Шутов Станіслав Вікторович

Номер патенту: 115873

Опубліковано: 10.01.2018

Автори: Боскін Олег Осипович, Шутов Станіслав Вікторович, Єрохін Сергій Юрійович, Цибуленко Вадим Володимирович

МПК: C30B 19/00, H01L 21/20, H01L 21/208 ...

Мітки: фазі, спосіб, рідинної, розчину-розплаву, очищення, епітаксії, підкладки, змочування

Формула / Реферат:

Спосіб змочування підкладки та її очищення від розчину-розплаву при епітаксії з рідинної фази, що полягає у змочуванні підкладки розчином-розплавом, на який діє сила тяжіння, способом зміщення слайдера касети, який утримує підкладку, між комірками, що заповнені розчинами-розплавами, і очищенні підкладки від розчину-розплаву, який відрізняється тим, що при змочуванні на розчин-розплав додатково діють силою Ампера, яку викликають тим, що по...

Номер патенту: 122011

Опубліковано: 26.12.2017

Автори: Шутов Станіслав Вікторович, Краснов Василь Олександрович, Єрохін Сергій Юрійович, Лебедь Олег Миколайович, Деменський Олексій Миколайович

МПК: H01L 21/00

Мітки: спосіб, перегріву, кристала, діода, визначення, напівпровідникового

Формула / Реферат:

Спосіб визначення перегріву кристала напівпровідникового діода за рівнем зниження прямого падіння напруги , що включає вимірювання прямої вольт-амперної характеристики діода  при заданій температурі експлуатації  і перебудову її у...

Номер патенту: 114943

Опубліковано: 27.03.2017

Автори: Краснов Василь Олександрович, Шутов Станіслав Вікторович, Лебедь Олег Миколайович, Деменський Олексій Миколайович, Єрохін Сергій Юрійович

МПК: G05F 3/16, H01L 29/8605

Мітки: керований, струмом, напівпровідниковий, резистор

Формула / Реферат:

Керований струмом напівпровідниковий резистор на основі прямозміщеної структури із сильнолегованими р- та n- шарами, який відрізняється тим, що р-n структуру формують на основі подвійної гетероструктури InxGa1-xN/AlyGa1-yN, де 0,05£х£0,25, 0,1£у£0,2 із шарами емітерів електронів, легованих Si, та дірок, легованих Mg, до концентрацій не нижче ~ 1·1019 і ~ (5-7)·1017 см-3 відповідно, які забезпечують переважно тунельний...

Номер патенту: 110340

Опубліковано: 10.10.2016

Автори: Єрохін Сергій Юрійович, Лебедь Олег Миколайович, Краснов Василь Олександрович, Шутов Станіслав Вікторович, Деменський Олексій Миколайович

МПК: H01L 21/00

Мітки: кристала, напівпровідникового, визначення, спосіб, робочого, діода, перегріву

Формула / Реферат:

Спосіб визначення робочого перегріву кристала напівпровідникового діода за рівнем зниження прямого падіння напруги , що включає вимірювання калібрувальної залежності  при постійному прямому струмі  крізь діод і температурах

Номер патенту: 104132

Опубліковано: 12.01.2016

Автори: Шутов Станіслав Вікторович, Краснов Василь Олександрович, Єрохін Сергій Юрійович, Лебедь Олег Миколайович, Деменський Олексій Миколайович

МПК: H01L 21/00

Мітки: заряду, визначення, нерівноважних, носіїв, спосіб, напівпровідникових, життя, часу, діодах

Формула / Реферат:

Спосіб визначення часу життя нерівноважних носіїв заряду в напівпровідникових діодах, що включає вимірювання при заданій температурі прямої вольт-амперної характеристики діода й знаходження шуканого значення часу життя нерівноважних носіїв заряду, який відрізняться тим, що для визначення часу життя нерівноважних носіїв заряду, що рекомбінують переважно в області просторового заряду активних переходів напівпровідникових діодів, додатково, при...

Номер патенту: 102780

Опубліковано: 25.11.2015

Автори: Краснов Василь Олександрович, Шутов Станіслав Вікторович, Лебедь Олег Миколайович, Єрохін Сергій Юрійович, Деменський Олексій Миколайович

МПК: H01L 21/00

Мітки: кристала, перегріву, діода, визначення, спосіб, величини, напівпровідникового

Формула / Реферат:

Спосіб визначення величини перегріву кристала напівпровідникового діода за рівнем зниження прямого падіння напруги , що включає вимірювання калібрувальної залежності  при постійному прямому струмі  і температурах

Номер патенту: 102197

Опубліковано: 26.10.2015

Автори: Філіпщук Олександр Миколайович, Деменський Олексій Миколайович, Фролов Олександр Миколайович, Шевченко Віктор Васильович, Боскін Олег Осипович, Шутов Станіслав Вікторович

МПК: H01L 21/329, H01L 29/93, H01L 21/31 ...

Мітки: виготовлення, спосіб, діодів, змінною, ємністю, високовольтних

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення високовольтних діодів зі змінною ємністю в епітаксійному шарі першого типу провідності, нанесеному на високолеговану підкладку того ж типу провідності, який включає нанесення на епітаксійний шар нітриду кремнію, першу фотолітографію по нітриду кремнію, формування меза-структури за допомогою травлення кремнію, термічне окислювання, селективне видалення нітриду кремнію над меза-структурами, формування р-n переходу за...

Номер патенту: 93097

Опубліковано: 25.09.2014

Автори: Боскін Олег Осипович, Євдокимов Олексій В'ячеславович, Шутов Станіслав Вікторович, Цибуленко Вадим Володимирович

МПК: C30B 19/00

Мітки: епітаксійних, спосіб, фазі, рідинної, шарів, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання епітаксійних шарів з рідинної фази, що полягає у процесі гомогенізації, виходу на задану температуру, підведенні розчину-розплаву до поверхні робочої підкладки і їх контакті та зниженні температури на задану величину, який відрізняється тим, що контакт робочої підкладки з розчином-розплавом проводять сегментарно по поверхні робочої підкладки за допомогою пристрою сканування.

Номер патенту: 79670

Опубліковано: 25.04.2013

Автори: Деменський Олексій Миколайович, Краснов Василь Олександрович, Шутов Станіслав Вікторович, Прохорович Анатолій Вікторович

МПК: G01J 5/00

Мітки: кристалізації, спосіб, визначення, температури, злитків, легованих, фронті, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб визначення температури на фронті кристалізації злитків легованих монокристалів, які переважно отримуються способами направленої кристалізації, що включає операції вимірювання пірометром яскравісної температури меніска на границі кристал-розплав та обчислення температури на фронті кристалізації за залежностями, які ґрунтуються на законах теплового випромінювання, який відрізняється тим, що температуру на фронті кристалізації визначають...

Номер патенту: 79669

Опубліковано: 25.04.2013

Автори: Фролов Олександр Миколайович, Шутов Станіслав Вікторович, Самойлов Микола Олександрович, Деменський Олексій Миколайович

МПК: H01L 21/04, H01L 21/31, H01L 21/329 ...

Мітки: охоронним, шотткі, кільцем, спосіб, діодів, виготовлення

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення діодів Шотткі з охоронним кільцем в епітаксійному шарі першого типу провідності, нанесеному на високолеговану підкладку того ж типу провідності, який включає нанесення на епітаксійний шар першого маскувального шару, який відрізняється тим, що як маскувальний шар використовують шар нітриду кремнію, при першій фотолітографії видаляють нітрид кремнію навкруг основної площі контакту Шотткі, проводять дифузію домішки другого...

Номер патенту: 63802

Опубліковано: 25.10.2011

Автори: Шутов Станіслав Вікторович, Коваленко Віктор Федорович, Бордюк Олексій Юрійович

МПК: G01N 33/18

Мітки: спосіб, кластерів, тривимірної, води, оцінки, форми

Формула / Реферат:

Спосіб оцінки тривимірної форми кластерів води при кімнатній температурі, що полягає у вимірюванні індикатрис розсіювання  та побудові відповідних їм розрахункових залежностей  від , який відрізняється тим, що індикатриси розсіювання...

Номер патенту: 58298

Опубліковано: 11.04.2011

Автори: Шутов Станіслав Вікторович, Цибуленко Вадим Володимирович

МПК: H01L 21/208

Мітки: керування, твердого, складом, розчину, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб керування складом твердого розчину, що полягає у створенні двох різних насичених рідинних фаз, що контактують одна з одною, в ізотермічних умовах та їх змішуванні для росту шарів з пересиченого розчину-розплаву за допомогою електричного струму, який відрізняється тим, що керування процесом змішування здійснюють за допомогою змінного електричного струму.

Номер патенту: 57108

Опубліковано: 10.02.2011

Автори: Шутов Станіслав Вікторович, Аппазов Едуард Сейярович, Смикало Максим Миколайович

МПК: H01L 21/34, C04B 35/00, H01L 21/331 ...

Мітки: емітера, кераміки, термофотовольтаїчної, системі, композитної, виготовлення, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення композитної кераміки для емітера термофотовольтаїчної системи, що включає приготування суміші порошку матричного металу, що містить алюміній, з керамічним зміцнювачем, що складається з карбіду кремнію, механічне легування з отриманням композиційних гранул і подальшою дегазацією у вакуумі при термічній обробці та брикетування отриманої суміші, який відрізняється тим, що в процесі приготування суміші порошкового алюмінію і...

Номер патенту: 93186

Опубліковано: 25.01.2011

Автори: Фролов Олександр Олександрович, Фролов Костянтин Олександрович, Шутов Станіслав Вікторович

МПК: H01L 21/316, H01L 21/04, H01L 21/31 ...

Мітки: виготовлення, меза-діодів, кремнієвих, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення кремнієвих меза-діодів в епітаксійному шарі першого типу провідності, нанесеного на високолеговану підкладку того ж типу провідності, який включає нанесення на епітаксійний шар нітриду кремнію, першу фотолітографію по нітриду кремнію, формування меза-структури, термічне окислювання, селективне видалення нітриду кремнію над меза-структурами, формування р-n переходу за допомогою дифузії домішки другого типу провідності та...

Номер патенту: 42200

Опубліковано: 25.06.2009

Автори: Єрохін Сергій Юрійович, Шутов Станіслав Вікторович, Краснов Василь Олександрович, Дьяк Віталій Пилипович

МПК: H01L 31/18

Мітки: галію, епітаксійних, отримання, діодних, сенсорів, фосфіду, температури, структур, n-p+-типу, спосіб, високотемпературних

Формула / Реферат:

Спосіб отримання епітаксійних структур фосфіду галію n-р+-типу для високотемпературних діодних сенсорів температури, що включає послідовні операції епітаксійного нарощування з рідкої фази на леговану телуром підкладку n+-GaP епітаксійних шарів бази n-GaP й емітера p+-GaP, який відрізняється тим, що шар бази n-GaP формують зонною перекристалізацією в градієнті температур 0,5÷1,5 К/мм при температурі підкладки 80÷850 °С, а в...

Номер патенту: 41395

Опубліковано: 25.05.2009

Автори: Цибуленко Вадим Володимирович, Шутов Станіслав Вікторович, Єрохін Сергій Юрійович

МПК: H01L 21/208

Мітки: спосіб, розчинів, отримання, твердих, шарів

Формула / Реферат:

Спосіб отримання шарів твердих розчинів, що полягає у створенні двох різних насичених рідинних фаз в ізотермічних умовах та їх змішуванні для росту шарів з перенасиченого розчину-розплаву, який відрізняється тим, що створюють єдиний розчин-розплав з двох різних рідинних фаз, що контактують одна з одною, а змішування здійснюють поступово протягом всього процесу вирощування за допомогою постійного електричного струму.

Номер патенту: 39071

Опубліковано: 10.02.2009

Автори: Шутов Станіслав Вікторович, Лебедь Олег Миколайович, Краснов Василь Олександрович

МПК: H01L 21/20

Мітки: епітаксійних, галію, рентгенівського, спосіб, випромінювання, арсеніду, отримання, фотовольтаїчних, детекторів, діапазону, структур

Формула / Реферат:

Спосіб отримання епітаксійних структур арсеніду галію для фотовольтаїчних детекторів рентгенівського діапазону випромінювання, в якому епітаксійне вирощування проводять на сильнолегованій підкладці n-типу нижнього n-GaAs буферного шару товщиною 2-5 μм, активного n-GaAs шару, верхнього p+-GaAs шару товщиною 1-2 μм, який відрізняється тим, що епітаксійне вирощування проводять шляхом примусового охолодження із обмеженого...

Номер патенту: 38629

Опубліковано: 12.01.2009

Автори: Шутов Станіслав Вікторович, Журба Олександр Михайлович, Яковенко Сергій Миколайович

МПК: C30B 19/00, H01L 21/02

Мітки: графоепітаксії, фазі, галію, арсеніду, рідкої, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб графоепітаксії арсеніду галію із рідкої фази, що включає формування орієнтуючого мікрорельєфу на робочій поверхні аморфної підкладки, приведення її в контакт з попередньо насиченим розчином-розплавом, розміщеним в зазорі між аморфною підкладкою, розташованою робочою поверхнею униз, та обмежувальною пластиною, вирощування графоепітаксійної плівки напівпровідника шляхом пересичування розчину-розплаву за рахунок його примусового...

Номер патенту: 38628

Опубліковано: 12.01.2009

Автори: Шутов Станіслав Вікторович, Саріков Андрій Вікторович, Баганов Євген Олександрович

МПК: C30B 19/00, C30B 29/00, H01L 21/02 ...

Мітки: шарів, напівпровідникових, багатокомпонентних, спосіб, сполук, вирощування, гетероепітаксійного

Формула / Реферат:

Спосіб гетероепітаксійного вирощування шарів напівпровідникових багатокомпонентних сполук, що включає первісну хімічну підготовку підкладки, нанесення на планарну поверхню захисного маскуючого шару Si3N4 або SiO2, формування за допомогою фотолітографії і хімічного або плазмохімічного травлення вікон у захисному маскуючому шарі, який відрізняється тим, що після формування вікон у захисному шарі проводять формування поруватого шару у вікнах за...

Номер патенту: 38627

Опубліковано: 12.01.2009

Автори: Шутов Станіслав Вікторович, Хлопенова Ірина Анатоліївна, Буряченко Володимир Іванович, Стогній Дмитро Васильович

МПК: H01L 21/02, C30B 19/00, C30B 29/00 ...

Мітки: сполук, напівпровідникових, спосіб, отримання, гетероепітаксійних, шарів

Формула / Реферат:

Спосіб отримання гетероепітаксійних шарів напівпровідникових сполук, що включає формування мезаструктур на підкладці фотолітографією, травленням та гетероепітаксійне вирощування, який відрізняється тим, що мезаструктурам надають призматичної або пірамідальної форми, а гетероепітаксійне вирощування шару з відмінним значенням постійної ґратки виконують в один етап.

Номер патенту: 34736

Опубліковано: 26.08.2008

Автори: Краснов Василь Олександрович, Шутов Станіслав Вікторович, Лебедь Олег Миколайович

МПК: H01L 21/02

Мітки: діапазону, світлодіодів, отримання, структур, випромінювання, арсеніду, спосіб, епітаксійних, галію, інфрачервоного

Формула / Реферат:

Спосіб отримання р-n структур арсеніду галію для світлодіодів інфрачервоного діапазону випромінювання з рідкої фази, при якому епітаксійне вирощування проводять на підкладці арсеніду галію шляхом примусового охолодження з обмеженого об'єму насиченого розчину арсеніду галію, легованого амфотерною домішкою кремнію, який відрізняється тим, що до розплаву галію добавляють ізовалентний компонент вісмуту в кількості 5-15 ат. %, а вміст кремнію в...

Номер патенту: 33172

Опубліковано: 10.06.2008

Автори: Китаєв Олександр Васильович, Шутов Станіслав Вікторович, Євдокимов Олексій В'ячеславович

МПК: H02K 23/02

Мітки: двигун, електричний, струму, постійного

Формула / Реферат:

Електричний двигун постійного струму, що містить індуктор, призначений для створення нерухомого магнітного поля, якір, що містить обмотку рамкового типу і контактний вузол, який відрізняється тим, що з'єднання обмотки рамкового типу і контактного вузла виконано за допомогою двох контактних кілець, розташованих на валу й ізольованих одне від одного і від вала втулками, додатково містить фіксатор початкового положення рамки у вигляді...

Номер патенту: 31066

Опубліковано: 25.03.2008

Автори: Єрохін Сергій Юрійович, Краснов Василь Олександрович, Шварц Юрій Михайлович, Шутов Станіслав Вікторович

МПК: H05B 33/00

Мітки: сенсорів, температури, діодних, епітаксійна, типу, високотемпературних, фосфіду, структура, галію

Формула / Реферат:

Епітаксійна структура фосфіду галію n-р+-типу для високотемпературних діодних сенсорів температури, що містить підкладку n+-GaP, леговану телуром, на якій розташовані епітаксійний шар бази діода n-GaP і шар емітера p+-GaP, легований цинком, яка відрізняється тим, що шар бази містить ізовалентну легуючу домішку азоту з концентрацією (1¸3)´1018 см-3, товщина шару бази складає 5¸10 мкм, шару емітера - 15¸25 мкм, діапазон...

Номер патенту: 30395

Опубліковано: 25.02.2008

Автори: Шутов Станіслав Вікторович, Гришко Олександр Володимирович, Хлопенова Ірина Анатоліївна

МПК: H02K 57/00

Мітки: керування, блок, зварювального, високочастотного, джерела, струму

Формула / Реферат:

Блок керування для високочастотного джерела зварювального струму, що містить послідовно з'єднані датчик струму, контролер, драйвер і силовий електронний ключ - транзистор, які виконані на печатній платі, який відрізняється тим, що він додатково містить вузол в складі компаратора та таймера, який підключений паралельно до датчика струму та контролера.

Номер патенту: 28402

Опубліковано: 10.12.2007

Автори: Лебедь Олег Миколайович, Шутов Станіслав Вікторович, Краснов Василь Олександрович

МПК: H01L 21/20

Мітки: товстих, спосіб, гомоепітаксійних, шарів, галію, арсеніду, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання товстих гомоепітаксійних шарів арсеніду галію із розчину-розплаву на основі вісмуту, що включає здійснення послідовності з 38 циклів, кожний з яких являє собою перший інтервал гомогенізації розчину-розплаву, інтервал кристалізації, другий інтервал гомогенізації розчину-розплаву, інтервал розчинення, який відрізняється тим, що перший інтервал гомогенізації розчину-розплаву проводять при температурі 900 °С, а другий...

Номер патенту: 27964

Опубліковано: 26.11.2007

Автори: Шутов Станіслав Вікторович, Буряченко Володимир Іванович, Лубяна Марина Дмитрівна, Апазов Едуард Сейярович, Краснов Василь Олександрович, Чернов Андрій Юрійович

МПК: H01L 31/00

Мітки: випромінювач, термофотовольтаїчних, систем

Формула / Реферат:

Випромінювач для термофотовольтаїчних систем у вигляді порожнистого циліндра, що  складається з трьох шарів: внутрішній -це карбід-кремнієвий шар, який випромінює енергію у широкому діапазоні, центральний - це шар, фільтруючий інфрачервоне випромінення дальнього діапазону, і зовнішній – селективно випромінювальний у відповідності зі спектром поглинання фотоприймальних комірок шар, який відрізняється тим, що центральний і зовнішній та...

Номер патенту: 27917

Опубліковано: 26.11.2007

Автори: Шутов Станіслав Вікторович, Войцеховський Олександр Нікіфорович, Буряченко Володимир Іванович, Лебедь Олег Миколайович, Лубяна Марія Дмитрівна, Краснов Василь Олександрович

МПК: H01L 27/10

Мітки: світлодіод, безкорпусний

Формула / Реферат:

Безкорпусний світлодіод, що складається з підкладки, на яку знизу нанесений суцільний омічний контакт, зверху нього нанесені шари дзеркальної структури, n- та р-шари напівпровідникового випромінюючого матеріалу GaAs, багатошарова дзеркальна гетероструктура Al0,8Ga0,2As/AlAs p-типу, на тильному боці якої розташований омічний контакт, який відрізняється тим, що дзеркало, яке лежить на підкладці, виконано з багатошарової дзеркальної...

Номер патенту: 25444

Опубліковано: 10.08.2007

Автори: Аппазов Едуард Сейярович, Шутов Станіслав Вікторович, Лубяна Марія Дмитрівна, Баганов Євген Олександрович, Краснов Василь Олександрович

МПК: H02N 6/00

Мітки: термофотовольтаїчний, модуль

Формула / Реферат:

Термофотовольтаїчний модуль, який складається з концентратора, емітера та термофотовольтаїчного перетворювача, який відрізняється тим, що концентратор виконаний у вигляді зрізаного конуса, основа якого має форму правильного шестигранника, а вершина - форму кола.

Номер патенту: 21855

Опубліковано: 10.04.2007

Автори: Шутов Станіслав Вікторович, Цибуленко Вадим Володимирович, Єрохін Сергій Юрійович

МПК: H01L 21/208

Мітки: рідиннофазної, установка, електроепітаксії

Формула / Реферат:

Установка для рідиннофазної електроепітаксії, що містить кварцовий реактор, який встановлений в електричну піч для забезпечення контролю температури, два електроди, один з яких жорстко закріплений до верхньої пластини, джерела постійного струму, та касети, що має верхню пластину, яка одночасно є електричним контактом до розчинів-розплавів, середню ізолюючу пластину, яка є електричним ізолятором між верхньою та нижньої пластинами і має отвір...

Номер патенту: 19573

Опубліковано: 15.12.2006

Автори: Чернов Андрій Юрійович, Баганов Євген Олександрович, Саріков Андрій Вікторович, Шутов Станіслав Вікторович

МПК: H01C 17/00

Мітки: шарів, аiii, спосіб, неорієнтуючій, полікристалічних, аморфний, підкладці, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання тонких полікристалічних шарів сполук АIII BV на неорієнтуючій аморфній підкладці, що включає формування на підкладці шару насиченого розчину-розплаву шляхом термічного напилення у вакуумі елемента III і V групи, нагрівання структури у градієнті температури до температури розплавлення розчину-розплаву, гомогенізацію розчину-розплаву і примусове охолодження, який відрізняється тим, що застосовується аморфна підкладка з...

Номер патенту: 17283

Опубліковано: 15.09.2006

Автори: Коленчук Дмитро Миколайович, Курак Владислав Володимирович, Андронова Олена Валеріївна, Шутов Станіслав Вікторович

МПК: F03D 11/00

Мітки: вітрогенератора, вітроколесо

Формула / Реферат:

Вітроколесо вітрогенератора, що складене з головного вала, жорстко приєднаних до нього чотирьох однакового перерізу обертових трубчастих валів з лопатями, поділених на секції і оснащених ребрами жорсткості, циліндричних кілець зі спіральними пружинами і елементами кріплення до них, яке відрізняється тим, що обертові трубчасті вали жорстко приєднані основами до головного вала з можливістю вільного прогинання верхівок, секції лопатей виконані...

Номер патенту: 14302

Опубліковано: 15.05.2006

Автори: Курак Владислав Володимирович, Шутов Станіслав Вікторович, Баганов Євген Олександрович, Андронова Олена Валеріївна

МПК: H01L 21/208, C30B 29/40, C30B 19/00 ...

Мітки: установка, рідкофазної, епітаксії

Формула / Реферат:

Установка для рідкофазної епітаксії, що містить касету в нагрівальному вузлі, яка має багато комірок, вікно у вигляді отвору над підкладкою, утримуючий підкладку слайдер, встановлений із можливістю переміщення крізь касету уздовж комірок для підведення підкладки в комірки, і термопару, яка відрізняється тим, що комірки знаходяться у слайдері, а підкладка розміщена у нерухомій основі касети, в якій під підкладкою розташований теплообмінник, що...

Номер патенту: 14281

Опубліковано: 15.05.2006

Автори: Баганов Євген Олександрович, Шутов Станіслав Вікторович

МПК: C30B 19/00, H01L 21/208, C30B 29/40 ...

Мітки: фазі, епітаксійних, спосіб, шарів, одержання, рідкої

Формула / Реферат:

Спосіб одержання епітаксійних шарів із рідкої фази, що включає нагрівання розчину-розплаву до температури насичення, приведення його в контакт із робочою поверхнею підкладки, нагрітої до такої ж температури, охолодження підкладки за допомогою приведення поверхні підкладки, що протилежна робочій, у контакт із теплопоглиначем, проведення кристалізації та переривання контакту підкладки з розчином-розплавом, який відрізняється тим, що охолодження...

Номер патенту: 14279

Опубліковано: 15.05.2006

Автори: Шутов Станіслав Вікторович, Андронова Олена Валеріївна, Коленчук Дмитро Миколайович

МПК: E04H 12/24, E04H 12/16

Мітки: проміжна, електропередачі, лінії, опора, високовольтної

Формула / Реферат:

Проміжна опора високовольтної лінії електропередачі, яка містить два несучі ґратчасті стояки, кожний з яких складений з чотирьох несучих стрижнів, ґратчастий стояк встановлений у окремий повнотілий залізобетонний фундамент, чотири відтяжки з пристроями до натягу і приєднаних по дві до кожного з двох інших фундаментів аналогічного зразка, траверсу, складену з верхнього і нижнього поясів з ґратами, до нижнього поясу траверси приєднані три...

Номер патенту: 10404

Опубліковано: 15.11.2005

Автори: Шутов Станіслав Вікторович, Чернов Андрій Юрійович, Саріков Андрій Вікторович

МПК: H01C 17/00

Мітки: тонких, шарів, спосіб, ііі, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання тонких шарів сполук АІІІВV, що включає формування на підкладці шару насиченого розчину-розплаву шляхом термічного напилення у вакуумі елемента III групи, нагріву структури у градієнті температури до температури початку епітаксії, гомогенізацію розчину-розплаву і примусове охолодження, який відрізняється тим, що насичення розчину-розплаву здійснюють із шару термічно напиленого елемента V групи в градієнті температури,...

Номер патенту: 10204

Опубліковано: 15.11.2005

Автори: Степанчиков Дмитро Михайлович, Шутов Станіслав Вікторович

МПК: H01L 31/08, H01L 31/04

Мітки: термофотоелектричний, перетворювач

Формула / Реферат:

Термофотоелектричний перетворювач, що являє собою напівпровідникову пластину принаймні з двома контактами, який відрізняється тим, що пластина виконана з фосфіду кадмію (Сd3Р2) з бар'єром Шотткі, а контакти - з олова (Sn) або срібла (Ag).

Номер патенту: 4781

Опубліковано: 15.02.2005

Автори: Аппазов Едуард Сейярович, Шостак Володимир Іванович, Шутов Станіслав Вікторович

МПК: H02N 6/00

Мітки: термофотовольтаїчний, генератор

Формула / Реферат:

Термофотовольтаїчний генератор, який складається з емітера і термофотовольтаїчного перетворювача, який відрізняється тим, що емітер має форму розсіченого уздовж осі циліндра, а термофотовольтаїчний перетворювач виконаний у вигляді багатогранної поверхні, наприклад восьмигранника.

Номер патенту: 67417

Опубліковано: 15.06.2004

Автори: Марончук Олександр Ігорович, Лубяний Віктор Захарович, Аппазов Едуард Сейярович, Шутов Станіслав Вікторович

МПК: H01L 31/04, H01L 31/08

Мітки: термофотоелектричний, перетворювач

Формула / Реферат:

Термофотоелектричний перетворювач, що являє собою леговану важкими металами напівпровідникову пластину принаймні з двома контактами, який відрізняється тим, що напівпровідникова пластина виконана з нітриду індію, а контакти з SnО2:Іn2О3.

Номер патенту: 57440

Опубліковано: 16.06.2003

Автори: Бурим Юліан Андрійович, Савенко Генадій Миколайович, Шутов Станіслав Вікторович

МПК: H05B 6/64

Мітки: пристрій, пиломатеріалу, нвч-термообробки

Формула / Реферат:

Пристрій НВЧ-термообробки пиломатеріалу, що містить камеру, в якій розташовано НВЧ-випромінювач, який відрізняється тим, що камера з НВЧ-випромінювачем виконана з можливістю зворотно-поступального руху.

Номер патенту: 55796

Опубліковано: 15.04.2003

Автори: Лубяний Віктор Захарович, Шутов Станіслав Вікторович, Аппазов Едуард Сейярович, Марончук Олександр Ігорович

МПК: G01R 31/26

Мітки: характеристик, експлуатаційних, перетворювачів, визначення, пристрій, фотовольтаїчних

Формула / Реферат:

Пристрій для вивчення експлуатаційних характеристик фотовольтаїчних перетворювачів, що містить охолоджувач, джерело гріючого струму, блок вимірювання температури, блок індикації, який відрізняється тим, що пристрій виконаний у вигляді вакуумної камери з оптичним вікном, в якій розташований мідний підкладкоутримувач, що нагрівається, який зворотним боком з'єднаний з охолоджувачем, виконаним у вигляді труби.