Парфенюк Орест Архипович

Номер патенту: 48261

Опубліковано: 10.03.2010

Автори: Ілащук Марія Іванівна, Ульяницький Костянтин Сергійович, Парфенюк Орест Архипович

МПК: C30B 29/00

Мітки: основі, матеріалу, фотоперетворювачів, спосіб, отримання, напівпровідникового, кристалічного

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання кристалічного напівпровідникового матеріалу для фотоперетворювачів на основі CdTe, що включає підготовку вихідних компонентів Cd і Те, їх синтез та вирощування матеріалу методом кристалізації із розплаву, який відрізняється тим, що при підготовці вихідних компонентів Cd і Те до них додають компоненту Mg у кількості, необхідній для утворення під час синтезу твердого розчину Cd1-xMgxТе.2. Спосіб за п. 1, який...