Наконечний Ігор Йосипович
Спосіб усунення включень другої фази з кристалів на основі cdte
Номер патенту: 79780
Опубліковано: 25.04.2013
Автори: Панчук Олег Ельпідефорович, Копач Олег Вадимович, Вержак Євгенія Васлівна, Фочук Петро Михайлович, Наконечний Ігор Йосипович
МПК: C30B 11/12, C30B 11/00, C30B 11/04 ...
Мітки: кристалів, другої, фазі, основі, усунення, спосіб, включень
Формула / Реферат:
Спосіб усунення включень другої фази з кристалів на основі CdTe, що включає термообробку зразка в парі кадмію в вакуумованій запаяній кварцовій ампулі, який відрізняється тим, що термообробку проводять при температурі зразка 1100 К і джерела пари кадмію 1070 К протягом 2 годин з наступним програмованим охолодженням зі швидкістю 5 К/хвилина.