Ульяницький Костянтин Сергійович

Номер патенту: 116033

Опубліковано: 10.05.2017

Автори: Мостовий Андрій Ігорович, Брус Віктор Васильович, Мар'янчук Павло Дмитрович, Солован Михайло Миколайович, Ульяницький Костянтин Сергійович

МПК: H01L 31/07, H01L 31/073, H01L 31/072 ...

Мітки: гетероструктурі, фотодіод, основі

Формула / Реферат:

Фотодіод на основі гетероструктури ΜοΟx/n-CdTe, одним з компонентів якого є поглинач оптичного випромінювання n-CdTe, а другим - нанесена на нього плівка і омічні контакти до них, який відрізняється тим, що другим компонентом є плівка МоОх, нанесена методом реактивного магнетронного розпилення, а фронтальним контактом є прошарок молібдену, напилений на плівку МоОх.

Номер патенту: 92086

Опубліковано: 25.07.2014

Автори: Брус Віктор Васильович, Солован Михайло Миколайович, Мар'янчук Павло Дмитрович, Ульяницький Костянтин Сергійович, Ілащук Марія Іванівна

МПК: H01L 33/00

Мітки: фотоприймач

Формула / Реферат:

Фотоприймач n-TiN / p-CdTe, який містить поглинач оптичного випромінювання з p-CdTe та нанесену на поглинач плівку і омічні контакти до них, який відрізняється тим, що поглинач оптичного випромінювання виконаний у вигляді свіжотравленої монокристалічної підкладки p-CdTe, на яку нанесена плівка n-TiN, що має щільну структуру.

Номер патенту: 65584

Опубліковано: 12.12.2011

Автори: Мельник Володимир Васильович, Ульяницький Костянтин Сергійович, Махній Віктор Петрович

МПК: H01L 21/00, H01L 31/00

Мітки: кадмію, модифікації, кубічної, спосіб, селеніду, виготовлення, гетерошарів

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення гетерошарів селеніду кадмію кубічної модифікації, що включає підготовку базових підкладинок селеніду цинку та їх відпал у парі кадмію, який відрізняється тим, що відпал підкладинок проводять при температурі 800 ± 10 °С.

Номер патенту: 62625

Опубліковано: 12.09.2011

Автори: Ковалюк Захар Дмитрович, Ілащук Марія Іванівна, Брус Віктор Васильович, Мар'янчук Павло Дмитрович, Ульяницький Костянтин Сергійович

МПК: H01L 33/00

Мітки: елемент, сонячний

Формула / Реферат:

1. Сонячний елемент на основі анізотипної гетероструктури n-TiO2/p-CdTe, який містить поглинач сонячного випромінювання та нанесену на поглинач плівку n-ТіО2, який відрізняється тим, що поглинач сонячного випромінювання виконаний у вигляді сколотої монокристалічної підкладки p-CdTe, а нанесена на підкладку плівка n-ТіО2 має щільну структуру.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що фронтальний контакт сонячного елемента виконаний...

Номер патенту: 56872

Опубліковано: 25.01.2011

Автори: Махній Віктор Петрович, Скрипник Микола Володимирович, Ульяницький Костянтин Сергійович

МПК: H01L 21/00, C30B 25/00, C30B 31/00 ...

Мітки: електронною, провідністю, отримання, телуриду, цинку, спосіб, шарів

Формула / Реферат:

Спосіб отримання шарів телуриду цинку з електронною провідністю, що включає механічну і хімічну обробку підкладинок ZnTe та їх легування, який відрізняється тим, що легування проводять шляхом відпалу підкладинок у насиченій парі олова при температурі 950±50 °С.

Номер патенту: 48261

Опубліковано: 10.03.2010

Автори: Ілащук Марія Іванівна, Парфенюк Орест Архипович, Ульяницький Костянтин Сергійович

МПК: C30B 29/00

Мітки: матеріалу, спосіб, напівпровідникового, фотоперетворювачів, кристалічного, основі, отримання

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання кристалічного напівпровідникового матеріалу для фотоперетворювачів на основі CdTe, що включає підготовку вихідних компонентів Cd і Те, їх синтез та вирощування матеріалу методом кристалізації із розплаву, який відрізняється тим, що при підготовці вихідних компонентів Cd і Те до них додають компоненту Mg у кількості, необхідній для утворення під час синтезу твердого розчину Cd1-xMgxТе.2. Спосіб за п. 1, який...

Номер патенту: 46928

Опубліковано: 11.01.2010

Автори: Махній Віктор Петрович, Кінзерська Оксана Володимирівна, Ульяницький Костянтин Сергійович

МПК: C30B 31/00

Мітки: спосіб, перехідних, домішками, легування, металів, цинку, селеніду

Формула / Реферат:

Спосіб легування селеніду цинку домішками перехідних металів, що включає підготовку базових підкладинок ZnSe та їх відпал у запаяній ампулі з перехідним металом, який відрізняється тим, що відпал проводять при температурі 1473±5 К у вакуумованій до 10-4 Торр кварцовій ампулі, в одній частині якої знаходиться підкладинка, а в протилежній частині, покритій шаром пірографіту, - елементарний Se та подрібнений перехідний метал з ряду Ті, V, Cr,...