Спосіб отримання кристалічного напівпровідникового матеріалу для фотоперетворювачів на основі cdte

1. Спосіб отримання кристалічного напівпровідникового матеріалу для фотоперетворювачів на 3 48261 На Фіг.1 представлена вольт-амперна характеристика Cd0,9Mg0,1Te при 80К, де контакти створені осадженням міді. На Фіг.2 представлено ВАХ структури Cu/pCd0.9Mg0.1Te/n-Cd0,9Mg0,1Те/In при 300К: 1- темнова; 2-4 - при освітленні. Значення освітленостей (L 10-4, lux) наступні: 2 - 1,8; 3 - 2,9; 4 - 5,8. В якості вихідних компонентів у способі використовуються очищені зонним методом кадмій і телур та попередньо очищений методом вакуумної дистиляції магній. Вихідні компоненти завантажують у кварцовий контейнер та проводять син 4 тез і вирощування матеріалу методом Бріджмена або будь-яким іншим відомим методом кристалізації із розплаву з отриманням твердого розчину Cd1-xMgx.Te, де значення х знаходяться у межах 0,04 ≤ х ≤ 0,1. Запропонований спосіб використовувався для отримання монокристалічного низькоомного матеріалу Cd1-xMgx.Te діркового типу провідності, параметри якого, виміряні при 300К, приведені у таблиці. Таблиця Склад, x Тип провідності 0.04 0.1 р р Особливістю кристалів Cd1-xMgx.Te з 0,04 ≤ х ≤ 0,1 є те, що при осадженні міді з насиченого розчину CuSO4 на їх поверхню утворюється омічний контакт, який не погіршує своїх властивостей у широкому температурному інтервалі (80-300К) (див.Фіг.1) Можливість використання твердих розчинів pCd1-xMgx.Te (0,04 ≤ х ≤ 0,1) з осадженими мідними контактами для виготовлення фотоперетворювачів підтверджується експериментальними дослідженнями структури Сu/р-Cd0,9Mg0,1Te/nCd0,9Mg0,1Te/In (Фіг.2). Створені структури Cu/pCd0,9Mg0,1Te/n-Cd0,9Mq0,1Те/In характеризуються добре вираженим випрямленням і є фоточутливими. Джерела інформації Концентрація носіїв при 300К, см-3 5-1015 15 3-10 Ширина забороненої зони, еВ 1,51 1,57 1. Алферов Ж.И., Андреев В.М., Румянцев В.Д. Тенденции и перспективы солнечной фотоэнергетики //ФТП. - Т.38, №8. - С.937-948. 2. R. McConnell Next-Generation Technologies in the USA //ФТП. - 2004. -T.38, №8, С. 971-974. 3. Венгер Є.Ф., Дмитрук М.Л., Комащенко В.М. Перспективні фотовольтаїчні матеріали і структури на основі напівпровідників А2В6 (фізикотехнологічні аспекти) //Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2002. - Вып. 37. - С.220235. 4. Zanio К. Cadmium telluride // New-YorkLondon: Academic Press. -1978.-235p. 5. Rudolph P. Fundamental studies on Bridgman growth of CdTe //Prog. Cryst. Growth and Charact. 1994. - Vol. 29. - P.275-381. 5 Комп’ютерна верстка Л.Литвиненко 48261 6 Підписне Тираж 26 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601