Вержак Євгенія Васлівна
Спосіб усунення включень другої фази з кристалів на основі cdte
Номер патенту: 79780
Опубліковано: 25.04.2013
Автори: Копач Олег Вадимович, Панчук Олег Ельпідефорович, Наконечний Ігор Йосипович, Фочук Петро Михайлович, Вержак Євгенія Васлівна
МПК: C30B 11/00, C30B 11/04, C30B 11/12 ...
Мітки: спосіб, другої, фазі, кристалів, усунення, включень, основі
Формула / Реферат:
Спосіб усунення включень другої фази з кристалів на основі CdTe, що включає термообробку зразка в парі кадмію в вакуумованій запаяній кварцовій ампулі, який відрізняється тим, що термообробку проводять при температурі зразка 1100 К і джерела пари кадмію 1070 К протягом 2 годин з наступним програмованим охолодженням зі швидкістю 5 К/хвилина.