Богданова-Борець Олександра Василівна

Номер патенту: 62154

Опубліковано: 15.12.2003

Автори: Богданова-Борець Олександра Василівна, Риган Михайло Юрієвич, Шпирко Григорій Миколайович

МПК: C30B 11/00

Мітки: одержання, тіогалату, кристалу, кадмію, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання кристалу тіогалату кадмію, який включає виготовлення і термічну обробку подвійної ампули з плавленого кварцу, розміщення в порожнині внутрішньої ампули шихти тіогалату кадмію, вакуумування та герметизацію порожнини ампули, розплавлення шихти тіогалату кадмію та наступну направлену кристалізацію розплаву, який відрізняється тим, що термічну обробку подвійної ампули здійснюють при температурі 1000-1200°С протягом 1-3 годин в...

Номер патенту: 62129

Опубліковано: 15.12.2003

Автори: Шпирко Григорій Миколайович, Риган Михайло Юрієвич, Богданова-Борець Олександра Василівна

МПК: C30B 28/00, C30B 29/46, C30B 29/52 ...

Мітки: кадмію, селеноалюмінатів, спосіб, цинку, синтезу, тіоалюмінатів

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу тіоалюмінатів та селеноалюмінатів цинку й кадмію, який включає сплавлення елементарних компонентів, взятих у стехіометричних кількостях у вакуумованих ампулах з плавленого кварцу, який відрізняється тим, що спочатку сплавляють алюміній з цинком або кадмієм, одержаний сплав розміщують у кварцову ампулу разом з наважкою сірки або селену і нагрівають суміш до одержання розплаву алюмінату.

Номер патенту: 61318

Опубліковано: 17.11.2003

Автори: Шпирко Григорій Миколайович, Риган Михайло Юрієвич, Богданова-Борець Олександра Василівна

МПК: C30B 9/00

Мітки: одержання, спосіб, кадмію, кристала, тіогалату

Формула / Реферат:

Спосіб одержання кристала тіогалату кадмію, який включає виготовлення подвійної ампули з плавленого кварцу, розміщення в порожнині внутрішньої ампули шихти тіогалату кадмію, розплавлення шихти тіогалату кадмію та її направлену кристалізацію, який відрізняється тим, що внутрішню ампулу з шихтою вакуумують і заварюють, а в порожнину зовнішньої ампули перед її герметизацією вводять аргон при тискові 1.105-3.105 Па.

Номер патенту: 60990

Опубліковано: 15.10.2003

Автори: Богданова-Борець Олександра Василівна, Шпирко Григорій Миколайович, Риган Михайло Юрієвич

МПК: C01B 17/02

Мітки: очистки, сірки, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб очистки сірки вакуумною дистиляцією в присутності стимулятора сегрегації, який відрізняється тим, що як стимулятор сегрегації використовують пари етанолу при тиску 0,10-10,0 Па.

Номер патенту: 61041

Опубліковано: 15.10.2003

Автори: Ткаченко Віктор Іванович, Шпирко Григорій Миколайович, Богданова-Борець Олександра Василівна, Риган Михайло Юрієвич

МПК: C30B 13/00

Мітки: зонної, пристрій, плавки

Формула / Реферат:

Пристрій для зонної плавки, який містить нагрівач та горизонтально розміщений герметичний контейнер продовгуватої форми з поперечними перегородками, установлений з можливістю повороту відносно горизонтальної осі контейнера, зонний нагрівач, механізм зворотно-поступального переміщення, який відрізняється тим, що пристрій додатково містить принаймні одну поздовжню перегородку довжиною не менше віддалі між поперечними перегородками, розміщену на...

Номер патенту: 36476

Опубліковано: 16.04.2001

Автори: Богданова-Борець Олександра Василівна, Шпирко Григорій Миколайович

МПК: C01B 19/00

Мітки: очистки, спосіб, телуру

Формула / Реферат:

Спосіб очистки телуру, який включає роз плавлення телуру та його кристалізації, який відрізняється тим, що розплав телуру перед кристалі­зацією пропускають через порожнину ємності, заповненої склоподібним або кристалічним двоокисом кремнію.

Номер патенту: 35135

Опубліковано: 15.03.2001

Автори: Шпирко Григорій Миколайович, Богданова-Борець Олександра Василівна, Проц Лариса Анатоліївна, Коложварі Марія Василівна

МПК: C30B 15/00

Мітки: пристрій, вирощування, кристалу

Формула / Реферат:

Пристрій для вирощування кристалу, який містить тигель із розплавом, підставку із штоком, нагрівач та механізм вертикального переміщення тигля, який відрізняється тим, що механізм вертикального переміщення тигля містить розміщену під тиглем ємність з рідиною, в яку занурений поплавок, поплавок жорстко з'єднаний з підставкою тигля за допомогою несучого штоку, причому площа горизонтального перерізу ємності S та площа горизонтального перерізу...

Номер патенту: 32842

Опубліковано: 15.02.2001

Автори: Шпирко Григорій Миколайович, Богданова-Борець Олександра Василівна, Проц Лариса Анатолієвна, Коложварі Марія Василівна

МПК: C30B 11/00

Мітки: вирощування, кристалізацією, спосіб, направленою, кристалу, розплаву

Формула / Реферат:

1. Спосіб вирощування кристалу направленою кристалізацією розплаву, який включає розміщення речовини, яку кристалізують, в порожнину вертикально установленого контейнеру зі звуженим нижнім кінцем, розплавлення речовини та направлене охолодження розплаву знизу, який відрізняється тим, що направлене охолодження розплаву здійснюють шляхом занурення контейнеру в рідину з температурою, яка нижча температури плавлення речовини, яка...

Номер патенту: 32835

Опубліковано: 15.02.2001

Автори: Богданова-Борець Олександра Василівна, Петров В'ячеслав Васильович

МПК: C30B 29/12, C01F 11/00, C01G 13/00 ...

Мітки: матеріал, акустооптичний

Формула / Реферат:

Акустооптичний матеріал, який містить ртуть та хлор, відрізняється там, що він додатково містить цезій, а його оклад відповідає формулі Cs3-xHgxCl3+x, де 0,96£x£1,05.

Номер патенту: 32987

Опубліковано: 15.02.2001

Автори: Шпирко Григорій Миколайович, Коложварі Марія Василівна, Богданова-Борець Олександра Василівна

МПК: G01N 23/20, C30B 33/00

Мітки: монокристалу, спосіб, орієнтування

Текст:

...згідно винаходу, на монокристалі виконують принаймні дві пари паралельних зрізів , визначають взаємне розміщення виконаних зрізів , розділяють монокристал на дві частини, кожна з яких містить принаймні два непаралель-них зрізи, після чого визначають просторове положення по відношенню -до кристалографічних напрямків монокристалу зрізів однієї , переваж 2. но, меншої частини монокристалу 1 по ньому судять про орієнтацію зрізів на другій...

Номер патенту: 32882

Опубліковано: 15.02.2001

Автори: Шпирко Григорій Миколайович, Ткаченко Віктор Іванович, Богданова-Борець Олександра Василівна

МПК: G01K 7/02

Мітки: температури, датчик, термоелектричний

Текст:

...за межами порожнини наконечника. При цьому можливо реалізувати достатньо малу товщину проміжку між кулею та зовнішнім тілом, що дає змогу зменшити інерційність термоелектричного датчика температури. На малюнку схематично представлена конструкція запропонованого термоелектричного датчика температури. Термоелементи І, виготовлені із різних матеріалів, з'єднані спаєм 2 сферичної форми. Спай ? розмішений в порожнині наконечника 4. З, в якому є...

Номер патенту: 32857

Опубліковано: 15.02.2001

Автори: Проц Лариса Анатолієвна, Богданова-Борець Олександра Василівна, Шпирко Григорій Миколайович, Коложварі Марія Василівна

МПК: C30B 15/30

Мітки: кристалів, вирощування, пристрій, витягуванням, розплаву

Текст:

...кристалу U~t , а його гори зонтальний переріз St , тигель з горизонтальним перерізом $І, , то для забезпечення постійності рівня розплаву по відношенню до нагріваючрго елементу необхідно тигель піднімати зі швидкістю Ол'—-fs—~ І . При перемінному перерізі тиглю відповідно повинна змінюватися і швид кість його піднімання. На початковій і кінцевій стадіях росту криста лу переріз його по висоті змінюється , що також вимагає зміни швидкості...

Номер патенту: 31432

Опубліковано: 15.12.2000

Автори: Кириленко Валерій Констянтинович, Гасинець Степан Михайлович, Богданова-Борець Олександра Василівна, Тулай Віталій Степанович, Машкаринець Єва Карлівна, Борець Олександр Миколайович

МПК: C01G 13/00, C30B 29/12, C01G 57/00 ...

Мітки: акустооптичний, матеріал, іч-діапазону

Текст:

...широким діапазоном пропускання світла та порівняно невисокими значеннями коефіцієнту акустооптичноі якості м2. Найбільш близьким по технічній суті та по результату, що досягається, є оптично ізотропний монокристал твердого розчину (ТШг2)хСПІ)і-х • відомий як KRS-5 ( область пропускання світла якого 0,5-50 мкм, а коефіцієнт акустооптичної якості М^ =П50 х10'15сякг-^ (2] для 0,63 мкм і не більшим 845*10' і^сЗ^-і для ю,6 мкм. Недоліком такого...