Ілащук Марія Іванівна
Фотоприймач n-tin/p-cdte
Номер патенту: 92086
Опубліковано: 25.07.2014
Автори: Ульяницький Костянтин Сергійович, Брус Віктор Васильович, Мар'янчук Павло Дмитрович, Ілащук Марія Іванівна, Солован Михайло Миколайович
МПК: H01L 33/00
Мітки: фотоприймач
Формула / Реферат:
Фотоприймач n-TiN / p-CdTe, який містить поглинач оптичного випромінювання з p-CdTe та нанесену на поглинач плівку і омічні контакти до них, який відрізняється тим, що поглинач оптичного випромінювання виконаний у вигляді свіжотравленої монокристалічної підкладки p-CdTe, на яку нанесена плівка n-TiN, що має щільну структуру.
Сонячний елемент
Номер патенту: 62625
Опубліковано: 12.09.2011
Автори: Ульяницький Костянтин Сергійович, Брус Віктор Васильович, Ковалюк Захар Дмитрович, Мар'янчук Павло Дмитрович, Ілащук Марія Іванівна
МПК: H01L 33/00
Формула / Реферат:
1. Сонячний елемент на основі анізотипної гетероструктури n-TiO2/p-CdTe, який містить поглинач сонячного випромінювання та нанесену на поглинач плівку n-ТіО2, який відрізняється тим, що поглинач сонячного випромінювання виконаний у вигляді сколотої монокристалічної підкладки p-CdTe, а нанесена на підкладку плівка n-ТіО2 має щільну структуру.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що фронтальний контакт сонячного елемента виконаний...
Спосіб отримання кристалічного напівпровідникового матеріалу для фотоперетворювачів на основі cdte
Номер патенту: 48261
Опубліковано: 10.03.2010
Автори: Парфенюк Орест Архипович, Ілащук Марія Іванівна, Ульяницький Костянтин Сергійович
МПК: C30B 29/00
Мітки: спосіб, отримання, матеріалу, основі, кристалічного, фотоперетворювачів, напівпровідникового
Формула / Реферат:
1. Спосіб отримання кристалічного напівпровідникового матеріалу для фотоперетворювачів на основі CdTe, що включає підготовку вихідних компонентів Cd і Те, їх синтез та вирощування матеріалу методом кристалізації із розплаву, який відрізняється тим, що при підготовці вихідних компонентів Cd і Те до них додають компоненту Mg у кількості, необхідній для утворення під час синтезу твердого розчину Cd1-xMgxТе.2. Спосіб за п. 1, який...