам-тантал, одержання, сплаву, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання монокристала сплаву вольфрам-тантал, що включає виготовлення штабиків гідростатичним пресуванням попередньо змішаних порошків вольфраму і танталу впродовж 200-300 секунд, наступну термічну обробку штабиків у вакуумі з залишковим тиском Р≤8,10-3 Па, спікання штабиків у вакуумі при температурі Т≥1500 °C впродовж не менше двох годин з наступним охолодженням зі швидкістю 300 °C/годину, переплавлення...

Номер патенту: 105335

Опубліковано: 25.04.2014

Автори: Гриньов Борис Вікторович, Якубовська Ганна Георгіївна, Тупіцина Ірина Аркадіївна, Дубовік Олександр Михайлович

МПК: C30B 29/32, C30B 29/10, C30B 15/00 ...

Мітки: цинку, вольфрамату, монокристал, сцинтиляційний, основі

Формула / Реферат:

Сцинтиляційний монокристал на основі вольфрамату цинку, який відрізняється тим, що він додатково легований магнієм, що створює твердий розчин заміщення ZnxMg1-xWO4 при 0,05£х£0,95, де х - частка домішкових іонів магнію в катіонній підґратці.

Номер патенту: 95882

Опубліковано: 12.09.2011

Автори: Герасименко Андрій Спартакович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Коваленко Назар Олегович, Комарь Віталій Корнійович, Христьян Володимир Анатолійович, Загоруйко Юрій Анатолійович

МПК: C30B 11/00, C30B 29/46, C30B 29/10 ...

Мітки: перестроюванням, заліза, елементів, частоти, лазерів, кристалічний, матеріал, середнього, активних, цинку, діапазону, основі, селеніду, іонами, легованого

Формула / Реферат:

Кристалічний матеріал для активних елементів лазерів середнього ІЧ діапазону з перестроюванням частоти на основі селеніду цинку, легованого іонами заліза, який відрізняється тим, що додатково містить домішку магнію, вміст якої складає 0,11<х<0,60 і створює твердий розчин заміщення Fe2+:Zn1-хMgxSe.

Номер патенту: 94142

Опубліковано: 11.04.2011

Автори: Федоренко Ольга Олександрівна, Коваленко Назар Олегович, Комарь Віталій Корнійович, Загоруйко Юрій Анатолійович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Герасименко Андрій Спартакович

МПК: C30B 29/46, C30B 11/00, C30B 29/10 ...

Мітки: частоти, елементів, основі, активних, лазерів, середнього, селеніду, хромом, легованого, матеріал, кристалічний, діапазону, цинку, перестроюванням

Формула / Реферат:

Кристалічний матеріал для активних елементів лазерів середнього ІЧ діапазону з перестроюванням частоти на основі селеніду цинку, легованого хромом, який відрізняється тим, що матеріал додатково містить домішку магнію і створює твердий розчин заміщення Zn1-xMgxSe:Cr2+ при 0,22<х<0,6, де х - частка домішкових іонів магнію в катіонній підрешітці.

Номер патенту: 93332

Опубліковано: 25.01.2011

Автори: Панько Василь Васильович, Студеняк Ігор Петрович, Мінець Юрій Васильович, Кохан Олександр Павлович

МПК: C30B 11/14, C30B 11/00, C30B 29/10 ...

Мітки: реакцій, йодиду-пентатіоарсенату, спосіб, вирощування, хімічних, допомогою, купрум, cu6ass5i, монокристалів, транспортних

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум йодиду-пентатіоарсенату Cu6AsS5I за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів, який відрізняється тим, що як вихідні компоненти для синтезу...

Номер патенту: 92286

Опубліковано: 11.10.2010

Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Галкін Сергій Миколайович, Лалаянц Олександр Іванович, Гриньов Борис Вікторович, Воронкін Євгеній Федорович, Бреславський Ігор Анатолійович

МПК: C30B 29/10, G01T 1/202, C30B 29/46 ...

Мітки: цинку, активованого, напівпровідниковий, сцинтиляційний, матеріал, селеніду, основі, спосіб, одержання

Формула / Реферат:

1. Напівпровідниковий сцинтиляційний матеріал на основі активованого селеніду цинку, який відрізняється тим, що активуючим елементом є елементи третьої групи, що утворюють з селенідом цинку тверді розчини заміщення, при співвідношенні компонентів, % мольн.: активуючий елемент 1.10-5-1.10-3 ZnSe решта. 2. Напівпровідниковий сцинтиляційний матеріал на основі...

Номер патенту: 50924

Опубліковано: 25.06.2010

Автори: Мельничук Тетяна Аркадіївна, Стребежев Віктор Миколайович, Воробець Георгій Іванович

МПК: C30B 13/00, C30B 31/00, C30B 29/10 ...

Мітки: основі, фоточутливої, гетероструктурі, спосіб, in4se3, виготовлення

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення фоточутливої гетероструктури на основі In4Se3, який включає рідиннофазну епітаксію шару In4Se3 на монокристалічну напівпровідникову підкладку з розчину-розплаву In4Se3-InBi та лазерне опромінення, який відрізняється тим, що рідиннофазну епітаксію In4Se3 проводять на підкладку з монокристалічного германію в інтервалі температур Т=793-778 К зі швидкістю...

Номер патенту: 90834

Опубліковано: 25.05.2010

Автори: Большакова Інеса Антонівна, Шуригін Федір Михайлович, Ворошило Галина Іванівна, Кость Ярослав Ярославович, Макідо Олена Юріївна

МПК: C30B 29/40, C30B 25/00, C30B 29/10 ...

Мітки: мікрокристалів, спосіб, антимоніду, індію, одержання

Формула / Реферат:

Спосіб одержання мікрокристалів антимоніду індію, за яким кварцову ампулу, в якій розташовують очищену підкладку, з попередньо нанесеним на неї металом-каталізатором золотом, та джерело антимоніду індію, вакуумують, запаюють та нагрівають, який відрізняється тим, що одночасно з підкладкою та джерелом антимоніду індію в кварцовій ампулі розташовують йод, вакуумування проводять до тиску в ампулі не більше (0,9-4,1)·10-4 Па, після вакуумування...

Номер патенту: 87792

Опубліковано: 10.08.2009

Автори: Мітічкін Анатолій Іванович, Васецький Сергій Іванович, Кудін Олександр Михайлович, Гриньов Борис Вікторович, Заславський Борис Григорович, Овчаренко Наталія Володимирівна, Колесніков Олександр Володимирович

МПК: C30B 29/10, G01T 1/202, C30B 15/00, C30B 15/02 ...

Мітки: основі, одержання, йодиду, талію, матеріал, активованій, йодидом, сцинтиляційний, спосіб, цезію

Формула / Реферат:

1. Сцинтиляційний матеріал на основі йодиду цезію, активований йодидом талію, що містить додаткові легуючі домішки, який відрізняється тим, що додатковими легуючими домішками є нітрит і оксид цезію при наступному співвідношенні компонентів, мас. %: йодид талію 0,08-0,16 нітрит цезію 0,0007-0,0028 оксид цезію 0,001-0,0032 йодид...

Номер патенту: 32619

Опубліковано: 26.05.2008

Автори: Юрійчук Іван Миколайович, Грицюк Богдан Миколайович, Ащеулов Анатолій Анатолійович

МПК: C30B 13/00, C30B 29/10

Мітки: пристрій, кристалів, затравлювання

Формула / Реферат:

1. Пристрій для затравлювання кристалів при вирощуванні методом Чохральського на основі циліндричного пустотілого патрона, який відрізняється тим, що патрон між зовнішньою і внутрішньою стінками конічних наконечників містить кристалотримач у вигляді перевернутого, зрізаного, пустотілого конуса, а в центральній частині конуса містить радіаційний тепловідвід.2. Пристрій за п. 1, який відрізняється тим, що кристалотримач виготовлено...

Номер патенту: 66072

Опубліковано: 15.09.2006

Автори: Явецький Роман Павлович, Дубовик Михайло Федорович, Коршикова Тетяна Іванівна, Шеховцов Олексій Миколайович, Гриньов Борис Вікторович, Толмачов Олександр Володимирович

МПК: C30B 29/10, C01B 35/00

Мітки: шихти, змішаного, отримання, спосіб, чистого, літію, гадолінію, модифікованого, ортоборату

Формула / Реферат:

1. Ґрунтувальна композиція, що включає епоксидну смолу, антикорозійний пігмент, мінеральний наповнювач - тальк, диетилентриамін, кремнійорганічний лак КО-921 та аеросил, яка відрізняється тим, що в якості антикорозійного пігменту містить фосфат цинку, модифікований 1мас.% молібдату цинку, і додатково дрібнодисперсний карбонат кальцію з домішками карбонату магнію (оміакарб) при такому співвідношенні компонентів (в мас. част.): ...

Номер патенту: 76025

Опубліковано: 15.06.2006

Автори: Нагорна Людмила Лаврентієвна, Рижиков Володимир Діомидович, Бабійчук Інна Петрівна, Кривошеін Вадим Іванович, Катрунов Костянтин Олексійович, Гриньов Борис Вікторович, Пирогов Євген Миколайович, Бондар Валерій Григорійович

МПК: C30B 33/02, C30B 29/10

Мітки: монокристалів, термічної, обробки, спосіб, свинцю, вольфрамату

Формула / Реферат:

Спосіб термічної обробки монокристалів вольфрамату свинцю, який полягає в тому, що монокристали нагрівають, витримують при постійній температурі в атмосфері інертного газу та кисневмісній атмосфері і охолоджують до кімнатної температури, який відрізняється тим, що нагрівання здійснюють зі швидкістю 50-200 град./годину до температури 1030-1050°С, у початковій стадії термічну обробку проводять в атмосфері азоту з домішкою 1-5 об.% кисню при...

Номер патенту: 74998

Опубліковано: 15.02.2006

Автори: Гриньов Борис Вікторович, Рижиков Володимир Діомидович, Сілін Віталій Іванович, Катрунов Костянтин Олексійович, Старжинський Микола Григорович

МПК: C30B 29/10, C30B 11/00

Мітки: напівпровідникового, матеріалу, основі, цинку, одержання, селеніду, сцинтиляційного, активованого, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання сцинтиляційного напівпровідникового матеріалу на основі активованого селеніду цинку, який полягає в тому, що попередньо здійснюють термообробку шихти селеніду цинку та активатора, після чого вирощують кристали з розплаву в атмосфері інертного газу, який відрізняється тим, що в шихту як активатор вводять халькогенід кадмію у концентрації 3-10% мас.

Номер патенту: 70821

Опубліковано: 15.10.2004

Автори: Стратійчук Денис Анатолійович, Слободяник Микола Семенович, Стусь Наталія Вікторівна, Лісняк Владислав Владиславович

МПК: C30B 29/10, C01G 23/00

Мітки: лазера, подвоєння, гранат-неодимового, частоти, ітрій-алюміній, отримання, матеріалу, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання монокристалів матеріалу для подвоєння частоти ітрій-алюміній гранат-неодимового лазера, який передбачає змішування натрієвмісного, калієвмісного, фосфоровмісного компонентів та діоксиду титану (ТіО2), нагрівання до температури кристалізації монокристалів матеріалу для подвоєння частоти ітрій-алюміній гранат-неодимового лазера, який відрізняється тим, що як натрієвмісний, калієвмісний та фосфоровмісний компоненти...

Номер патенту: 66072

Опубліковано: 15.04.2004

Автори: Коршикова Тетяна Іванівна, Шеховцов Олексій Миколайович, Явецький Роман Павлович, Толмачов Олександр Володимирович, Гриньов Борис Вікторович, Дубовик Михайло Федорович

МПК: C30B 29/10, C01B 35/00

Мітки: ортоборату, літію, отримання, шихти, чистого, модифікованого, змішаного, гадолінію, спосіб

Формула / Реферат:

1. Ґрунтувальна композиція, що включає епоксидну смолу, антикорозійний пігмент, мінеральний наповнювач - тальк, диетилентриамін, кремнійорганічний лак КО-921 та аеросил, яка відрізняється тим, що в якості антикорозійного пігменту містить фосфат цинку, модифікований 1мас.% молібдату цинку, і додатково дрібнодисперсний карбонат кальцію з домішками карбонату магнію (оміакарб) при такому співвідношенні компонентів (в мас. част.): ...

Номер патенту: 32073

Опубліковано: 16.02.2004

Автори: Лукша Олег Васильович, Тюпа Олександр Іванович, Трапезнікова Людмила Віталієвна

МПК: G01B 3/00, C30B 7/00, C30B 29/10 ...

Мітки: тригліцинсульфату, монокристала, визначення, швидкості, росту, розчину, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб визначення швидкості росту монокристала тригліцинсульфату з розчину, який включає вимір розмірів монокристалу по осях а, b, с, обчислення його об'єму і ваги та зміну їх значень за одиницю часу, проведення визначення розмірів монокристалу вздовж осей а, b, с безпосередньо під час технологічного процесу вирощування монокристала, обчислення його об'єму і ваги в кожний даний момент часу з використанням при цьому експериментально знайдених...

Номер патенту: 32073

Опубліковано: 15.12.2000

Автори: Тюпа Олександр Іванович, Лукша Олег Васильович, Трапезнікова Людмила Віталієвна

МПК: C30B 7/00, G01B 3/00, C30B 29/10 ...

Мітки: розчину, швидкості, монокристалу, тригліцинсульфату, росту, спосіб, визначення

Формула / Реферат:

Спосіб визначення швидкості росту монокристала тригліцинсульфату з розчину, який включає вимір розмірів монокристалу по осях а, b, с, обчислення його об'єму і ваги та зміну їх значень за одиницю часу, проведення визначення розмірів монокристалу вздовж осей а, b, с безпосередньо під час технологічного процесу вирощування монокристала, обчислення його об'єму і ваги в кожний даний момент часу з використанням при цьому експериментально знайдених...