Піскач Людмила Василівна
Спосіб одержання монокристалів гамма-твердих розчинів, що утворюються у четверній взаємній системі cuin, cuga, cd ii s, se
Номер патенту: 111910
Опубліковано: 25.11.2016
Автори: Лавренюк Зоряна Володимирівна, Романюк Ярослав Євгенійович, Парасюк Олег Васильович, Марушко Лариса Петрівна, Піскач Людмила Василівна
МПК: C30B 11/00
Мітки: утворюються, четверній, cuga, розчинів, одержання, системі, гамма-твердих, монокристалів, взаємній, cuin, спосіб
Формула / Реферат:
1. Спосіб одержання з розплаву монокристалів гамма-твердих розчинів, що утворюються у четверній взаємній системі CuIn, CuGa, Cd || S, Se, який включає компонування шихти з простих речовин (міді, кадмію, галію, індію, сірки та селену), синтез, кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури з використанням горизонтального варіанта методу Бріджмена, який відрізняється тим, що одержання монокристалів проводять у два етапи, при...
Спосіб одержання монокристалів гамма-твердих розчинів, що утворюються у системі cugase2-cuinse2-2cdse
Номер патенту: 95215
Опубліковано: 10.12.2014
Автори: Парасюк Олег Васильович, Марушко Лариса Петрівна, Романюк Ярослав Євгенійович, Лавринюк Зоряна Володимирівна, Піскач Людмила Василівна
МПК: C30B 11/00
Мітки: гамма-твердих, розчинів, утворюються, cugase2-cuinse2-2cdse, спосіб, монокристалів, одержання, системі
Формула / Реферат:
1. Спосіб одержання монокристалів гамма-твердих розчинів, що утворюються у системі CuGaSe2-CuInSe2-2CdSe, включає вирощування монокристалів з розплаву, який відрізняється тим, що синтез проводять горизонтальним варіантом методу Бріджмена у два етапи, при цьому на першому етапі проводять попередній синтез у полум'ї киснево-газового пальника для зв'язування компонентів та гомогенізацію розплаву при 1450-1500 К, обертаючи контейнери протягом...
Спосіб отримання монокристалів cdga2se4 з розчину-розплаву
Номер патенту: 43929
Опубліковано: 10.09.2009
Автори: Юрченко Оксана Миколаївна, Піскач Людмила Василівна, Парасюк Олег Васильович, Сосовська Світлана Миколаївна, Романюк Ярослав Євгенійович
МПК: C30B 11/00
Мітки: отримання, спосіб, cdga2se4, монокристалів, розчину-розплаву
Формула / Реферат:
Спосіб отримання монокристалів CdGa2Se4 з розчину-розплаву, що включає складання шихти з елементарних компонентів Cd, Ge, Se, Sb, синтез сплаву, кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури за методом Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що склад шихти вибирають з поля первинної кристалізації низькотемпературної модифікації тетрарної сполуки в системі CdGa2Se4-Sb2Se3, що нижче фазового перетворення і складає близько...
Спосіб отримання монокристалів cdga2se4
Номер патенту: 43928
Опубліковано: 10.09.2009
Автори: Юрченко Оксана Миколаївна, Панкевич Володимир Зіновійович, Піскач Людмила Василівна, Парасюк Олег Васильович
МПК: C30B 11/00
Мітки: спосіб, отримання, cdga2se4, монокристалів
Формула / Реферат:
Спосіб отримання монокристалів CdGa2Se4, що включає складання шихти з елементарних компонентів Cd, Ge, Se, Sn, синтез у розплаві сполуки CdGa2Se4, її кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури за методом Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що склад шихти вибирають із області первинної кристалізації низькотемпературної модифікації CdGa2Se4 в частині, близькій до метатектичної горизонталі системи CdGa2Se4-SnSe2,...
Спосіб отримання монокристалів cu2cdges4
Номер патенту: 26253
Опубліковано: 10.09.2007
Автори: Романюк Ярослав Євгенович, Піскач Людмила Василівна, Уваров Віктор Миколайович, Янко Олег Георгійович, Юрченко Оксана Миколаївна, Парасюк Олег Васильович, Волков Сергій Васильович, Шпак Анатолій Петрович, Олексеюк Іван Дмитрович, Харькова Людмила Борисівна, Пехньо Василь Іванович
МПК: C30B 11/14
Мітки: спосіб, cu2cdges4, отримання, монокристалів
Формула / Реферат:
Спосіб отримання монокристалів Cu2CdGeS4, що включає складання шихти із елементарних компонентів, попереднє проведення синтезу сплаву протягом 10-15 хв., обертання ампули зі сплавом та його витримування при температурі розплаву для примусової гомогенізації, охолодження до кімнатної температури, подрібнення сплаву до порошкоподібного стану, перевантаження шихти в ростову ампулу, отримання з неї гомогенного розплаву, нарощування...
Спосіб отримання монокристалів aggages4
Номер патенту: 13783
Опубліковано: 17.04.2006
Автори: Шпак Анатолій Петрович, Олексеюк Іван Дмитрович, Пехньо Василь Іванович, Уваров Віктор Миколайович, Парасюк Олег Васильович, Юрченко Оксана Миколаївна, Піскач Людмила Василівна, Волков Сергій Васильович, Панкевич Володимир Зіновійович, Харькова Людмила Борисівна
МПК: C30B 11/00
Мітки: отримання, монокристалів, aggages4, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб отримання монокристалів AgGaGeS4, що включає складання шихти із елементарних компонентів Ag, Ga, Ge, S у відповідності із стехіометричним складом, синтез у розплаві сполуки AgGaGeS4, її кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури за методом Бриджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що попередньо проводять порційний синтез 2-3 г сплавів стехіометричного складу AgGaGeS4 протягом 10-15 хв, обертання ампул зі...