C30B 11/14 — відрізняється затравочним кристалом, наприклад його кристалографічної орієнтацією

Номер патенту: 115514

Опубліковано: 10.11.2017

Автори: Гринь Леонід Олексійович, Ніжанковський Сергій Вікторович, Баранов В'ячеслав Валерійович, Танько Аліна Вікторівна, Романенко Андрій Олександрович

МПК: C30B 11/14, C30B 29/20, C30B 11/02 ...

Мітки: методом, тугоплавких, оксидів, монокристалів, кристалізації, горизонтально, спрямовано, пристрій, вирощування

Формула / Реферат:

Пристрій для вирощування монокристалів тугоплавких оксидів методом горизонтальної спрямованої кристалізації, який складається з вакуумної камери з тепловим вузлом, що містить систему багатошарових внутрішніх та зовнішніх екранів, які оточують нагрівальний елемент та утворюють приймальну і вихідну частини тунелю, волокуші з механізмом переміщення та контейнером для вихідної сировини, струмовводів і нагрівального елемента з петлеподібно...

Номер патенту: 114121

Опубліковано: 25.04.2017

Автори: Танько Аліна Вікторівна, Баранов В'ячеслав Валерійович, Романенко Андрій Олександрович, Гринь Леонід Олексійович, Ніжанковський Сергій Вікторович

МПК: C30B 11/14, C30B 11/02, C30B 29/20 ...

Мітки: методом, монокристалів, спосіб, вирощування, оксидів, горизонтально, кристалізації, спрямовано, тугоплавких

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів тугоплавких оксидів методом горизонтальної спрямованої кристалізації, що включає створення у вакуумній камері з тепловим вузлом, за допомогою нагрівального елемента температурного поля, симетричного вздовж осі росту по ширині кристалу, розплавлення в цьому полі вихідного матеріалу, поміщеного в контейнер, формування кристалу шляхом переміщення контейнера з розплавленою шихтою в градієнтному температурному...

Номер патенту: 112879

Опубліковано: 10.11.2016

Автори: Ранкулі Гілберт, Мартен Крістіан

МПК: C30B 29/06, C30B 11/14, C30B 11/00 ...

Мітки: кристалізатор, напівпровідникової, спосіб, заготовки, виробництва, монокристалічної

Формула / Реферат:

1. Кристалізатор (1) для виготовлення заготовок з кристалічного напівпровідникового матеріалу, такого як кремній, причому зазначений кристалізатор має периферійні бокові стінки (1b) та дно (1а), і принаймні частина вищезгаданого дна є вкритою верхнім шаром (2), який відрізняється тим, що вищезгаданий верхній шар (2) має товщину δ принаймні 500 мкм і при температурі деформації, нижчій за 1400 °C, вищезгаданий верхній шар здатен до...

Номер патенту: 111753

Опубліковано: 10.06.2016

Автори: Мартен Крістіан, Ранкулі Гілберт, Дюбуа Лоран

МПК: C30B 11/14, C30B 11/00, C30B 28/06 ...

Мітки: напівпровідникових, кристалічних, заготовок, кристалізатор, виробництва, спосіб, виготовлення

Формула / Реферат:

1. Кристалізатор (1) для виробництва кристалічних напівпровідникових заготовок, що включає внутрішній об'єм, який обмежується дном (1а), верхня поверхня якого включає плоску частину, яка утворює першу горизонтальну площину (Н), та периферійними боковими стінками (1b), кожна з яких має внутрішню поверхню, яка включає по суті вертикальну плоску частину, яка утворює по суті вертикальну площину (V), перпендикулярну першій горизонтальній площині...

Номер патенту: 107079

Опубліковано: 25.11.2014

Автори: Кохан Олександр Павлович, Мінець Юрій Васильович, Кайла Маріанна Іванівна, Панько Василь Васильович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: C30B 11/14

Мітки: допомогою, реакцій, вирощування, монокристалів, спосіб, твердих, cu6(pxas1-x)s5i, транспортних, пентатіофосфату-арсенату, розчинів, йодиду, купрум, хімічних

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум йодиду пентатіофосфату-арсенату Cu6(PxAs1-x)S5I за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів з використанням як транспортуючого...

Номер патенту: 100628

Опубліковано: 10.01.2013

Автори: Погодін Артем Ігорович, Панько Василь Васильович, Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Пономарьов Вадим Євгенович

МПК: C30B 11/14

Мітки: хімічних, транспортних, cu6ps5(ci0,5i0,5, розчинів, вирощування, купрум, реакцій, пентатіофосфату, допомогою, твердих, спосіб, хлорид-йодиду, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум хлорид-йодиду пентатіофосфату Cu6PS5(Cl0,5I0,5) за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчасте нагрівання вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів, який відрізняється тим, що як...

Номер патенту: 100201

Опубліковано: 26.11.2012

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Панько Василь Васильович, Кохан Олександр Павлович, Пономарьов Вадим Євгенович, Погодін Артем Ігорович

МПК: C30B 11/14

Мітки: реакцій, хлориду-броміду, вирощування, розчинів, монокристалів, допомогою, спосіб, пентатіофосфату, cu6ps5cl0,5br0,5, твердих, купрум, транспортних, хімічних

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум хлориду-броміду пентатіофосфату Cu6PS5Cl0,5Br0,5 за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів, і який відрізняється тим, що як...

Номер патенту: 70707

Опубліковано: 25.06.2012

Автори: Кохан Олександр Павлович, Мінець Юрій Васильович, Кайла Маріанна Іванівна, Студеняк Ігор Петрович, Панько Василь Васильович

МПК: C30B 11/14

Мітки: йодиду, твердих, хімічних, допомогою, вирощування, реакцій, монокристалів, спосіб, розчинів, транспортних, pxas1-x)s5i, пентатіофосфату-арсенату, купрум

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум йодиду пентатіофосфату-арсенату Cu6(PxAs1-x)S5I за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів з використанням як транспортуючого...

Номер патенту: 70628

Опубліковано: 25.06.2012

Автори: Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Пономарьов Вадим Євгенович, Погодін Артем Ігорович, Панько Василь Васильович

МПК: C30B 11/14

Мітки: розчинів, реакцій, йодиду, твердих, монокристалів, вирощування, купрум-хлорид, пентатіофосфату, допомогою, транспортних, спосіб, хімічних, cu6ps5(cl1-xix

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум хлорид-йодиду пентатіофосфату Cu6PS5(Cl1-xIx) за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів, який відрізняється тим, що як вихідні...

Номер патенту: 98263

Опубліковано: 25.04.2012

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Панько Василь Васильович, Пономарьов Вадим Євгенович, Погодін Артем Ігорович, Кохан Олександр Павлович

МПК: C30B 11/14

Мітки: cu6ps5(br0,5i0,5, вирощування, пентатіофосфату, розчинів, транспортних, купрум, спосіб, хімічних, допомогою, твердих, реакцій, монокристалів, броміду-йодиду

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум броміду-йодиду пентатіофосфату Cu6PS5(Br0,5I0,5) за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів, і який відрізняється тим, що як...

Номер патенту: 64603

Опубліковано: 10.11.2011

Автори: Погодін Артем Ігорович, Пономарьов Вадим Євгенович, Кохан Олександр Павлович, Панько Василь Васильович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: C30B 11/14

Мітки: монокристалів, допомогою, розчинів, вирощування, спосіб, реакцій, хімічних, пентатіофосфату, cu6ps5(br1-xix, транспортних, броміду-йодиду, купрум, твердих

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум броміду-йодиду пентатіофосфату Cu6PS5(Br1-xIx) за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів, який відрізняється тим, що як вихідні...

Номер патенту: 95541

Опубліковано: 10.08.2011

Автори: Гніздило Олександр Миколайович, Якуша Володимир Вікторович, Карускевич Ольга Віталіївна, Шаповалов Віктор Олександрович, Колєсніченко Володимир Іванович

МПК: C30B 15/10, B32B 7/04, C30B 11/14, B32B 1/00 ...

Мітки: структурою, монокристалічною, спосіб, труб, тиглів, певною, виробів, профільованих, виготовлення, посудин, полікристалічною, матеріалів, тугоплавких

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання монокристалів тугоплавких металів та сплавів пошаровим наплавленням з використанням плазмового джерела енергії, що дозволяє створити локальну розплавлену зону матеріалу, а при організації її руху у горизонтальному просторі, з підживленням рідким металом, отримують шар матеріалу, який відрізняється тим, що тиглі, посудини, труби та профільовані вироби з тугоплавких матеріалів виготовляють з використанням різновидів...

Номер патенту: 93332

Опубліковано: 25.01.2011

Автори: Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Мінець Юрій Васильович, Панько Василь Васильович

МПК: C30B 29/10, C30B 11/14, C30B 11/00 ...

Мітки: вирощування, монокристалів, допомогою, спосіб, хімічних, cu6ass5i, транспортних, йодиду-пентатіоарсенату, купрум, реакцій

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум йодиду-пентатіоарсенату Cu6AsS5I за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів, який відрізняється тим, що як вихідні компоненти для синтезу...

Номер патенту: 54730

Опубліковано: 25.11.2010

Автори: Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Мінець Юрій Васильович, Панько Василь Васильович

МПК: C30B 11/14

Мітки: допомогою, реакцій, спосіб, йодиду-пентатіоарсенату, хімічних, купрум, cu6ass5i, транспортних, вирощування, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум йодиду-пентатіоарсенату Cu6AsS5I за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів, який відрізняється тим, що як вихідні компоненти для синтезу...

Номер патенту: 26253

Опубліковано: 10.09.2007

Автори: Пехньо Василь Іванович, Волков Сергій Васильович, Янко Олег Георгійович, Олексеюк Іван Дмитрович, Уваров Віктор Миколайович, Романюк Ярослав Євгенович, Парасюк Олег Васильович, Шпак Анатолій Петрович, Юрченко Оксана Миколаївна, Піскач Людмила Василівна, Харькова Людмила Борисівна

МПК: C30B 11/14

Мітки: отримання, монокристалів, cu2cdges4, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів Cu2CdGeS4, що включає складання шихти із елементарних компонентів, попереднє проведення синтезу сплаву протягом 10-15 хв., обертання ампули зі сплавом та його витримування при температурі розплаву для примусової гомогенізації, охолодження до кімнатної температури, подрібнення сплаву до порошкоподібного стану, перевантаження шихти в ростову ампулу, отримання з неї гомогенного розплаву, нарощування...