C30B 13/00 — Вирощування монокристалів зонної плавкою; очищення зонної плавкою

Номер патенту: 120661

Опубліковано: 10.11.2017

Автори: Соломон Андрій Михайлович, Студеняк Ігор Петрович, Погодін Артем Ігорович, Кохан Олександр Павлович, Ізай Віталій Юрійович

МПК: C30B 13/04, C30B 13/00, C30B 9/00 ...

Мітки: вирощування, розчинів, методом, складу, розплаву-розчину, твердих, cu1-xagx)7ges5i, спосіб, спрямовано, кристалізації

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування твердих розчинів складу (Cu1-xAgx)7GeS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву-розчину, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, з попередньо синтезованих тетрарних галогенхалькогенідів Cu7GeS5I та Ag7GeS5I, взятих у стехіометричних співвідношеннях, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури, яка на 50 K вище температури плавлення, і шихту витримують при цій...

Номер патенту: 120186

Опубліковано: 25.10.2017

Автори: Кохан Олександр Павлович, Погодін Артем Ігорович, Соломон Андрій Михайлович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: C30B 9/00, C30B 13/00

Мітки: методом, розплаву-розчину, спрямовано, вирощування, спосіб, кристалізації, cu7ges5i

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування Cu7GeS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву-розчину, що включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти: мідь, германій, сірку та попередньо синтезований і очищений CuI у стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури 1323 К і шихту витримують при цій температурі протягом 72 год. та здійснюють подальше...

Номер патенту: 116034

Опубліковано: 10.05.2017

Автори: Майструк Едуард Васильович, Мар'янчук Павло Дмитрович

МПК: C30B 13/00

Мітки: спосіб, напівпровідникового, матеріалу, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання напівпровідникового матеріалу, який включає підготовку вихідних компонентів, до складу яких входять індій та телур, синтез напівпровідникового матеріалу, вирощування кристалів з нього методом Бріджмена та виготовлення зразків напівпровідникового матеріалу, який відрізняється тим, що до складу вихідних компонентів вводять кадмій, у співвідношенні, яке визначають стехіометричним складом напівпровідникового матеріалу Cd3In2Те6,...

Номер патенту: 114854

Опубліковано: 27.03.2017

Автори: Погодін Артем Ігорович, Студеняк Ігор Петрович, Соломон Андрій Михайлович, Ізай Віталій Юрійович, Кохан Олександр Павлович

МПК: C30B 13/04, C30B 13/00, C30B 9/00 ...

Мітки: спосіб, розплаву, методом, розчину, ag7ges5i, спрямовано, кристалізації, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування Ag7GeS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву-розчину, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти: срібло, германій, сірку та попередньо синтезований і очищений AgІ у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури 1273 К і шихту витримують при цій температурі протягом 72 год. та здійснюють...

Номер патенту: 110938

Опубліковано: 25.10.2016

Автори: Козярський Іван Петрович, Мар'янчук Павло Дмитрович, Козярський Дмитро Петрович

МПК: C30B 13/00

Мітки: спосіб, температури, лінійною, напівпровідникового, залежністю, пропорційною, отримання, оберненої, електропровідності, матеріалу

Формула / Реферат:

Спосіб отримання напівпровідникового матеріалу з обернено пропорційною лінійною залежністю електропровідності від температури, який включає підготовку вихідних компонентів, до складу яких входять ртуть, індій, сірка, вирощування твердого розчину методом Бріджмена та виготовлення зразків напівпровідникового матеріалу, який відрізняється тим, що вирощування проводять у співвідношенні, яке визначається стехіометричним складом твердого розчину...

Номер патенту: 104442

Опубліковано: 25.01.2016

Автори: Мар'янчук Павло Дмитрович, Козярський Дмитро Петрович, Козярський Іван Петрович

МПК: C30B 13/00

Мітки: отримання, спосіб, коефіцієнтом, матеріалу, електропровідності, напівпровідникового, температурним, від'ємним

Формула / Реферат:

Спосіб отримання напівпровідникового матеріалу з від'ємним температурним коефіцієнтом електропровідності, що включає підготовку вихідних компонентів, до складу яких входять ртуть, індій, марганець, вирощування твердих розчинів методом Бріджмена та виготовлення зразків напівпровідникового матеріалу, який відрізняється тим, що до складу вихідних компонентів додають сірку та готують їх у співвідношенні, яке визначається стехіометричним складом...

Номер патенту: 103080

Опубліковано: 10.12.2015

Автори: Шпирко Григорій Миколайович, Пісак Роман Петрович, Риган Михайло Юрійович, Горіна Ольга Володимирівна

МПК: C30B 13/00

Мітки: селену, спосіб, кристалізації

Формула / Реферат:

Спосіб кристалізації селену, який включає формування зливку вихідного матеріалу в герметичному контейнері продовгуватої форми, створення на одному із кінців зливку зони розплаву з підвищеною температурою та переміщення цієї зони вздовж зливка, який відрізняється тим, що на краю зливку створюють зону розплаву з температурою 250-280 °C, переміщують зону розплаву вздовж зливка зі швидкістю 30-80 мм/год., повертають зону розплаву у вихідне...

Номер патенту: 96809

Опубліковано: 25.02.2015

Автори: Гречанюк Микола Іванович, Таран Олександр Юрійович, Овчарук Дмитро Сергійович, Ян Хайян, Гасик Михайло Іванович, Ліу Йонг, Ян Міншен, Патяка В'ячеслав Олексійович, Тутик Валерій Анатолієвич, Овчарук Анатолій Миколайович, Фільов Олександр Сергійович

МПК: C30B 13/16, C01B 33/037, C30B 13/00 ...

Мітки: очищення, кремнію, домішок, спосіб, шкідливих

Формула / Реферат:

Спосіб очищення кремнію від шкідливих домішок, що включає розігрів неочищеного кремнію на першому етапі при тиску нижче атмосферного до утворення розплаву з використанням висококонцентрованого джерела енергії та обробку газовою сумішшю, яка включає інертний газ, відновлювальний газ та пари води, обробку поверхні розплаву електронним променем на другому етапі, який відрізняється тим, що здійснюють третій етап очищення, на якому проводять...

Номер патенту: 106916

Опубліковано: 27.10.2014

Автори: Северин Андрій Юрійович, Ахонін Сергій Володимирович, Березос Володимир Олександрович, Пікулін Олександр Миколайович

МПК: C01B 33/037, C30B 13/00, C30B 29/06, C22B 9/22 ...

Мітки: кремнію, електронно-променевої, спосіб, очищення, методом, плавки

Формула / Реферат:

1. Спосіб вакуумного очищення кремнію, що включає завантаження кремнію, що очищається, в тигель, розплавлення його з використанням електронно-променевого нагріву у вакуумі, витримку розплаву в тиглі для випару домішок і його кристалізацію з отриманням очищеного кремнію, який відрізняється тим, що процес очищення проводиться в чотири стадії: на першій стадії очищення кремнію проводять шляхом розплавлення в кварцовій проміжній ємності з...

Номер патенту: 92083

Опубліковано: 25.07.2014

Автори: Козярський Дмитро Петрович, Козярський Іван Петрович, Майструк Едуард Васильович, Мар'янчук Павло Дмитрович

МПК: C30B 13/00

Мітки: матеріалу, напівпровідникового, температури, спосіб, електропровідності, отримання, лінійною, залежністю

Формула / Реферат:

Спосіб отримання напівпровідникового матеріалу з лінійною залежністю електропровідності від температури, який включає підготовку вихідних компонентів, до складу яких входять ртуть, селен, марганець, вирощування твердих розчинів методом Бріджмена та виготовлення зразків напівпровідникового матеріалу, який відрізняється тим, що до складу вихідних компонентів додають індій та готують їх у співвідношенні, яке визначається стехіометричним складом...

Номер патенту: 89560

Опубліковано: 25.04.2014

Автори: Мар'янчук Павло Дмитрович, Димко Лариса Миколаївна, Майструк Едуард Васильович

МПК: C30B 13/00

Мітки: напівпровідникового, електропровідності, температури, залежністю, отримання, прямопропорційною, спосіб, матеріалу

Формула / Реферат:

Спосіб отримання напівпровідникового матеріалу з прямопропорційною залежністю електропровідності від температури, який включає підготовку вихідних компонентів, до складу яких входять ртуть та телур, вирощування методом Бріджмена та виготовлення зразків напівпровідникового матеріалу, який відрізняється тим, що до складу вихідних компонентів додають алюміній і марганець у співвідношенні, яке визначається стехіометричним складом твердого...

Номер патенту: 87727

Опубліковано: 10.02.2014

Автори: Дехтяр Олександр Ілліч, Засімчук Ігор Костянтинович, Матвієнко Леонід Федорович

МПК: C22C 27/00, C30B 28/00, C30B 13/00 ...

Мітки: одержання, спосіб, сплаву, вольфрам-тантал, монокристала

Формула / Реферат:

Спосіб одержання монокристала сплаву вольфрам-тантал, що включає виготовлення штабиків гідростатичним пресуванням попередньо змішаних порошків вольфраму і танталу впродовж 200-300 секунд, наступну термічну обробку штабиків у вакуумі з залишковим тиском Р£8.10-3Па, спікання штабиків у вакуумі при температурі Т³1500 °C впродовж не менше двох годин з наступним охолодженням зі швидкістю 300 °C/годину, переплавлення...

Номер патенту: 84899

Опубліковано: 11.11.2013

Автори: Мар'янчук Павло Дмитрович, Козярський Іван Петрович, Козярський Дмитро Петрович

МПК: C30B 13/00

Мітки: матеріалу, спосіб, отримання, напівпровідникового

Формула / Реферат:

Спосіб отримання напівпровідникового матеріалу, який включає підготовку вихідних компонентів, до складу яких входять ртуть, селен, марганець, вирощування твердих розчинів методом Бріджмена, та виготовлення зразків напівпровідникового матеріалу, який відрізняється тим, що до складу вихідних компонентів додають алюміній та готують їх у співвідношенні, яке визначається стехіометричним складом твердого розчину (3HgSe)1-x(Al2Se3)x:Mn.

Номер патенту: 84343

Опубліковано: 25.10.2013

Автори: Слободяник Микола Семенович, Іваненко Володимир Ігорович, Затовський Ігор Вікторович

МПК: C01G 23/00, C30B 13/00, C30B 11/04, C30B 15/00 ...

Мітки: гафнійвмісних, кристалів, спосіб, цирконій, синтезу, розплавного, kтіоро4

Формула / Реферат:

1. Спосіб розплавного синтезу цирконій- або гафнійвмісних кристалів КТiОРО4 шляхом взаємодії порошку фторидів цирконію (гафнію) з розплавом фосфатів калію та оксиду титану.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що більшу розчинність цирконію або гафнію досягають за рахунок внесення МIV F4 (МIV-Zr чи Hf) у розчин-розплав.3. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що більшу розчинність цирконію або гафнію досягають за рахунок...

Номер патенту: 98725

Опубліковано: 11.06.2012

Автори: Осауленко Микола Федорович, Ракитянський Віктор Сергійович, Бакай Едуард Аполінарійович, Богомаз Валерій Ігоревич

МПК: B01D 59/00, C30B 13/00, H05B 6/30 ...

Мітки: кремнію-28, пристрій, ізотопно-чистого, одержання

Формула / Реферат:

1. Пристрій для одержання ізотопно-чистого кремнію-28, який містить індукційну піч з джерелом енергії, блок вимірювання температури, який оптично з'єднаний з зоною плавлення матеріалу та електрично з'єднаний з блоком програмного керування, та блок програмного керування, який електрично з'єднаний з блоком вимірювання температури, з джерелом енергії та механізмом переміщення, який відрізняється тим, що він додатково містить блок опромінювання,...

Номер патенту: 98161

Опубліковано: 25.04.2012

Автори: Марончук Ігор Євгенович, Кулюткіна Тамара Фатихівна

МПК: C01B 33/00, C01B 33/037, C01B 33/02 ...

Мітки: очищення, технічної, кремнію, чистоти, установка

Формула / Реферат:

1. Установка для очищення кремнію технічної чистоти у вакуумі або атмосфері інертного газу, яка містить камеру (1) для очищення кремнію, з герметично замкненими дверима, в якій розміщена піч опору (2) з електричними введеннями (3), що забезпечує нагрівання до 1200 °С, тигель (4) з розплавом легкоплавкого металу, введення для штоків для здійснення обертання і переміщення уздовж своїх осей, ємність (5) з множиною отворів для витягання...

Номер патенту: 64288

Опубліковано: 10.11.2011

Автори: Мар'янчук Павло Дмитрович, Майструк Едуард Васильович

МПК: C30B 13/00

Мітки: термоелектричного, отримання, спосіб, матеріалу

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання термоелектричного матеріалу, який включає підготовку вихідних компонентів, до складу яких входять ртуть, марганець, сірка, вирощування твердих розчинів методом Бріджмена, виготовлення зразків термоелектричного матеріалу та відпал зразків у парах сірки, який відрізняється тим, що до складу вихідних компонентів додають телур та готують їх у співвідношенні, яке визначається стехіометричним складом твердого розчину...

Номер патенту: 96345

Опубліковано: 25.10.2011

Автори: Колєсніченко Володимир Іванович, Шаповалов Віктор Олександрович, Карускевич Ольга Віталіївна, Якуша Володимир Вікторович, Гніздило Олександр Миколайович

МПК: C30B 30/00, C30B 13/00, C30B 11/00 ...

Мітки: монокристалічною, матеріалів, отримання, монокристалів, пристрій, полікристалічною, тугоплавких, структурою, вирощування, профільованих, металів, певною, виробів

Формула / Реферат:

1. Пристрій для вирощування монокристалів тугоплавких металів та для отримання профільованих виробів з монокристалічною, полікристалічною, певною структурою з тугоплавких матеріалів, який включає герметичну камеру, механізм подачі витратного матеріалу в зону підживлення металевої ванни, піддон, який виконаний з можливістю  переміщення у вертикальній площині, плазмове джерело нагрівання, яке виконане з можливістю  переміщення в...

Номер патенту: 62274

Опубліковано: 25.08.2011

Автори: Струтинська Любов Тимофіївна, Копил Олександр Іванович, Термена Ірина Святославівна

МПК: C30B 13/00

Мітки: отримання, термоелементів, bi-te-se-sb, процес, сегментних, термоелектричного, матеріалу, р-типу, основі

Формула / Реферат:

Процес виготовлення термоелектричного матеріалу на основі твердих розчинів Ві-Te-Se-Sb, що складається з етапів синтезу, охолодження, вертикальної зонної перекристалізації з подальшим контролем параметрів матеріалу, який відрізняється тим, що виготовляється матеріал з електропровідністю (), більшою від розрахованої на 100-150 Ом-1 см-1; проводять послідуючий відпал матеріалу...

Номер патенту: 95395

Опубліковано: 25.07.2011

Автори: Бакай Едуард Аполінарійович, Богомаз Валерій Ігоревич, Ракитянський Віктор Сергійович, Осауленко Микола Федорович, Севастьянов Володимир Валентинович, Крапивко Микола Олександрович

МПК: C30B 13/00, H05B 6/00

Мітки: безтигельного, одержання, спосіб, кремнію, високочистого, плавлення, зонного, методом

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання високочистого кремнію методом безтигельного зонного плавлення, який відрізняється тим, що перед установкою в тримачі індукційної печі заготовки металургійного кремнію здійснюють її формування із введенням в формуючу масу лантану.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що формування заготовки металургійного кремнію здійснюють методом пресування, зокрема методом гідропресування.3. Спосіб за п. 1 або 2, який...

Номер патенту: 60532

Опубліковано: 25.06.2011

Автори: Майструк Едуард Васильович, Мар'янчук Павло Дмитрович

МПК: C30B 13/00

Мітки: спосіб, отримання, матеріалу, напівпровідникового

Формула / Реферат:

Спосіб отримання напівпровідникового матеріалу, який включає підготовку вихідних компонентів, до складу яких входять ртуть, марганець, телур та сірка, вирощування твердого розчину та виготовлення зразків матеріалу, який відрізняється тим, що вихідні компоненти готують у співвідношенні, яке визначається стехіометричним складом твердого розчину Hg1-хMnxTe1-zSez , a виготовлені зразки відпалюють у парах сірки.

Номер патенту: 60531

Опубліковано: 25.06.2011

Автори: Майструк Едуард Васильович, Мар'янчук Павло Дмитрович

МПК: C30B 13/00

Мітки: матеріалу, спосіб, отримання, напівпровідникового

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання напівпровідникового матеріалу, який включає підготовку вихідних компонентів, до складу яких входять ртуть, марганець, телур, вирощування твердого розчину та виготовлення зразків матеріалу, який відрізняється тим, що до складу вихідних компонентів додають залізо у співвідношенні, яке визначається стехіометричним складом твердого розчину Hg1-х-yMnxFeyTe.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що виготовлені зразки...

Номер патенту: 94343

Опубліковано: 26.04.2011

Автори: Севастьянов Володимир Валентинович, Осауленко Микола Федорович, Крапивко Микола Олександрович, Богомаз Валерій Ігоревич, Бакай Едуард Аполінарійович, Ракитянський Віктор Сергійович

МПК: H05B 6/00, C30B 13/00, C01B 33/00 ...

Мітки: здійснення, методом, установка, монокристалічного, зонного, спосіб, одержання, безтигельного, високочистого, плавлення, кремнію

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання високочистого монокристалічного кремнію методом безтигельного зонного плавлення, який відрізняється тим, що технологічний процес рафінування металургійного кремнію здійснюють, використовуючи для цього щонайменше два аналогічних пристрої, при цьому після закінчення підготовки першого пристрою до процесу рафінування та початку технологічного процесу рафінування металургійного кремнію, автоматично включають другий...

Номер патенту: 56654

Опубліковано: 25.01.2011

Автори: Мар'янчук Павло Дмитрович, Андрущак Галина Олегівна

МПК: C30B 13/00

Мітки: термоелектричного, спосіб, отримання, матеріалу

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання термоелектричного матеріалу, який включає підготовку вихідних компонентів, вирощування твердих розчинів методом Бріджмена та виготовлення зразків термоелектричного матеріалу, який відрізняється тим, що як вихідні компоненти використовують ртуть, марганець, сірку у співвідношенні, яке визначається стехіометричним складом твердого розчину Hg1-хMnxS, а виготовлені зразки відпалюють у парах сірки.2. Спосіб за п. 1,...

Номер патенту: 53507

Опубліковано: 11.10.2010

Автори: Єгоров Сергій Геннадійович, Реков Юрій Васильович, Воляр Роман Миколайович, Червоний Іван Федорович

МПК: C30B 13/00

Мітки: кремнії, вмісту, визначення, полікристалічному, бору, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб визначення вмісту бору в полікристалічному кремнії, що включає вирізку і шліфування заготовки з початкового полікристалічного кремнієвого стрижня, хімічне травлення і відмивання її деіонізованою водою, сушіння заготовки, проведення безтигельної зонної плавки, вимірювання на плавленому стрижні питомого електричного опору, який відрізняється тим, що безтигельну зонну плавку проводять в дві стадії, після кожної вимірюють в контрольних...

Номер патенту: 92122

Опубліковано: 27.09.2010

Автори: Крапивко Микола Олександрович, Ракитянський Віктор Сергійович, Бакай Едуард Аполінарійович, Севастьянов Володимир Валентинович, Осауленко Микола Федорович, Богомаз Валерій Ігоревич

МПК: H05B 6/00, C30B 13/00

Мітки: плавлення, кремнію, зонного, здійснення, високочистого, одержання, пристрій, спосіб, безтигельного, методом

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання високочистого кремнію методом безтигельного зонного плавлення, який відрізняється тим, що задану температуру в зоні плавлення вимірюють автоматично та підтримують постійною протягом всього процесу рафінування.2. Пристрій для одержання високочистого кремнію методом безтигельного зонного плавлення, який містить індукційну піч з джерелом енергії та механізм переміщення, який відрізняється тим, що він додатково містить...

Номер патенту: 51634

Опубліковано: 26.07.2010

Автори: Колєсніченко Володимир Іванович, Гніздило Олександр Миколайович, Карускевич Ольга Віталіївна, Шаповалов Віктор Олександрович, Якуша Володимир Вікторович

МПК: C30B 11/10, B01D 9/00, C30B 13/00 ...

Мітки: монокристалічною, напівпровідникових, певною, пристрій, енергетики, структурою, отримання, сонячної, матеріалів, мультикристалічних, зливків, також, полікристалічною

Формула / Реферат:

1. Пристрій для отримання зливків з монокристалічною, полікристалічною та певною структурою напівпровідникових матеріалів, а також для отримання мультикристалічних зливків для сонячної енергетики, що включає герметичну камеру кристалізації зливка, вакуумну систему, пристрій подачі шихти, камеру плавлення шихти, джерело для розплавлення шихти та нагріву розплаву, механізм витягування зливка, системи струмо- та водопостачання, який...

Номер патенту: 51287

Опубліковано: 12.07.2010

Автори: Гніздило Олександр Миколайович, Якуша Володимир Вікторович, Карускевич Ольга Віталіївна, Колєсніченко Володимир Іванович, Шаповалов Віктор Олександрович

МПК: C30B 13/00, C30B 30/00, C30B 11/00 ...

Мітки: матеріалів, монокристалічною, пристрій, отримання, вирощування, профільованих, виробів, полікристалічною, структурою, певною, монокристалів, металів, тугоплавких

Формула / Реферат:

1. Пристрій для вирощування монокристалів тугоплавких металів та для отримання профільованих виробів з монокристалічною, полікристалічною, певною структурою з тугоплавких матеріалів, який включає герметичну камеру, механізм подачі витратного матеріалу в зону підживлення металевої ванни, піддон, який переміщається у вертикальній площині, плазмове джерело нагрівання, яке переміщається в зворотно-поступовому режимі в горизонтальній площині,...

Номер патенту: 50924

Опубліковано: 25.06.2010

Автори: Мельничук Тетяна Аркадіївна, Воробець Георгій Іванович, Стребежев Віктор Миколайович

МПК: C30B 31/00, C30B 13/00, C30B 29/10 ...

Мітки: in4se3, фоточутливої, гетероструктурі, основі, виготовлення, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення фоточутливої гетероструктури на основі In4Se3, який включає рідиннофазну епітаксію шару In4Se3 на монокристалічну напівпровідникову підкладку з розчину-розплаву In4Se3-InBi та лазерне опромінення, який відрізняється тим, що рідиннофазну епітаксію In4Se3 проводять на підкладку з монокристалічного германію в інтервалі температур Т=793-778 К зі швидкістю...

Номер патенту: 49632

Опубліковано: 11.05.2010

Автор: Копил Олександр Іванович

МПК: C30B 13/00

Мітки: твердих, pbте, pbsnte, напівпровідникових, а4в6, розчинів, сублімуючих, монокристалів, вирощування, сполук, спосіб, pbgete

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів сублімуючих твердих розчинів напівпровідникових сполук A4B6 (РbТе, PbSnTe, PbGeTe), який включає етапи синтезу, охолодження, пересублімації, який відрізняється тим, що зародження монокристала відбувається на синтезованому злитку з наступним його розростанням до дна ампули і заповненням всього її внутрішнього перерізу.

Номер патенту: 88964

Опубліковано: 10.12.2009

Автор: Ранкулі Гілберт

МПК: C04B 35/14, C01B 33/021, B22D 41/02 ...

Мітки: кристалізації, кремнію, тигель, виготовлення, спосіб

Формула / Реферат:

1. Тигель (1) для кристалізації кремнію, який включаєa) основний корпус (2), який включає нижню поверхню (21) та бокові стінки (22), які обмежують внутрішній об'єм;b) шар підкладки (25), який включає від 80 до 100 мас. % нітриду кремнію на поверхні бокових стінок (22), спрямованій до внутрішнього об'єму;c) проміжний шар (3), який включає від 50 до 100 мас. % кремнезему над шаром підкладки (25); таd) поверхневий шар...

Номер патенту: 43898

Опубліковано: 10.09.2009

Автори: Левицький Сергій Миколайович, Криськов Цезарій Андрійович, Криськов Анатолій Андрійович, Власенко Олександр Іванович

МПК: C30B 15/10, C30B 13/00

Мітки: матеріалів, aivbvi, халькогенідних, високооднорідних, спосіб, напівпровідникових, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання халькогенідних напівпровідникових кристалів AІVBVI, який включає синтез відповідної сполуки з вихідних компонентів, які завантажують в кварцову ампулу, вакуумування її, нагрівання в печі до температури, на 50-100 К вищої за температуру плавлення сполуки, протягом 2-3 діб, формування кристалу шляхом охолодження ампули до температури, на 50-100 К нижчої за температуру плавлення сполуки, протягом 1-1,5 доби та охолодження ампули...

Номер патенту: 43897

Опубліковано: 10.09.2009

Автори: Власенко Олександр Іванович, Криськов Анатолій Андрійович, Криськов Цезарій Андрійович, Левицький Сергій Миколайович

МПК: C30B 13/00, C30B 11/00

Мітки: отримання, легованих, aivbvi, спосіб, однорідної, кристалів

Формула / Реферат:

Спосіб отримання легованих кристалів термоелектричного матеріалу АIVВVI, який включає завантаження в кварцову ампулу вихідних компонентів бінарної сполуки та легуючої домішки, вакуумування її, нагрівання в печі до температури, на 50-100 К вищої за температуру плавлення сполуки, протягом 2-3 діб, формування кристалу шляхом охолодження ампули до температури, на 50-100 К нижчої за температуру плавлення сполуки, протягом 1-1,5 доби та охолодження...

Номер патенту: 87953

Опубліковано: 25.08.2009

Автори: Галкін Сергій Миколайович, Бреславський Ігор Анатолійович, Воронкін Євгеній Федорович, Лалаянц Олександр Іванович, Рижиков Володимир Діомидович

МПК: C30B 13/00, C30B 29/48

Мітки: а2в6, спосіб, монокристалів, сполук, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів сполук А2В6, який полягає в тому, що шихту вказаної сполуки завантажують в тигель, розміщують диск, хімічно стійкий по відношенню до цієї сполуки, з щільністю, меншою відносно щільності розплаву, з високою теплопровідністю і з можливістю його вільного переміщення в тиглі під час вирощування, встановлюють тигель в установку для вирощування під тиском інертного газу і протягують тигель з розплавом через...

Номер патенту: 86876

Опубліковано: 25.05.2009

Автори: Данько Олександр Якович, Ніжанковський Сергій Вікторович, Гринь Леонід Олексійович, Адонкін Георгій Тимофійович, Мірошников Юрій Петрович, Пузіков В'ячеслав Михайлович

МПК: C30B 11/00, C30B 13/00, C30B 15/00 ...

Мітки: оксиду, монокристалів, спосіб, алюмінію, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів оксиду алюмінію, що включає попереднє відкачування кристалізаційної камери до тиску 10-20 Па і направлену кристалізацію розплаву оксиду алюмінію в захисному газовому середовищі, який відрізняється тим, що перед кристалізацією здійснюють термообробку теплового вузла камери і сировини при 2030-2050 °С протягом 4-5 годин при безперервному відкачуванні, потім напускають аргон до тиску 0,1-0,15 МПа, а в процесі...

Номер патенту: 41450

Опубліковано: 25.05.2009

Автор: Копил Олександр Іванович

МПК: C30B 13/00

Мітки: основі, отримання, матеріалу, процес, bi-te-se-sb, термоелектричного

Формула / Реферат:

Процес отримання термоелектричних матеріалів р-типу провідності на основі твердих розчинів халькогенідів Bi-Te-Se-Sb, що включає етапи завантаження, синтезу, вертикальної зонної перекристалізації та охолодження з подальшим контролем їх параметрів, який відрізняється тим, що в процесі вирощування температуру зонного нагрівача при проходженні першої чверті злитка рівномірно поступово по лінійному закону збільшують на 25¸30 К, а на...

Номер патенту: 41139

Опубліковано: 12.05.2009

Автори: Ковальчук Мирослав Любомирович, Раренко Іларій Михайлович

МПК: C30B 13/00

Мітки: напівпровідників, монокристалів, спосіб, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів напівпровідників заданої форми та кристалографічної орієнтації з повним використанням розплаву, зокрема вісмуту, що включає нагрів до розплавлення вихідного матеріалу в тиглі, який обертається, затравлення на монокристалічну затравку, що також обертається та опускається в розплав штоком, розрощування монокристала з одночасним витягуванням, який відрізняється тим, що при досягненні діаметра кристала близько...

Номер патенту: 86295

Опубліковано: 10.04.2009

Автори: Детлофф Крістіан, Фр'єстад Кеннет

МПК: C30B 15/00, C01B 33/00, C01B 33/02, C30B 13/00 ...

Мітки: еремнію, одержуваного, зливка, чохральського, направленої, зонної, спосіб, шляхом, методом, виготовлення, полікристалічного, плавки, кристалізації

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення полікристалічного зливка кремнію, одержуваного шляхом направленої кристалізації за методом Чохральського, методом зонної плавки з кремнієвої сировини сонячної якості, яка спочатку містить (0,2-10)‰ бору та (0,1-10)‰ фосфору, який відрізняється тим, що у випадку, коли вміст бору в кремнієвій сировині перевищує вміст фосфору, то під час процесу направленої кристалізації зливка кремнію вміст бору в розплавленому кремнії...

Номер патенту: 38415

Опубліковано: 12.01.2009

Автор: Копил Олександр Іванович

МПК: C30B 13/00

Мітки: основі, отримання, bi-te-se-sb, матеріалу, термоелектричного, процес

Формула / Реферат:

Процес отримання термоелектричних матеріалів р-типу провідності на основі твердих розчинів халькогенідів Bi-Te-Se-Sb, що складається з етапів завантаження, синтезу, вертикальної зонної перекристалізації та охолодження з подальшим контролюванням їх параметрів, який відрізняється тим, що не влаштовуючі по параметрах кінцеві частини злитка відрізають і повторно використовують замість надлишкового телуру для інших завантажень аналогічного складу...

Номер патенту: 83148

Опубліковано: 10.06.2008

Автори: Статкевич Ігор Іванович, Юрченко Микола Миколайович, Щегельський Микола Євдокимович, Асніс Юхим Аркадійович, Шевченко Петро Миколайович, Заболотін Станіслав Павлович, Патон Борис Євгенович, Порєв Володимир Андрійович, Перепеченко Борис Іванович

МПК: C30B 1/00, C30B 35/00, C30B 13/00 ...

Мітки: установка, матеріалу, вакууму, космосі, плавки, електронно-променевої, умовах, зонної, космічного, мікрогравітації

Формула / Реферат:

1. Установка для електронно-променевої зонної плавки матеріалу в космосі в умовах мікрогравітації і космічного вакууму, що складається з ростової вакуумної камери, яка має вакуумно-щільний корпус з циліндричними охолоджуваними стінками і кришкою,  електронно-променевого нагрівача, приводу переміщення електронно-променевого нагрівача, приводу вертикального переміщення електронно-променевого нагрівача, утримувачів зразка матеріалу, патрубка для...