C30B 29/00 — Монокристали або гомогенний полікристалічний матеріал з певною структурою, що відрізняються матеріалом або формою

Номер патенту: 115688

Опубліковано: 11.12.2017

Автори: Сухоставець Володимир Маркович, Тіщенко Ігор Юрійович

МПК: C30B 29/00, C30B 33/04

Мітки: пластин, кремнієвих, спосіб, виготовлення

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення кремнієвих пластин, що включає розрізання з припуском квадратованого чи псевдоквадратованого зливка монокристалічного чи мультикристалічного кремнію на пластини з припуском та видалення припуску з торцевих поверхонь пластини шляхом обробки за допомогою високоенергетичного вузьконаправленого газового потоку, який відрізняється тим, що при видаленні припуску одночасно на торцевій поверхні формують фаску, при цьому...

Номер патенту: 120592

Опубліковано: 10.11.2017

Автори: Шикоряк Йосип Андрійович, Сідлецький Олег Цезаревич, Федоров Олександр Григорович, Архіпов Павло Васильович, Зоренко Юрій Володимирович, Павлик Богдан Васильович, Возняк Тарас Іванович, Гриньов Борис Вікторович, Герасимов Ярослав Віталійович, Зоренко Тетяна Євгенівна, Ткаченко Сергій Анатолійович, Горбенко Віталій Іванович

МПК: G01T 1/20, C09K 11/00, C30B 29/00 ...

Мітки: комбінований, сцинтилятор, іонізуючих, реєстрації, випромінювань

Формула / Реферат:

Комбінований сцинтилятор для реєстрації іонізуючих випромінювань, що містить монокристалічну підкладку товщиною 4-5 мм, виконану з монокристалу Lu3Al5O12:Sc з концентрацією скандію 1,2 ат.%, та нанесену на неї монокристалічну плівку товщиною 12-20 мкм, який відрізняється тим, що монокристалічна плівка виконана з гранату Lu3Al5O12:Pr з концентрацією празеодиму 0,03-0,05 ат.%.

Номер патенту: 114902

Опубліковано: 27.03.2017

Автори: Каніщев Василь Миколайович, Гринь Леонід Олексійович, Вовк Олена Олександрівна, Будніков Олександр Тимофійович, Кривоногов Сергій Іванович

МПК: C30B 29/00, B65H 9/00

Мітки: спосіб, зокрема, кріплення, кристалічних, пластинчатих, заготовок, корунду

Формула / Реферат:

Спосіб кріплення пластинчастих кристалічних заготовок, зокрема корунду, що включає підготовку пластинчастої кристалічної заготовки механічною обробкою поверхні, закріплення заготовки обробленою поверхнею на металевій планшайбі приклеюванням смоляною композицією, який відрізняється тим, що між кристалічною заготовкою і планшайбою додатково розміщують буферну пластину у формі планшайби, виконану з матеріалу, ідентичного матеріалу заготовки,...

Номер патенту: 107650

Опубліковано: 24.06.2016

Автори: Колесніков Олександр Володимирович, Архіпов Павло Васильович, Романчук Вікторія Володимирівна, Галенін Євгеній Петрович

МПК: C30B 29/00, C30B 11/00

Мітки: пристрій, монокристалів, ампулі, вирощування, розплаву

Формула / Реферат:

Пристрій для вирощування монокристалів з розплаву в ампулі, що містить двозонну вертикальну піч, що має дві камери з нагрівачами, кільцеву діафрагму, ампулу з речовиною, що кристалізується, у вигляді циліндра з конічним дном, механізм переміщення ампули у вертикальному напрямку, термопари, які встановлено на нагрівачах зазначених камер, регулятори зворотного зв'язку по температурі верхнього та нижнього нагрівачів, що підключені до...

Номер патенту: 110017

Опубліковано: 10.11.2015

Автор: Мізрахі Йозеф

МПК: B01D 9/00, C30B 29/00

Мітки: спосіб, кристалів, одержання, пристрій

Формула / Реферат:

1. Реакційно-кристалізаційний пристрій для проведення реакції і (або) екстрагування розчинником і (або) кристалізації розчинних солей, при цьому пристрій включає:• верхню секцію, яка має верхню частину і декантор, при цьому декантор включає:§  вертикальну ємність, оснащену горизонтальним зливом у верхній частині верхньої секції;§  випускний отвір у верхній частині верхньої секції для відведення легкої фази у...

Номер патенту: 109196

Опубліковано: 27.07.2015

Автори: Колесніков Олександр Володимирович, Сулаєв Михайло Іванович, Гектін Олександр Вульфович, Таранюк Володимир Іванович, Ляхов Віктор Васильович

МПК: C30B 11/00, C30B 29/00

Мітки: площі, реалізації, пристрій, полікристалічних, спосіб, великої, отримання, пластин

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання полікристалічних пластин великої площі, що включає завантаження початкової сировини в контейнер, який розташовують у охолоджуваній вакуумній камері, плавлення сировини з утворенням розплаву в гарнісажі омічним нагрівачем, який розташовано над контейнером паралельно поверхні розплаву, при цьому площа вказаного нагрівача менше площі контейнера, що забезпечує формування гарнісажного шару біля його стінок завтовшки 5-10 мм,...

Номер патенту: 108798

Опубліковано: 10.06.2015

Автори: Гектін Олександр Вульфович, Таранюк Володимир Іванович, Колесніков Олександр Володимирович

МПК: C30B 11/00, C30B 29/00

Мітки: пластин, одержання, великої, площі, кристалічних, кристалів, спосіб, зокрема

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання кристалів, зокрема кристалічних пластин великої площі, що включає завантаження початкової сировини в контейнер, який розташовують у охолоджуваній вакуумній камері, плавлення сировини з утворенням розплаву в гарнісажі омічним нагрівачем, який розташовують над контейнером паралельно поверхні розплаву, при цьому площа вказаного нагрівача менше площі контейнера, який забезпечує гарнісажний шар біля його стінок завтовшки 5-10...

Номер патенту: 63926

Опубліковано: 25.10.2011

Автори: Ховерко Юрій Миколайович, Дружинін Анатолій Олександрович, Островський Ігор Петрович, Нічкало Степан Ігорович

МПК: H01L 21/00, C30B 29/00

Мітки: одержання, нанокристалів, кремнію, масивів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання масивів нанокристалів кремнію, який включає осадження на напівпровідникову кремнієву підкладку р-типу провідності шару плівки золота, вирощування за механізмом пара-рідина-кристал нанокристалів кремнію, який відрізняється тим, що перед вирощуванням нанокристалів кремнію додатково здійснюють термічний відпал напівпровідникової кремнієвої підкладки.

Номер патенту: 94699

Опубліковано: 10.06.2011

Автори: Марончук Ігор Ігорович, Марончук Ігор Євгенович, Кулюткіна Тамара Фатихівна

МПК: H01L 21/20, C30B 29/00, C30B 19/00 ...

Мітки: епітаксійних, наногетероструктур, масивами, квантових, спосіб, вирощування, точок

Формула / Реферат:

1. Спосіб вирощування епітаксійних наногетероструктур з масивами квантових точок, що включає нагрів до температури  монокристалічної підкладки і насичених розчинів заданого складу, приведення лицевої поверхні підкладки в контакт з розчином для вирощування квантових точок, а тильної поверхні підкладки - в контакт з теплопоглиначем, що має температуру

Номер патенту: 94671

Опубліковано: 25.05.2011

Автори: Солонін Юрій Михайлович, Силенко Петро Митрофанович, Шлапак Анатолій Миколайович, Рагуля Андрій Володимирович

МПК: C01B 35/00, C30B 29/00

Мітки: мікро, тів2, спосіб, виготовлення, нановолокон

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення мікро- та нановолокон ТіВ2 методом хімічного газофазного осадження із трихлориду бору та тетрахлориду титану в середовищі водню та аргону з застосуванням металевого каталізатора, який відрізняється тим, що як каталізатор використовують пластинку із Ст.3, а реакцію утворення мікро- та нановолокон ТіВ2 проводять в температурному діапазоні 1000-1300 °С протягом 30-60 хвилин в проточному реакторі, де трихлорид бору утворюють...

Номер патенту: 56653

Опубліковано: 25.01.2011

Автори: Маник Тетяна Орестівна, Маник Орест Миколайович, Ащеулов Анатолій Анатолійович

МПК: C30B 29/00, C30B 11/00

Мітки: процес, отримання, оптичного, основі, матеріалу

Формула / Реферат:

Процес отримання оптичного матеріалу на основі ZnSb, який включає етапи завантаження наважки, її синтезу, горизонтальної зонної перекристалізації та відпалу з подальшим контролем його параметрів, який відрізняється тим, що на етапі горизонтальної зонної перекристалізації температуру розплаву зони підтримують на рівні Т1=820±0,5 К, а відпал закристалізованого злитка проводять при температурі Т2=810±0,5 К протягом двох годин.

Номер патенту: 92392

Опубліковано: 25.10.2010

Автори: Шевчук Андрій Леонідович, Черпак Юрій Володимирович, Позігун Сергій Анатолійович, Марченко Степан Анатолійович, Онищенко Володимир Євгенович, Берінгов Сергій Борисович, Шкульков Анатолій Васілієвіч

МПК: B22D 11/00, C30B 11/00, B22D 11/08 ...

Мітки: зливків, здійснення, методом, полікристалічного, одержання, пристрій, індукційним, кремнію, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання зливків полікристалічного кремнію індукційним методом, що включає подачу і стартовий розігрів кускової шихти кремнію у контрольованій атмосфері на рухомому дні у плавильному просторі водоохолоджуваного тигля, формування ванни розплаву і наступне плавлення і лиття за формою плавильного простору, кристалізацію зливка полікристалічного кремнію і контрольоване його охолодження з використанням комплекту засобів нагріву,...

Номер патенту: 51927

Опубліковано: 10.08.2010

Автори: Шаповалов Віктор Олександрович, Якуша Володимир Вікторович, Карускевич Ольга Віталіївна, Гніздило Олександр Миколайович, Колєсніченко Володимир Іванович

МПК: F27B 14/00, C30B 15/00, C30B 29/00 ...

Мітки: тугоплавких, чохральського, вирощування, пристрій, методом, монокристалів

Формула / Реферат:

1. Пристрій для вирощування тугоплавких монокристалів методом Чохральського, що включає вакуумну камеру кристалізації, механізм витягування кристала та тигель, виконаний з тугоплавкого матеріалу (метал, сплав, хімічна сполука і т.д.), який відрізняється тим, що тигель виконаний з тугоплавкого матеріалу засобами пошарового наплавлення, який розігрівається пропусканням через нього електричного струму.2. Пристрій за п. 1, який...

Номер патенту: 90542

Опубліковано: 11.05.2010

Автор: Кисіль Іван Іванович

МПК: C30B 11/00, C30B 29/00, C01G 25/00 ...

Мітки: зокрема, одержання, пластин, кристалів, великої, площі, кристалічних, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання кристалів, зокрема кристалічних пластин великої площі, що включає завантаження початкової сировини в контейнер, її плавлення з утворенням розплаву в гарнісажі, подальшу направлену кристалізацію розплаву і охолоджування одержаного кристала, який відрізняється тим, що контейнер з сировиною розташовують у охолоджуваній вакуумній камері, плавлення сировини здійснюють омічним нагрівачем, який розташовують над контейнером...

Номер патенту: 48261

Опубліковано: 10.03.2010

Автори: Ульяницький Костянтин Сергійович, Парфенюк Орест Архипович, Ілащук Марія Іванівна

МПК: C30B 29/00

Мітки: матеріалу, основі, отримання, фотоперетворювачів, спосіб, напівпровідникового, кристалічного

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання кристалічного напівпровідникового матеріалу для фотоперетворювачів на основі CdTe, що включає підготовку вихідних компонентів Cd і Те, їх синтез та вирощування матеріалу методом кристалізації із розплаву, який відрізняється тим, що при підготовці вихідних компонентів Cd і Те до них додають компоненту Mg у кількості, необхідній для утворення під час синтезу твердого розчину Cd1-xMgxТе.2. Спосіб за п. 1, який...

Номер патенту: 44907

Опубліковано: 26.10.2009

Автори: Берінгов Сергій Борисович, Сухоставець Володимир Маркович

МПК: C30B 29/00, C30B 33/00

Мітки: сонячних, елементів, пластина, кремнієва

Формула / Реферат:

1. Кремнієва пластина для сонячних елементів, що має планарні та торцеву поверхні, яка відрізняється тим, що має товщину 160 мкм і нижче, а торцева поверхня за периметром утворена лазерним різанням.2. Кремнієва пластина за п. 1, яка відрізняється тим, що отримана зі зливка монокристалічного кремнію псевдоквадратної форми в горизонтальному перерізі, що має припуск перед різанням на пластини.3. Кремнієва пластина за п. 1, яка...

Номер патенту: 88517

Опубліковано: 26.10.2009

Автори: Загоруйко Юрій Анатолійович, Федоренко Ольга Олександрівна, Коваленко Назар Олегович

МПК: G02F 1/35, C30B 29/00, C30B 11/00 ...

Мітки: монокристалічний, твердого, матеріал, розчину, zn1-xmgxse, основі

Формула / Реферат:

Монокристалічний матеріал на основі твердого розчину Zn1-xMgxSe для нелінійних перетворювачів випромінювання середнього ІЧ діапазону, який відрізняється тим, що вміст магнію в ньому складає 0,13<х<0,6.

Номер патенту: 87331

Опубліковано: 10.07.2009

Автори: Трубаєва Ольга Геннадіївна, Старжинський Микола Григорович, Гальчинецький Леонід Павлович, Катрунов Костянтин Олексійович, Рижиков Володимир Діомидович, Сілін Віталій Іванович, Гриньов Борис Вікторович, Лалаянц Олександр Іванович

МПК: C01G 9/00, C30B 33/02, C01B 19/00, C30B 29/00 ...

Мітки: кристалів, цинку, селеніду, спосіб, термообробки, активованих

Формула / Реферат:

Спосіб термообробки активованих кристалів селеніду цинку, що включає відпал кристалів у насиченій парі цинку при температурі 950-1000 °С протягом 24-48 годин з подальшим двостадійним охолодженням спочатку до температури 600±10 °С зі швидкістю 100±10 °С/хв., потім до кімнатної температури зі швидкістю 2-3 °С/хв., який відрізняється тим, що додатково здійснюють попередній відпал кристалів у проточній нейтральній атмосфері при температурі...

Номер патенту: 41486

Опубліковано: 25.05.2009

Автор: Кожемякін Геннадій Миколайович

МПК: C30B 15/00, C30B 29/00

Мітки: вирощування, галій-індій-сурма, твердих, кристалів, спосіб, розчинів

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування кристалів твердих розчинів галій-індій-сурма (GaxIn1-xSb), який полягає в тому, що витягування кристала із розплаву здійснюють шляхом використання затравочного монокристала заданого складу, який відрізняється тим, що застосовують затравочний монокристал GaxIn1-xSb зі складом, котрий може відрізнятись від складу вирощуваного кристала менше або більше на х=0,01.

Номер патенту: 85783

Опубліковано: 25.02.2009

Автори: Ліщук Віталій Євгенович, Берінгов Сергій Борисович, Задніпрянний Денис Львович

МПК: C30B 15/20, C30B 15/00, C30B 15/10 ...

Мітки: розплаву, утриманням, кристалу, тиглі, спосіб, вирощування

Формула / Реферат:

1. Спосіб вирощування кристалу з утриманням розплаву у тиглі, що включає прикладання напруги між зовнішньою та внутрішньою поверхнею тигля, який відрізняється тим, що як тигель використовують кварцовий тигель, як розплав - розплав кремнію, причому до внутрішньої стінки тигля прикладають негативну полярність напруги.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що напругу прикладають між розплавом та зовнішньою поверхнею тигля, наприклад...

Номер патенту: 38628

Опубліковано: 12.01.2009

Автори: Шутов Станіслав Вікторович, Баганов Євген Олександрович, Саріков Андрій Вікторович

МПК: H01L 21/02, C30B 29/00, C30B 19/00 ...

Мітки: гетероепітаксійного, спосіб, сполук, шарів, багатокомпонентних, напівпровідникових, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб гетероепітаксійного вирощування шарів напівпровідникових багатокомпонентних сполук, що включає первісну хімічну підготовку підкладки, нанесення на планарну поверхню захисного маскуючого шару Si3N4 або SiO2, формування за допомогою фотолітографії і хімічного або плазмохімічного травлення вікон у захисному маскуючому шарі, який відрізняється тим, що після формування вікон у захисному шарі проводять формування поруватого шару у вікнах за...

Номер патенту: 38627

Опубліковано: 12.01.2009

Автори: Буряченко Володимир Іванович, Хлопенова Ірина Анатоліївна, Стогній Дмитро Васильович, Шутов Станіслав Вікторович

МПК: C30B 19/00, C30B 29/00, H01L 21/02 ...

Мітки: сполук, спосіб, шарів, напівпровідникових, гетероепітаксійних, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання гетероепітаксійних шарів напівпровідникових сполук, що включає формування мезаструктур на підкладці фотолітографією, травленням та гетероепітаксійне вирощування, який відрізняється тим, що мезаструктурам надають призматичної або пірамідальної форми, а гетероепітаксійне вирощування шару з відмінним значенням постійної ґратки виконують в один етап.

Номер патенту: 80781

Опубліковано: 25.10.2007

Автори: Естрела-Льопис Вікторіо Рафаелійович, Бородінова Тетяна Іванівна, Юркова Ірина Миколаївна

МПК: C30B 29/00, C30B 7/00

Мітки: металу, монокристалів, спосіб, солі, одержання, благородного, мікророзмірів, нано

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання монокристалів благородного металу або його солі нано- і/або мікророзмірів хімічним відновленням іонів цього металу із водного розчину сполуки металу, який відрізняється тим, що як відновник використовують аніонний поліелектроліт і процес проводять при концентрації іонів металу 0,1-5 мг-іон/дм3 і концентрації поліелектроліту 5-350 мг/дм3. 2. Спосіб за п.1, який відрізняється тим, що процес проводять при температурі...

Номер патенту: 70408

Опубліковано: 15.10.2004

Автори: Берінгов Сергій Борисович, Скобаро Андрій Олексійович, Сухоставець Володимир Маркович

МПК: C30B 29/00, C30B 29/06, H01L 21/304 ...

Мітки: одержання, сонячних, пластин, кремнію, мультикристалічного, спосіб, елементів

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання пластин для сонячних елементів з мультикристалічного кремнію, що включає різання на брикети злитка, отриманого з розплаву кремнію методом спрямованої уздовж вертикальної осі кристалізації, і різання брикетів на пластини, який відрізняється тим, що різання злитка на брикети проводять у площинах, паралельних і перпендикулярних вертикальній осі злитка, а різання брикету на пластини здійснюють у площині, паралельній...

Номер патенту: 43963

Опубліковано: 15.01.2002

Автори: Запухляк Руслан Ігорович, Фреїк Дмитро Михайлович, Іванишин Ірина Мирославівна, Галущак Мар'ян Олексійович, Прокопів Володимир Васильович

МПК: C22C 1/02, C22B 4/00, C30B 29/00 ...

Мітки: сплавів, телуриду, германію, олова, основі, свинцю, спосіб, термоелектричних, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання термоелектричних сплавів на основі телуриду олова, свинцю і германію, який полягає в тому, що вихідну речовину розташовують в кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідної речовини (~1250К), а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідної речовини, ампулу з вихідною речовиною витримують у першій зоні до отримання розплаву...

Номер патенту: 25044

Опубліковано: 25.12.1998

Автори: Семиноженко Володимир Петрович, Чернишов Олександр Антонович, Ілюха Олександр Іванович, Осадчий Федір Антонович, Гордієнко Людмила Сергійовна, Онопрієнко Петро Миколайович

МПК: C30B 33/02, C30B 29/00

Мітки: виготовлення, оптичних, матеріалів, полікристалічних, пластин, сцинтиляційних, спосіб, великогабаритних

Формула / Реферат:

Способ изготовления крупногабаритных поликристаллических пластин из оптических и сцинтилляционных материалов, включающий нагрев кристаллической заготовки до температуры 0,5Tпл < T < Tпл, где Tпл - температура плавления исходного материала, термомеханическое деформирование одноосным сжатием и последующее охлаждение, до комнатной температуры, отличающийся тем, что термомеханическое деформирование одноосным сжатием осуществляют с помощью...

Номер патенту: 21082

Опубліковано: 04.11.1997

Автори: Волошиновський Анатолій Степанович, Новосад Степан Степанович, Родний Пьотр Алєксандровіч, Лискович Олексій Борисович

МПК: C30B 29/00, G01T 1/202

Мітки: сцинтилятор

Формула / Реферат:

Применение монокристалла йодистого свинца в качестве сцинтиллятора.

Номер патенту: 10594

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Красножонов Євген Павлович, Островський Петро Іванович, Островська Анастасія Степанівна, Байцар Роман Іванович

МПК: C30B 29/06, C30B 29/00

Мітки: вирощування, резонаторів, ниткоподібних, струнних, кристалів, напівпровідникових, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування напівпровідникових ни­ткоподібних кристалів для струнних резонаторів в вакуумованій кварцевій ампулі, яка містить вихідний кремній, легований бором, легуючі домішки Pt, Au, В2О3 в присутності галоїда, як компонента-розчинника, та при наявності перепа­ду температур між кінцями ампули, який відрізняється тим, що в ампулу поряд з кремнієм дірковим, легованим бором до номінального пито­мого опору 0,4 Ом•см, додатково вводять...