Копач Олег Вадимович
Спосіб хімічної обробки поверхні кадмію телуриду та твердих розчинів на його основі
Номер патенту: 110400
Опубліковано: 10.10.2016
Автори: Фочук Петро Михайлович, Копач Олег Вадимович, Томашик Василь Миколайович, Маланич Галина Петрівна, Іваніцька Валентина Григорівна
МПК: H01L 21/02, H01L 21/465
Мітки: твердих, розчинів, обробки, основі, хімічної, поверхні, спосіб, телуриду, кадмію
Формула / Реферат:
Спосіб хімічної обробки поверхні кадмій телуриду та твердих розчинів на його основі, що включає механічне полірування поверхні кристалів, та їх хімічне полірування рідкофазним травником, який відрізняється тим, що кристали хімічно полірують у дві стадії: спочатку здійснюють впродовж 2-3 хвилин хіміко-механічне полірування травником, виготовленим на основі 4 % -го за масою розчину йоду у метанолі (базовий розчин Б1) та етиленгліколю...
Спосіб усунення включень другої фази зі злитків на основі телуридів іі-в підгрупи періодичної системи
Номер патенту: 99181
Опубліковано: 25.05.2015
Автори: Фочук Петро Михайлович, Захарук Зінаїда Іванівна, Копач Олег Вадимович, Раренко Іларій Михайлович, Колісник Михайло Григорович
МПК: C30B 11/00
Мітки: фазі, періодичної, спосіб, другої, підгрупи, включень, системі, основі, усунення, телуридів, іі-v, злитків
Формула / Реферат:
Спосіб усунення включень другої фази зі злитків на основі телуридів ІІ-В підгрупи Періодичної системи, що включає відпал вирощеного злитка в вакуумованій запаяній кварцовій ампулі, який відрізняється тим, що термообробку проводять для усього злитка шляхом повільного проходження вузької гарячої зони вздовж нього при температурі зони, вищій за температуру топлення телуру, із швидкістю, меншою ніж 10 мм/год., після чого піч програмовано...
Спосіб усунення включень другої фази з кристалів на основі cdte
Номер патенту: 79780
Опубліковано: 25.04.2013
Автори: Копач Олег Вадимович, Панчук Олег Ельпідефорович, Вержак Євгенія Васлівна, Фочук Петро Михайлович, Наконечний Ігор Йосипович
МПК: C30B 11/04, C30B 11/12, C30B 11/00 ...
Мітки: кристалів, другої, фазі, спосіб, основі, включень, усунення
Формула / Реферат:
Спосіб усунення включень другої фази з кристалів на основі CdTe, що включає термообробку зразка в парі кадмію в вакуумованій запаяній кварцовій ампулі, який відрізняється тим, що термообробку проводять при температурі зразка 1100 К і джерела пари кадмію 1070 К протягом 2 годин з наступним програмованим охолодженням зі швидкістю 5 К/хвилина.
Спосіб вимірювання тиску леткого компоненту в ростовій ампулі
Номер патенту: 66476
Опубліковано: 10.01.2012
Автори: Копач Олег Вадимович, Феш Роман Миколайович, Гешл Павел, Фочук Петро Михайлович
МПК: C30B 11/00
Мітки: ростовій, спосіб, компоненту, леткого, тиску, вимірювання, ампулі
Формула / Реферат:
Спосіб вимірювання тиску леткого компоненту в ростовій скляній ампулі при вирощуванні монокристалів методом Бріджмена, що включає завантаження ампули наважкою, розміщення ампули в ростовій печі та вирощування, який відрізняється тим, що ампулу поміщають під ковпак-компенсатор в ростову піч в область високотемпературного плато печі, нагрівають її до температури на 20-50 К вище температури плавлення сполуки, після цього змінюють ступінчасто...
Пристрій для вирощування монокристалів з контрольованим відхиленням від стехіометрії
Номер патенту: 65585
Опубліковано: 12.12.2011
Автори: Гешл Павел, Копач Олег Вадимович, Феш Роман Миколайович, Фочук Петро Михайлович
МПК: C30B 13/14, H01L 21/18
Мітки: відхиленням, вирощування, стехіометрії, монокристалів, контрольованим, пристрій
Формула / Реферат:
1. Пристрій для вирощування монокристалів з контрольованим відхиленням від стехіометрії, що включає двозонну ростову піч опору з розміщеною в ній запаяною скляною ампулою росту з наважками компонентів, який відрізняється тим, що пристрій містить герметичний автоклав з можливістю регулювання тиску газу, в якому розміщено піч, в нижній частині якої знаходиться п'єдестал з розміщеною на ньому ампулою росту та компенсаційний ковпак, нижньою...