Патенти з міткою «епітаксійного»

Номер патенту: 66594

Опубліковано: 10.01.2012

Автори: Ляхова Наталія Миколаївна, Ляхова Ніна Олегівна, Масол Ігор Віталійович, Осінський Володимир Іванович

МПК: H01L 21/00, H01L 33/00

Мітки: епітаксійного, пристрій, гетероструктур, вирощування, напівпровідникових

Формула / Реферат:

1. Пристрій для епітаксійного вирощування напівпровідникових гетероструктур, що містить підкладки, камеру, трубчаті канали, який відрізняється тим, що камера виконана у вигляді реактора з керованою системою нагріву підкладок, розташованих на підставці, трубчатих каналів подачі газів-носіїв в реактор, причому в трубчаті канали введені газорозрядні комірки з електродами із алюмінію або галію, або індію, або їх сплавів без або з легуючими...

Номер патенту: 24815

Опубліковано: 06.10.1998

Автори: Краснов Василь Олександрович, Шутов Станіслав Вікторович, Попова Вікторія Євгенівна

МПК: C30B 19/00, C30B 29/40

Мітки: арсеніду, нарощування, галлію, епітаксійного, шарів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб епітаксійного нарощування шарів арсеніду галлію, включаючий приготування розчину-розплаву на основі вісмута та арсеніду галію, контактування підкладки і розчину-розплаву при температурі початку епітаксії та примусового охолодження, який відрізняється тим, що розплав вісмуту насичується миш'яком шляхом розчинювання шихти арсеніду галію та арсеніду індію в співвідношенні 0,03 £ xInAs/XGaAs £ 0,21, а процес епітаксійного...