Попова Вікторія Євгенівна
Спосіб епітаксійного нарощування шарів арсеніду галлію
Номер патенту: 24815
Опубліковано: 06.10.1998
Автори: Краснов Василь Олександрович, Шутов Станіслав Вікторович, Попова Вікторія Євгенівна
МПК: C30B 29/40, C30B 19/00
Мітки: шарів, галлію, арсеніду, спосіб, нарощування, епітаксійного
Формула / Реферат:
Спосіб епітаксійного нарощування шарів арсеніду галлію, включаючий приготування розчину-розплаву на основі вісмута та арсеніду галію, контактування підкладки і розчину-розплаву при температурі початку епітаксії та примусового охолодження, який відрізняється тим, що розплав вісмуту насичується миш'яком шляхом розчинювання шихти арсеніду галію та арсеніду індію в співвідношенні 0,03 £ xInAs/XGaAs £ 0,21, а процес епітаксійного...