Краснов Василь Олександрович

Номер патенту: 122011

Опубліковано: 26.12.2017

Автори: Єрохін Сергій Юрійович, Краснов Василь Олександрович, Лебедь Олег Миколайович, Шутов Станіслав Вікторович, Деменський Олексій Миколайович

МПК: H01L 21/00

Мітки: визначення, перегріву, кристала, діода, спосіб, напівпровідникового

Формула / Реферат:

Спосіб визначення перегріву кристала напівпровідникового діода за рівнем зниження прямого падіння напруги , що включає вимірювання прямої вольт-амперної характеристики діода  при заданій температурі експлуатації  і перебудову її у...

Номер патенту: 114943

Опубліковано: 27.03.2017

Автори: Єрохін Сергій Юрійович, Шутов Станіслав Вікторович, Деменський Олексій Миколайович, Краснов Василь Олександрович, Лебедь Олег Миколайович

МПК: H01L 29/8605, G05F 3/16

Мітки: резистор, керований, струмом, напівпровідниковий

Формула / Реферат:

Керований струмом напівпровідниковий резистор на основі прямозміщеної структури із сильнолегованими р- та n- шарами, який відрізняється тим, що р-n структуру формують на основі подвійної гетероструктури InxGa1-xN/AlyGa1-yN, де 0,05£х£0,25, 0,1£у£0,2 із шарами емітерів електронів, легованих Si, та дірок, легованих Mg, до концентрацій не нижче ~ 1·1019 і ~ (5-7)·1017 см-3 відповідно, які забезпечують переважно тунельний...

Номер патенту: 110340

Опубліковано: 10.10.2016

Автори: Шутов Станіслав Вікторович, Лебедь Олег Миколайович, Краснов Василь Олександрович, Єрохін Сергій Юрійович, Деменський Олексій Миколайович

МПК: H01L 21/00

Мітки: перегріву, визначення, напівпровідникового, робочого, спосіб, кристала, діода

Формула / Реферат:

Спосіб визначення робочого перегріву кристала напівпровідникового діода за рівнем зниження прямого падіння напруги , що включає вимірювання калібрувальної залежності  при постійному прямому струмі  крізь діод і температурах

Номер патенту: 104132

Опубліковано: 12.01.2016

Автори: Єрохін Сергій Юрійович, Шутов Станіслав Вікторович, Краснов Василь Олександрович, Деменський Олексій Миколайович, Лебедь Олег Миколайович

МПК: H01L 21/00

Мітки: спосіб, визначення, напівпровідникових, життя, діодах, заряду, часу, носіїв, нерівноважних

Формула / Реферат:

Спосіб визначення часу життя нерівноважних носіїв заряду в напівпровідникових діодах, що включає вимірювання при заданій температурі прямої вольт-амперної характеристики діода й знаходження шуканого значення часу життя нерівноважних носіїв заряду, який відрізняться тим, що для визначення часу життя нерівноважних носіїв заряду, що рекомбінують переважно в області просторового заряду активних переходів напівпровідникових діодів, додатково, при...

Номер патенту: 102780

Опубліковано: 25.11.2015

Автори: Краснов Василь Олександрович, Єрохін Сергій Юрійович, Шутов Станіслав Вікторович, Лебедь Олег Миколайович, Деменський Олексій Миколайович

МПК: H01L 21/00

Мітки: перегріву, визначення, кристала, діода, напівпровідникового, величини, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб визначення величини перегріву кристала напівпровідникового діода за рівнем зниження прямого падіння напруги , що включає вимірювання калібрувальної залежності  при постійному прямому струмі  і температурах

Номер патенту: 79670

Опубліковано: 25.04.2013

Автори: Прохорович Анатолій Вікторович, Шутов Станіслав Вікторович, Краснов Василь Олександрович, Деменський Олексій Миколайович

МПК: G01J 5/00

Мітки: легованих, спосіб, злитків, кристалізації, температури, фронті, визначення, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб визначення температури на фронті кристалізації злитків легованих монокристалів, які переважно отримуються способами направленої кристалізації, що включає операції вимірювання пірометром яскравісної температури меніска на границі кристал-розплав та обчислення температури на фронті кристалізації за залежностями, які ґрунтуються на законах теплового випромінювання, який відрізняється тим, що температуру на фронті кристалізації визначають...

Номер патенту: 47826

Опубліковано: 25.02.2010

Автори: Єрохін Сергій Юрійович, Краснов Василь Олександрович

МПК: H01L 21/66, G01N 27/22

Мітки: концентрації, діода, носіїв, визначення, базі, широкозонного, заряду, основних, спосіб, ефективно

Формула / Реферат:

Спосіб визначення ефективної концентрації основних носіїв заряду в базі широкозонного діода, що включає вимірювання залежності бар'єрної ємності діода від зворотного зміщення, який відрізняється тим, що ефективну концентрацію основних носіїв заряду в базі діода визначають шляхом фіксації напруги змикання діода в процесі вимірювань, при досягненні нульового значення похідної бар'єрної ємності діода по напрузі, а величину ефективної...

Номер патенту: 42200

Опубліковано: 25.06.2009

Автори: Дьяк Віталій Пилипович, Краснов Василь Олександрович, Єрохін Сергій Юрійович, Шутов Станіслав Вікторович

МПК: H01L 31/18

Мітки: фосфіду, сенсорів, структур, отримання, спосіб, епітаксійних, температури, високотемпературних, діодних, галію, n-p+-типу

Формула / Реферат:

Спосіб отримання епітаксійних структур фосфіду галію n-р+-типу для високотемпературних діодних сенсорів температури, що включає послідовні операції епітаксійного нарощування з рідкої фази на леговану телуром підкладку n+-GaP епітаксійних шарів бази n-GaP й емітера p+-GaP, який відрізняється тим, що шар бази n-GaP формують зонною перекристалізацією в градієнті температур 0,5÷1,5 К/мм при температурі підкладки 80÷850 °С, а в...

Номер патенту: 39071

Опубліковано: 10.02.2009

Автори: Лебедь Олег Миколайович, Краснов Василь Олександрович, Шутов Станіслав Вікторович

МПК: H01L 21/20

Мітки: структур, епітаксійних, рентгенівського, детекторів, отримання, фотовольтаїчних, галію, діапазону, арсеніду, спосіб, випромінювання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання епітаксійних структур арсеніду галію для фотовольтаїчних детекторів рентгенівського діапазону випромінювання, в якому епітаксійне вирощування проводять на сильнолегованій підкладці n-типу нижнього n-GaAs буферного шару товщиною 2-5 μм, активного n-GaAs шару, верхнього p+-GaAs шару товщиною 1-2 μм, який відрізняється тим, що епітаксійне вирощування проводять шляхом примусового охолодження із обмеженого...

Номер патенту: 34736

Опубліковано: 26.08.2008

Автори: Шутов Станіслав Вікторович, Краснов Василь Олександрович, Лебедь Олег Миколайович

МПК: H01L 21/02

Мітки: випромінювання, галію, отримання, спосіб, інфрачервоного, діапазону, епітаксійних, структур, арсеніду, світлодіодів

Формула / Реферат:

Спосіб отримання р-n структур арсеніду галію для світлодіодів інфрачервоного діапазону випромінювання з рідкої фази, при якому епітаксійне вирощування проводять на підкладці арсеніду галію шляхом примусового охолодження з обмеженого об'єму насиченого розчину арсеніду галію, легованого амфотерною домішкою кремнію, який відрізняється тим, що до розплаву галію добавляють ізовалентний компонент вісмуту в кількості 5-15 ат. %, а вміст кремнію в...

Номер патенту: 31066

Опубліковано: 25.03.2008

Автори: Єрохін Сергій Юрійович, Шутов Станіслав Вікторович, Шварц Юрій Михайлович, Краснов Василь Олександрович

МПК: H05B 33/00

Мітки: високотемпературних, галію, фосфіду, структура, типу, сенсорів, температури, епітаксійна, діодних

Формула / Реферат:

Епітаксійна структура фосфіду галію n-р+-типу для високотемпературних діодних сенсорів температури, що містить підкладку n+-GaP, леговану телуром, на якій розташовані епітаксійний шар бази діода n-GaP і шар емітера p+-GaP, легований цинком, яка відрізняється тим, що шар бази містить ізовалентну легуючу домішку азоту з концентрацією (1¸3)´1018 см-3, товщина шару бази складає 5¸10 мкм, шару емітера - 15¸25 мкм, діапазон...

Номер патенту: 28402

Опубліковано: 10.12.2007

Автори: Краснов Василь Олександрович, Лебедь Олег Миколайович, Шутов Станіслав Вікторович

МПК: H01L 21/20

Мітки: товстих, гомоепітаксійних, галію, шарів, спосіб, отримання, арсеніду

Формула / Реферат:

Спосіб отримання товстих гомоепітаксійних шарів арсеніду галію із розчину-розплаву на основі вісмуту, що включає здійснення послідовності з 38 циклів, кожний з яких являє собою перший інтервал гомогенізації розчину-розплаву, інтервал кристалізації, другий інтервал гомогенізації розчину-розплаву, інтервал розчинення, який відрізняється тим, що перший інтервал гомогенізації розчину-розплаву проводять при температурі 900 °С, а другий...

Номер патенту: 27999

Опубліковано: 26.11.2007

Автори: Краснов Василь Олександрович, Чернов Андрій Юрійович, Апазов Едуард Сейярович

МПК: H01L 31/00

Мітки: систем, емітера, виготовлення, термофотовольтаїчних, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення емітера для термофотовольтаїчних систем на основі карбідокремнієвого композиційного матеріалу, який відрізняється тим, що заготівку емітера виготовляють з вуглеграфітової тканини, яку просочують розплавом кремнію у вакуумі ~5*10-3-1*10-3мм рт.ст. при температурі 1500...1800 °С.

Номер патенту: 27964

Опубліковано: 26.11.2007

Автори: Апазов Едуард Сейярович, Краснов Василь Олександрович, Шутов Станіслав Вікторович, Чернов Андрій Юрійович, Буряченко Володимир Іванович, Лубяна Марина Дмитрівна

МПК: H01L 31/00

Мітки: термофотовольтаїчних, систем, випромінювач

Формула / Реферат:

Випромінювач для термофотовольтаїчних систем у вигляді порожнистого циліндра, що  складається з трьох шарів: внутрішній -це карбід-кремнієвий шар, який випромінює енергію у широкому діапазоні, центральний - це шар, фільтруючий інфрачервоне випромінення дальнього діапазону, і зовнішній – селективно випромінювальний у відповідності зі спектром поглинання фотоприймальних комірок шар, який відрізняється тим, що центральний і зовнішній та...

Номер патенту: 27917

Опубліковано: 26.11.2007

Автори: Краснов Василь Олександрович, Войцеховський Олександр Нікіфорович, Лубяна Марія Дмитрівна, Лебедь Олег Миколайович, Шутов Станіслав Вікторович, Буряченко Володимир Іванович

МПК: H01L 27/10

Мітки: безкорпусний, світлодіод

Формула / Реферат:

Безкорпусний світлодіод, що складається з підкладки, на яку знизу нанесений суцільний омічний контакт, зверху нього нанесені шари дзеркальної структури, n- та р-шари напівпровідникового випромінюючого матеріалу GaAs, багатошарова дзеркальна гетероструктура Al0,8Ga0,2As/AlAs p-типу, на тильному боці якої розташований омічний контакт, який відрізняється тим, що дзеркало, яке лежить на підкладці, виконано з багатошарової дзеркальної...

Номер патенту: 25444

Опубліковано: 10.08.2007

Автори: Лубяна Марія Дмитрівна, Баганов Євген Олександрович, Аппазов Едуард Сейярович, Краснов Василь Олександрович, Шутов Станіслав Вікторович

МПК: H02N 6/00

Мітки: термофотовольтаїчний, модуль

Формула / Реферат:

Термофотовольтаїчний модуль, який складається з концентратора, емітера та термофотовольтаїчного перетворювача, який відрізняється тим, що концентратор виконаний у вигляді зрізаного конуса, основа якого має форму правильного шестигранника, а вершина - форму кола.

Номер патенту: 25348

Опубліковано: 30.10.1998

Автори: Шутов Станіслав Вікторович, Краснов Василь Олександрович

МПК: H01L 21/20

Мітки: шарів, одержання, основах, арсеніду, кремнієвих, епітаксійних, епітаксією, галію, спосіб, рідкофазною

Формула / Реферат:

Способ получения эпитаксиальных слоев арсенида галлия на кремниевых подложках жидкофазной эпитаксией, включающий заполнение зазора между пластиной-источником арсенида галлия и подложкой раствором арсенида галлия и кремния в расплаве галлия и кристаллизацию слоев при периодическом колебании температуры путем охлаждения и последующего нагрева, отличающийся тем, что подложку кремния располагают над пластиной-источником при величине зазора между...

Номер патенту: 24815

Опубліковано: 06.10.1998

Автори: Краснов Василь Олександрович, Попова Вікторія Євгенівна, Шутов Станіслав Вікторович

МПК: C30B 29/40, C30B 19/00

Мітки: шарів, нарощування, спосіб, арсеніду, галлію, епітаксійного

Формула / Реферат:

Спосіб епітаксійного нарощування шарів арсеніду галлію, включаючий приготування розчину-розплаву на основі вісмута та арсеніду галію, контактування підкладки і розчину-розплаву при температурі початку епітаксії та примусового охолодження, який відрізняється тим, що розплав вісмуту насичується миш'яком шляхом розчинювання шихти арсеніду галію та арсеніду індію в співвідношенні 0,03 £ xInAs/XGaAs £ 0,21, а процес епітаксійного...