C30B 11/12 — пароподібні компоненти, наприклад вирощування в системі пар – рідина – тверда речовина

Номер патенту: 108977

Опубліковано: 10.08.2016

Автори: Фочук Петро Михайлович, Склярчук Валерій Михайлович

МПК: C30B 11/12, C30B 11/00, C30B 11/04 ...

Мітки: іонізуючого, виготовлення, випромінювання, детектора, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення детектора іонізуючого випромінювання з випрямляючим контактом, який створює в напівізолюючих напівпровідниках CdTe, Cd1-xZnxTe, Cd1-xMnxTe збіднену область, яка при відсутності зворотної напруги рівна "W(0)", товщину якої можна розрахувати по відомих методиках, який відрізняється тим, що напівпровідниковий кристал виготовляють товщиною "d", яка рівна або менша

Номер патенту: 92343

Опубліковано: 11.08.2014

Автори: Фочук Петро Михайлович, Склярчук Валерій Михайлович

МПК: C30B 11/00, C30B 11/12, C30B 11/04 ...

Мітки: матеріалах, іонізуючого, напівізолюючих, cd1-xznxte, cd1-xmnxte, детектора, виготовлення, випромінювання, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення детектора іонізуючого випромінювання на основі напівізолюючих матеріалів CdTe та Cd1-xZnxTe (Cd1-xMnxTe) з питомим опором р³107 Ом×см, що включає створення двох контактів до напівпровідника, який відрізняється тим, що обидва контакти виготовляють випрямляючими.

Номер патенту: 87411

Опубліковано: 10.02.2014

Автори: Фочук Петро Михайлович, Склярчук Валерій Михайлович

МПК: C30B 11/12, C30B 11/00, C30B 11/04 ...

Мітки: визначення, спосіб, параметрів, основі, напівізолюючих, матеріалах, твердих, розчинів, заряду, переносу

Формула / Реферат:

1. Спосіб визначення параметрів переносу заряду в напівізолюючих матеріалах на основі CdTe та його твердих розчинів, що включає створення двох омічних контактів до напівпровідника відомої товщини (d) та визначення добутку рухливості вільних носіїв заряду (m) на час їх життя (t) - mt, який відрізняється тим, що вимірюють вольт-амперну характеристику зразка (ВАХ), причому діапазон напруг вибирають таким, щоб спостерігались дві ділянки ВАХ -...

Номер патенту: 79780

Опубліковано: 25.04.2013

Автори: Копач Олег Вадимович, Панчук Олег Ельпідефорович, Вержак Євгенія Васлівна, Фочук Петро Михайлович, Наконечний Ігор Йосипович

МПК: C30B 11/12, C30B 11/00, C30B 11/04 ...

Мітки: усунення, спосіб, другої, включень, кристалів, основі, фазі

Формула / Реферат:

Спосіб усунення включень другої фази з кристалів на основі CdTe, що включає термообробку зразка в парі кадмію в вакуумованій запаяній кварцовій ампулі, який відрізняється тим, що термообробку проводять при температурі зразка 1100 К і джерела пари кадмію 1070 К протягом 2 годин з наступним програмованим охолодженням зі швидкістю 5 К/хвилина.