Фочук Петро Михайлович

Номер патенту: 117363

Опубліковано: 26.06.2017

Автори: Фочук Петро Михайлович, Дремлюженко Сергій Григорович, Федорчук Анатолій Олександрович, Парасюк Олег Васильович

МПК: H01L 21/302, C09G 1/02

Мітки: хіміко-механічного, tl4cdi6, tl4hgi6, поверхні, tl4pbi6, полірування, аiiibiicvii, кристалів, склад

Формула / Реферат:

Склад для хіміко-механічного полірування кристалів AIIIBIICVII (Tl4HgI6, Tl4PbI6, Tl4CdI6), що містить аеросил (марок А-175, A-300), луг, окисник, гліцерин, воду, який відрізняється тим, що заявлений склад додатково містить моноетаноламін, а як окисник застосовують гексаціаноферат (III) калію (K3[Fe(CN)6]), при наступному співвідношенні компонентів: аеросил (марок А-175, А-300) 0,17 моль/л, ...

Номер патенту: 116036

Опубліковано: 10.05.2017

Автори: Юрченко Оксана Миколаївна, Левковець Сергій Іванович, Фочук Петро Михайлович, Парасюк Олег Васильович

МПК: C30B 11/00

Мітки: спосіб, монокристалів, отримання, tlhgcl3

Формула / Реферат:

Спосіб отримання галогеновмісних монокристалів TlHgCl3, що включає складання шихти із розрахованих стехіометричних кількостей складових, вирощування у запаяних вакуумованих кварцових ампулах в печі шахтного типу монокристалів завданого складу за методом Бріджмена-Стокбаргера, відпал отриманого монокристалу та остаточне охолодження до кімнатної температури, який відрізняється тим, що перед операцією вирощування монокристалу спочатку одержують...

Номер патенту: 116022

Опубліковано: 10.05.2017

Автори: Федорчук Анатолій Олександрович, Парасюк Олег Васильович, Юрченко Оксана Миколаївна, Фочук Петро Михайлович, Левковець Сергій Іванович

МПК: C30B 11/00

Мітки: отримання, монокристалів, tl3pbі5, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів Тl3РbІ5 з розплаву, який включає компоновку стехіометричної шихти із бінарних йодидів ТlI і РbІ2, синтез Тl3РbІ5 безпосереднім сплавлянням йодидів у вакуумованій і запаяній ампулі, кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури за методом Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що синтез і вирощування Тl3РbІ5 проводять в одній і тій же ростовій кварцовій ампулі з грушоподібним днищем, а...

Номер патенту: 116020

Опубліковано: 10.05.2017

Автори: Федорчук Анатолій Олександрович, Юрченко Оксана Миколаївна, Фочук Петро Михайлович, Парасюк Олег Васильович, Левковець Сергій Іванович

МПК: C30B 11/00

Мітки: тl3рbвr5, отримання, спосіб, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів Тl3РbВr5 з розплаву, що включає складання шихти із розрахованих кількостей очищених 30-кратно зонним плавленням та направленою кристалізацією на установці Бріджмена-Стокбаргера бінарних бромідів ТlВr і РbВr2, синтез Tl3PbBr5 безпосереднім сплавлянням бромідів у вакуумованій і запаяній кварцовій ампулі в печі шахтного типу, кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури за методом...

Номер патенту: 116019

Опубліковано: 10.05.2017

Автори: Фочук Петро Михайлович, Юрченко Оксана Миколаївна, Парасюк Олег Васильович, Федорчук Анатолій Олександрович, Левковець Сергій Іванович

МПК: C30B 11/00

Мітки: спосіб, монокристалів, тlpbi3, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів ТlРbI3 з розплаву, який включає стехіометричну компоновку шихти із бінарних йодидів ТlI і РbI2, попередньо очищених зонною плавкою, синтез ТlРbI3 безпосереднім сплавлянням йодидів у вакуумованій і запаяній кварцовій ампулі в печі шахтного типу, вирощування, відпал та охолодження до кімнатної температури за методом Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що процес синтезу ТlРbI3 і вирощування монокристалу...

Номер патенту: 115603

Опубліковано: 25.04.2017

Автори: Фочук Петро Михайлович, Парасюк Олег Васильович, Левковець Сергій Іванович, Юрченко Оксана Миколаївна

МПК: C30B 11/00

Мітки: tlhgbr3, монокристалів, спосіб, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання галогеновмісних монокристалів TlHgBr3, що включає складання шихти із розрахованих стехіометричних кількостей компонентів, кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури, які здійснюють за методом Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що попередньо очищені 30-кратним зонним плавленням бінарні броміди ТlВr і HgBr2, піддають синтезу для отримання TlHgBr3 безпосереднім сплавлянням бромідів у вакуумованій...

Номер патенту: 115226

Опубліковано: 10.04.2017

Автори: Парасюк Олег Васильович, Левковець Сергій Іванович, Юрченко Оксана Миколаївна, Фочук Петро Михайлович

МПК: C30B 11/00

Мітки: спосіб, tl10hg3cl16, отримання, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб отримання галогеновмісних монокристалів Tl10Hg3Cl16, що включає складання шихти із розрахованих кількостей очищених бінарних сполук, взятих у потрібних співвідношеннях, синтез речовини потрібного складу у вакуумованій і запаяній кварцовій ампулі з конусним дном в печі шахтного типу, кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури за методом Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що шихту складають із сполук,...

Номер патенту: 115210

Опубліковано: 10.04.2017

Автори: Парасюк Олег Васильович, Юрченко Оксана Миколаївна, Фочук Петро Михайлович, Левковець Сергій Іванович

МПК: C30B 11/00

Мітки: монокристалів, tl3pbbr2,5i2,5, отримання, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання галогеновмісних монокристалів Tl3PbBr2,5I2,5, що включає складання шихти з розрахованих кількостей очищених багатократним зоннимплавленням та направленою кристалізацією на установці, призначеній для реалізації методу Бріджмена-Стокбаргера, бінарних галогенідів, синтез сполуки потрібного складу сплавленням бінарних сполук у вакуумованій і запаяній в кварцовій ампулі в печі шахтного типу, проведенням кристалізації та...

Номер патенту: 115209

Опубліковано: 10.04.2017

Автори: Фочук Петро Михайлович, Левковець Сергій Іванович, Юрченко Оксана Миколаївна, Парасюк Олег Васильович

МПК: C30B 11/00

Мітки: спосіб, розчину-розплаву, монокристалів, отримання, tl4hgbr6

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання галогеновмісних монокристалів Tl4HgBr6 з розчину-розплаву, що включає складання шихти з розрахованих кількостей очищених багатократним зонним плавленням та направленою кристалізацією на установці, призначеній для реалізації методу Бріджмена-Стокбаргера, бінарних галогенідів, синтез сполуки потрібного складу сплавленням бінарних сполук у вакуумованій і запаяній в кварцовій ампулі в печі шахтного типу, проведенням...

Номер патенту: 115208

Опубліковано: 10.04.2017

Автори: Фочук Петро Михайлович, Парасюк Олег Васильович, Левковець Сергій Іванович, Юрченко Оксана Миколаївна

МПК: C30B 11/00

Мітки: рbвr1,2і0,8, отримання, спосіб, монокристалів

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання галогеновмісних монокристалів РbВr1,2І0,8, що включає складання шихти з розрахованих кількостей очищених багатократним зонним плавленням та направленою кристалізацією на установці, призначеній для реалізації методу Бріджмена-Стокбаргера, бінарних галогенідів, синтез сполуки потрібного складу сплавленням бінарних сполук у вакуумованій і запаяній в кварцовій ампулі в печі шахтного типу, проведенням кристалізації та відпалу...

Номер патенту: 115207

Опубліковано: 10.04.2017

Автори: Парасюк Олег Васильович, Левковець Сергій Іванович, Фочук Петро Михайлович, Юрченко Оксана Миколаївна

МПК: C30B 11/00

Мітки: монокристалів, отримання, tlpb2bri4, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання галогеновмісних монокристалів ТlРb2ВrІ4, що включає складання шихти з розрахованих кількостей очищених багатократним зонним плавленням та направленою кристалізацією на установці, призначеній для реалізації методу Бріджмена-Стокбаргера, бінарних галогенідів, синтез сполуки потрібного складу сплавленням бінарних сполук у вакуумованій і запаяній в кварцовій ампулі в печі шахтного типу, проведенням кристалізації та відпалу з...

Номер патенту: 113185

Опубліковано: 26.12.2016

Автори: Фочук Петро Михайлович, Колісник Михайло Георгійович, Демчина Любомир Андрійович, Будзуляк Сергій Іванович, Дремлюженко Сергій Григорович, Мисевич Ігор Захарович, Захарук Зінаїда Іванівна, Єрмаков Валерій Миколайович, Раренко Іларій Михайлович, Вахняк Надія Дмитрівна, Корбутяк Дмитро Васильович

МПК: C30B 1/00, C30B 13/02, C30B 13/10 ...

Мітки: спосіб, cdxzn1-xte, cdxmn1-xte, твердих, вирощування, монокристалів, розчинів

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів CdTe та його твердих розчинів CdxZn1-xTe, CdxMn1-xTe через розчин-розплав в телурі методом зонного плавлення шихти відповідного складу з кристалу-затравки відповідної сполуки в кварцовій ампулі, яку рухають через зонний нагрівник з заданим градієнтом температури зверху вниз, причому на дні кварцової ампули розташовують графітову вкладинку, а розчин-розплав CdTe або його твердий розчин CdxZn1-xTe, CdxMn1-xTe в...

Номер патенту: 110400

Опубліковано: 10.10.2016

Автори: Томашик Василь Миколайович, Копач Олег Вадимович, Іваніцька Валентина Григорівна, Фочук Петро Михайлович, Маланич Галина Петрівна

МПК: H01L 21/465, H01L 21/02

Мітки: розчинів, телуриду, обробки, кадмію, поверхні, основі, хімічної, твердих, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб хімічної обробки поверхні кадмій телуриду та твердих розчинів на його основі, що включає механічне полірування поверхні кристалів, та їх хімічне полірування рідкофазним травником, який відрізняється тим, що кристали хімічно полірують у дві стадії: спочатку здійснюють впродовж 2-3 хвилин хіміко-механічне полірування травником, виготовленим на основі 4 % -го за масою розчину йоду у метанолі (базовий розчин Б1) та етиленгліколю...

Номер патенту: 108977

Опубліковано: 10.08.2016

Автори: Фочук Петро Михайлович, Склярчук Валерій Михайлович

МПК: C30B 11/04, C30B 11/12, C30B 11/00 ...

Мітки: виготовлення, спосіб, випромінювання, іонізуючого, детектора

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення детектора іонізуючого випромінювання з випрямляючим контактом, який створює в напівізолюючих напівпровідниках CdTe, Cd1-xZnxTe, Cd1-xMnxTe збіднену область, яка при відсутності зворотної напруги рівна "W(0)", товщину якої можна розрахувати по відомих методиках, який відрізняється тим, що напівпровідниковий кристал виготовляють товщиною "d", яка рівна або менша

Номер патенту: 108960

Опубліковано: 10.08.2016

Автори: Махній Віктор Петрович, Фочук Петро Михайлович, Склярчук Валерій Михайлович

МПК: C01G 15/00

Мітки: спосіб, отримання, галію, поруватих, шарів, арсеніду

Формула / Реферат:

Спосіб отримання поруватих шарів арсеніду галію, що включає механічне полірування підкладинки та її хімічне травлення, який відрізняється тим, що травлення проводять у розплаві KОН:NaNO3 (y масовому співвідношенні 1:25, відповідно) при температурі 500-700 °C протягом 20-40 хвилин.

Номер патенту: 99181

Опубліковано: 25.05.2015

Автори: Колісник Михайло Григорович, Захарук Зінаїда Іванівна, Раренко Іларій Михайлович, Копач Олег Вадимович, Фочук Петро Михайлович

МПК: C30B 11/00

Мітки: злитків, усунення, періодичної, включень, телуридів, фазі, іі-v, основі, другої, підгрупи, спосіб, системі

Формула / Реферат:

Спосіб усунення включень другої фази зі злитків на основі телуридів ІІ-В підгрупи Періодичної системи, що включає відпал вирощеного злитка в вакуумованій запаяній кварцовій ампулі, який відрізняється тим, що термообробку проводять для усього злитка шляхом повільного проходження вузької гарячої зони вздовж нього при температурі зони, вищій за температуру топлення телуру, із швидкістю, меншою ніж 10 мм/год., після чого піч програмовано...

Номер патенту: 92343

Опубліковано: 11.08.2014

Автори: Склярчук Валерій Михайлович, Фочук Петро Михайлович

МПК: C30B 11/04, C30B 11/12, C30B 11/00 ...

Мітки: напівізолюючих, матеріалах, іонізуючого, cd1-xznxte, виготовлення, детектора, спосіб, випромінювання, cd1-xmnxte

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення детектора іонізуючого випромінювання на основі напівізолюючих матеріалів CdTe та Cd1-xZnxTe (Cd1-xMnxTe) з питомим опором р³107 Ом×см, що включає створення двох контактів до напівпровідника, який відрізняється тим, що обидва контакти виготовляють випрямляючими.

Номер патенту: 87411

Опубліковано: 10.02.2014

Автори: Фочук Петро Михайлович, Склярчук Валерій Михайлович

МПК: C30B 11/00, C30B 11/12, C30B 11/04 ...

Мітки: заряду, розчинів, матеріалах, визначення, твердих, напівізолюючих, основі, спосіб, параметрів, переносу

Формула / Реферат:

1. Спосіб визначення параметрів переносу заряду в напівізолюючих матеріалах на основі CdTe та його твердих розчинів, що включає створення двох омічних контактів до напівпровідника відомої товщини (d) та визначення добутку рухливості вільних носіїв заряду (m) на час їх життя (t) - mt, який відрізняється тим, що вимірюють вольт-амперну характеристику зразка (ВАХ), причому діапазон напруг вибирають таким, щоб спостерігались дві ділянки ВАХ -...

Номер патенту: 79780

Опубліковано: 25.04.2013

Автори: Панчук Олег Ельпідефорович, Фочук Петро Михайлович, Наконечний Ігор Йосипович, Копач Олег Вадимович, Вержак Євгенія Васлівна

МПК: C30B 11/04, C30B 11/12, C30B 11/00 ...

Мітки: спосіб, кристалів, фазі, усунення, основі, включень, другої

Формула / Реферат:

Спосіб усунення включень другої фази з кристалів на основі CdTe, що включає термообробку зразка в парі кадмію в вакуумованій запаяній кварцовій ампулі, який відрізняється тим, що термообробку проводять при температурі зразка 1100 К і джерела пари кадмію 1070 К протягом 2 годин з наступним програмованим охолодженням зі швидкістю 5 К/хвилина.

Номер патенту: 75649

Опубліковано: 10.12.2012

Автори: Фочук Петро Михайлович, Касіянчук Михайло Васильович

МПК: A61C 8/00, A61C 13/30

Мітки: дентальної, пластики, окістя, імплантації, динамічного, кісткової, тиску, визначення, процесі, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб визначення динамічного тиску на окістя, що включає визначення динамічного тиску на кісткові структури в процесі дентальної імплантації, який відрізняється тим, що визначення динамічного тиску на кісткову тканину здійснюють диференційовано, додатково застосовують тензорезистор, виготовлений на основі монокристала кремнію, мембраною є титанова пластина, виконана у формі конусної шайби, яку розміщують на прилеглій поверхні платформи...

Номер патенту: 75268

Опубліковано: 26.11.2012

Автори: Касіянчук Михайло Васильович, Касіянчук Юрій Михайлович, Пшенічка Пауль Францович, Фочук Петро Михайлович

МПК: G01N 27/00, G01B 7/00

Мітки: кістковий, втручаннях, тиску, оперативних, визначення, динамічного, тензометр, тканини, окістя

Формула / Реферат:

Тензометр для визначення динамічного тиску на окістя при оперативних втручаннях на кістковій тканині шляхом вимірювання опору поверхні імплантата, який відрізняється тим, що тензорезистор, виготовлений на основі монокристалу кремнію, містить титанову мембрану у формі конусної шайби, що дозволяє визначати динамічний тиск локально в цільовій зоні.

Номер патенту: 66476

Опубліковано: 10.01.2012

Автори: Копач Олег Вадимович, Феш Роман Миколайович, Фочук Петро Михайлович, Гешл Павел

МПК: C30B 11/00

Мітки: спосіб, леткого, компоненту, ростовій, тиску, ампулі, вимірювання

Формула / Реферат:

Спосіб вимірювання тиску леткого компоненту в ростовій скляній ампулі при вирощуванні монокристалів методом Бріджмена, що включає завантаження ампули наважкою, розміщення ампули в ростовій печі та вирощування, який відрізняється тим, що ампулу поміщають під ковпак-компенсатор в ростову піч в область високотемпературного плато печі, нагрівають її до температури на 20-50 К вище температури плавлення сполуки, після цього змінюють ступінчасто...

Номер патенту: 65585

Опубліковано: 12.12.2011

Автори: Копач Олег Вадимович, Феш Роман Миколайович, Гешл Павел, Фочук Петро Михайлович

МПК: C30B 13/14, H01L 21/18

Мітки: пристрій, контрольованим, вирощування, монокристалів, стехіометрії, відхиленням

Формула / Реферат:

1. Пристрій для вирощування монокристалів з контрольованим відхиленням від стехіометрії, що включає двозонну ростову піч опору з розміщеною в ній запаяною скляною ампулою росту з наважками компонентів, який відрізняється тим, що пристрій містить герметичний автоклав з можливістю регулювання тиску газу, в якому розміщено піч, в нижній частині якої знаходиться п'єдестал з розміщеною на ньому ампулою росту та компенсаційний ковпак, нижньою...