Проц Лариса Анатолієвна
Ріжучий елемент
Номер патенту: 37089
Опубліковано: 16.04.2001
Автори: Шпирко Григорій Миколайович, Проц Лариса Анатолієвна
МПК: B28D 5/00
Текст:
...середнього шару припайкою під пресом. Товщина ріжучого елементу 0,3 мм, ширина 18,0 мм, довжина 200 мм. Проведено процес різання монокристалу парателуриту циліндричної форми з діаметром поперечного перерізу 30,0 мм. Як абразивний матеріал застосовували корундовий порошок М 28, перемішаний з машинним маслом. Витрати порошку склали 4,5 г. При використанні ріжучого елементупрототипу, виготовленого із стальної полоси товщиною 0,3 мм, для...
Спосіб вирощування кристалу направленою кристалізацією розплаву
Номер патенту: 32842
Опубліковано: 15.02.2001
Автори: Богданова-Борець Олександра Василівна, Проц Лариса Анатолієвна, Шпирко Григорій Миколайович, Коложварі Марія Василівна
МПК: C30B 11/00
Мітки: кристалізацією, розплаву, вирощування, спосіб, направленою, кристалу
Формула / Реферат:
1. Спосіб вирощування кристалу направленою кристалізацією розплаву, який включає розміщення речовини, яку кристалізують, в порожнину вертикально установленого контейнеру зі звуженим нижнім кінцем, розплавлення речовини та направлене охолодження розплаву знизу, який відрізняється тим, що направлене охолодження розплаву здійснюють шляхом занурення контейнеру в рідину з температурою, яка нижча температури плавлення речовини, яка...
Пристрій для вирощування кристалів витягуванням із розплаву
Номер патенту: 32857
Опубліковано: 15.02.2001
Автори: Коложварі Марія Василівна, Богданова-Борець Олександра Василівна, Шпирко Григорій Миколайович, Проц Лариса Анатолієвна
МПК: C30B 15/30
Мітки: витягуванням, кристалів, пристрій, вирощування, розплаву
Текст:
...кристалу U~t , а його гори зонтальний переріз St , тигель з горизонтальним перерізом $І, , то для забезпечення постійності рівня розплаву по відношенню до нагріваючрго елементу необхідно тигель піднімати зі швидкістю Ол'—-fs—~ І . При перемінному перерізі тиглю відповідно повинна змінюватися і швид кість його піднімання. На початковій і кінцевій стадіях росту криста лу переріз його по висоті змінюється , що також вимагає зміни швидкості...