C30B 29/40 — з’єднання типу A

Номер патенту: 99078

Опубліковано: 10.07.2012

Автори: Ворошило Галина Іванівна, Штабалюк Агата Петрівна, Макідо Олена Юріївна, Шуригін Федір Михайлович, Кость Ярослав Ярославович, Большакова Інеса Антонівна

МПК: C30B 25/00, C30B 29/40

Мітки: параметрів, індію, стабільності, спосіб, мікрокристалів, антимоніду, підвищення

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення стабільності параметрів мікрокристалів антимоніду індію, згідно з яким кварцову ампулу, в якій розташовують очищену підкладку, з попередньо нанесеним на неї металом-каталізатором - золотом, джерело антимоніду індію та йод, вакуумують до тиску в ампулі не більше (0,9-1,1)∙10-4 Па, запаюють та розміщують у двозонній печі опору з нагрівом зони джерела вихідних компонентів до температури Т=700±5 °С та нагрівом зони...

Номер патенту: 90834

Опубліковано: 25.05.2010

Автори: Макідо Олена Юріївна, Большакова Інеса Антонівна, Шуригін Федір Михайлович, Кость Ярослав Ярославович, Ворошило Галина Іванівна

МПК: C30B 25/00, H01L 21/02, C30B 29/10, C30B 29/40 ...

Мітки: мікрокристалів, спосіб, антимоніду, індію, одержання

Формула / Реферат:

Спосіб одержання мікрокристалів антимоніду індію, за яким кварцову ампулу, в якій розташовують очищену підкладку, з попередньо нанесеним на неї металом-каталізатором золотом, та джерело антимоніду індію, вакуумують, запаюють та нагрівають, який відрізняється тим, що одночасно з підкладкою та джерелом антимоніду індію в кварцовій ампулі розташовують йод, вакуумування проводять до тиску в ампулі не більше (0,9-4,1)·10-4 Па, після вакуумування...

Номер патенту: 78705

Опубліковано: 25.04.2007

Автори: Сєжпутовскі Лєшек Пьотр, Дорадзінскі Роман Марек, Двілінскі Роберт Томаш, Гарчінскі Єжи, Канбара Ясуо

МПК: C30B 7/00, C30B 29/40, C30B 9/00 ...

Мітки: одержання, нітриду, монокристала, об`ємного, процес, містить, галій, апарат

Формула / Реферат:

1. Процес одержання кристала галієвмісного нітриду, який включає наступні стадії:1) подають галієвмісний вихідний матеріал, компонент, що містить лужний метал, принаймні один зародок кристалізації та азотовмісний розчинник у щонайменше один контейнер;2) переводять азотовмісний розчинник у надкритичний стан;3) принаймні частково розчиняють галієвмісний вихідний матеріал при першій температурі і при першому тиску...

Номер патенту: 14302

Опубліковано: 15.05.2006

Автори: Курак Владислав Володимирович, Андронова Олена Валеріївна, Шутов Станіслав Вікторович, Баганов Євген Олександрович

МПК: C30B 29/40, H01L 21/208, C30B 19/00 ...

Мітки: рідкофазної, установка, епітаксії

Формула / Реферат:

Установка для рідкофазної епітаксії, що містить касету в нагрівальному вузлі, яка має багато комірок, вікно у вигляді отвору над підкладкою, утримуючий підкладку слайдер, встановлений із можливістю переміщення крізь касету уздовж комірок для підведення підкладки в комірки, і термопару, яка відрізняється тим, що комірки знаходяться у слайдері, а підкладка розміщена у нерухомій основі касети, в якій під підкладкою розташований теплообмінник, що...

Номер патенту: 14281

Опубліковано: 15.05.2006

Автори: Баганов Євген Олександрович, Шутов Станіслав Вікторович

МПК: C30B 29/40, H01L 21/208, C30B 19/00 ...

Мітки: спосіб, одержання, фазі, рідкої, епітаксійних, шарів

Формула / Реферат:

Спосіб одержання епітаксійних шарів із рідкої фази, що включає нагрівання розчину-розплаву до температури насичення, приведення його в контакт із робочою поверхнею підкладки, нагрітої до такої ж температури, охолодження підкладки за допомогою приведення поверхні підкладки, що протилежна робочій, у контакт із теплопоглиначем, проведення кристалізації та переривання контакту підкладки з розчином-розплавом, який відрізняється тим, що охолодження...

Номер патенту: 9615

Опубліковано: 17.10.2005

Автори: Марончук Ігор Євгенович, Баганов Євген Олександрович, Курак Владислав Володимирович, Андронова Олена Валеріївна

МПК: C30B 29/40, C30B 19/00, H01L 021/208 ...

Мітки: гомо, гетероепітаксійних, фазі, шарів, спосіб, рідкої, одержання

Формула / Реферат:

Спосіб одержання гомо- та гетероепітаксійних шарів з рідкої фази, що включає нагрівання розчину-розплаву до температури насичення, приведення поверхні підкладки, протилежної робочій, у контакт із теплопоглиначем при умові одержання суцільних епітаксійних шарів, приведення розчину-розплаву в контакт з робочою поверхнею підкладки, проведення кристалізації до досягнення різниці температур між теплопоглиначем і розчином-розплавом не більш ніж...

Номер патенту: 62235

Опубліковано: 15.12.2003

Автори: Андронова Олена Валеріївна, Баганов Євген Олександрович, Марончук Ігор Євгенович

МПК: C30B 29/40, C30B 19/00, H01L 21/208 ...

Мітки: гетероепітаксійних, фазі, одержання, рідкої, шарів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання гетероепітаксійних шарів з рідкої фази, що включає нагрівання розчину-розплаву до температури насичення, приведення його в контакт з робочою поверхнею підкладки, приведення поверхні підкладки, протилежної робочій, у контакт із теплопоглиначем за умови одержання суцільних епітаксійних шарів, проведення кристалізації до досягнення різниці температур між теплопоглиначем і розчином-розплавом не більше, ніж 0,25°С, переведення...

Номер патенту: 24815

Опубліковано: 06.10.1998

Автори: Шутов Станіслав Вікторович, Попова Вікторія Євгенівна, Краснов Василь Олександрович

МПК: C30B 29/40, C30B 19/00

Мітки: нарощування, галлію, епітаксійного, арсеніду, спосіб, шарів

Формула / Реферат:

Спосіб епітаксійного нарощування шарів арсеніду галлію, включаючий приготування розчину-розплаву на основі вісмута та арсеніду галію, контактування підкладки і розчину-розплаву при температурі початку епітаксії та примусового охолодження, який відрізняється тим, що розплав вісмуту насичується миш'яком шляхом розчинювання шихти арсеніду галію та арсеніду індію в співвідношенні 0,03 £ xInAs/XGaAs £ 0,21, а процес епітаксійного...