Патенти з міткою «кристалу»

Номер патенту: 120788

Опубліковано: 27.11.2017

Автори: Ярощук Олег Васильович, Кравчук Руслан Миколайович

МПК: B05B 5/00, G02F 1/13

Мітки: оброблений, орієнтації, спосіб, кристалу, пучком, стабілізації, поверхні, частинок, рідкого

Формула / Реферат:

1. Спосіб стабілізації орієнтації рідких кристалів на поверхнях, підданих орієнтуючій обробці пучком частинок, що полягає у нанесенні на цю поверхню додаткового шару органічного матеріалу, що є реактивним мезогеном, та наступного зашивання даного матеріалу, так що поверхню оброблену пучком частинок використовують для орієнтації зазначеного додаткового шару, в той час як орієнтований та зашитий додатковий шар використовують для орієнтації...

Номер патенту: 111241

Опубліковано: 10.11.2016

Автори: Ковальчук Олександр Васильович, Бендак Андрій Васильович, Тімко Мілан, Копчанський Петер, Студеняк Віктор Ігорович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: G01R 3/00, G02F 1/13

Мітки: нього, внесення, кристалу, шляхом, cu6ps5i, спосіб, рідкого, 6снвт, підвищення, електричної, провідності, нематичного, провідника, наночастинок, суперіонного

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення електричної провідності композита на основі нематичного рідкого кристалу 6СНВТ, який відрізняється тим, що в гомогенний нематичний рідкий кристал 6СНВТ вносять наночастинки суперінного провідника Cu6PS5I, внаслідок чого отриманий композит має електричну провідність, яка перевищує електричну провідність нематичного рідкого кристалу 6СНВТ без наночастинок майже на порядок.

Номер патенту: 106745

Опубліковано: 10.05.2016

Автори: Тімко Мілан, Студеняк Ігор Петрович, Бендак Андрій Васильович, Ковальчук Олександр Васильович, Копчанський Петер, Пал Юрій Олександрович

МПК: G02F 1/13

Мітки: суперіонного, нематичного, спосіб, нього, провідника, наночастинок, електричної, провідності, кристалу, рідкого, підвищення, внесення, шляхом

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення електричної провідності композита на основі нематичного рідкого кристалу, який відрізняється тим, що в гомогенний нематичний рідкий кристал вносять наночастинки суперінного провідника, внаслідок чого отриманий композит на основі рідкого кристалу має електричну провідність, яка перевищує електричну провідність вихідного рідкого кристалу без наночастинок більш ніж на порядок.

Номер патенту: 104335

Опубліковано: 25.01.2016

Автори: Баловсяк Сергій Васильович, Фодчук Ігор Михайлович

МПК: G06T 17/30, G01T 1/16, G06F 17/17 ...

Мітки: визначення, х-променів, зовнішнього, методом, спосіб, середньої, відбивання, повного, висоті, поверхні, кристалу, арифметичної, нерівностей

Формула / Реферат:

Спосіб визначення середньої арифметичної висоти Ra нерівностей поверхні кристалу методом повного зовнішнього відбивання Х-променів на основі розподілів інтенсивності кривих гойдання (КГ) І(α), які обчислюють шляхом інтерполяції експериментальних КГ Η(α), отриманих в X-променевому дифрактометрі при фіксованих кутах θ повороту кристалу в Q базових точках з координатами (αр, Нр), який відрізняється тим, що точне...

Номер патенту: 99100

Опубліковано: 25.05.2015

Автори: Тімко Мілан, Копчанський Петер, Завісова Власта, Студеняк Ігор Петрович, Томашовічова Наталія, Ковальчук Олександр Васильович

МПК: G02F 1/13

Мітки: рідкого, кристалу, композита, підвищення, основі, спосіб, нематичного, іонної, провідності

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення іонної провідності композита на основі нематичного рідкого кристалу, який відрізняється тим, що в гомогенний нематичний рідкий кристал вносять домішки наночастинок магнетиту та вуглецевих нанотрубок, потім їх диспергують у ПВА, внаслідок чого отриманий композит має іонну провідність, яка перевищує іонну провідність композиту без наночастинок на 5 порядків.

Номер патенту: 99099

Опубліковано: 25.05.2015

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Шіпошова Катаріна, Ковальчук Олександр Васильович, Копчанський Петер, Газова Зузана, Тімко Мілан

МПК: G02F 1/13

Мітки: оптимальної, магнітного, концентрації, створення, кристалу, спосіб, ліотропного, лізозиму, визначення, рідкого

Формула / Реферат:

Спосіб визначення оптимальної концентрації лізозиму для створення ліотропного магнітного рідкого кристалу, який відрізняється тим, що по мінімуму зміни електричної провідності під дією магнітного поля від концентрації білка (лізозиму) визначають оптимальну концентрацію білка (лізозиму) для створення ліотропного магнітного рідкого кристалу на основі водних розчинів лізозиму, магнетиту та магнітної рідини.

Номер патенту: 102936

Опубліковано: 27.08.2013

Автори: Маковеєв Олександр Володимирович, Маковеєв Володимир Іванович

МПК: C30B 7/00, C30B 29/14

Мітки: зародкового, спосіб, калію, вирощування, розрощування, групи, монокристалів, кристалу, дигідрофосфату

Формула / Реферат:

1. Спосіб розрощування зародкового кристала для вирощування великогабаритних монокристалів групи дигідрофосфату калію, що включає виготовлення і підготовку зародкових кристалів орієнтації типу (101), заливку розчину стехіометричного складу (рН~4), процес розрощування паралельно кристалографічній площині (101), уздовж кристалографічної осі z, припинення процесу розрощування при формуванні загального приросту над зародковими кристалами, злив...

Номер патенту: 100728

Опубліковано: 25.01.2013

Автори: Шпирко Григорій Миколайович, Риган Михайло Юрійович, Гаврилко Петро Петрович, Кляп Михайло Петрович, Ткаченко Віктор Іванович

МПК: C30B 11/00

Мітки: кристалу, пристрій, кристалізацією, направленою, вирощування

Формула / Реферат:

Пристрій для вирощування кристалу направленою кристалізацією, який включає вертикально встановлену піч з нагрівачами опору і розміщену в ній ампулу із звуженим нижнім кінцем, який відрізняється тим, що він містить вставку у вигляді циліндра, розміщеного всередині печі з можливістю вертикального переміщення, механізм вертикального переміщення циліндра, ампула розміщена всередині циліндра і закріплена нерухомо щодо печі, а циліндр складається...

Номер патенту: 85783

Опубліковано: 25.02.2009

Автори: Ліщук Віталій Євгенович, Задніпрянний Денис Львович, Берінгов Сергій Борисович

МПК: C30B 15/20, C30B 15/10, C30B 15/00 ...

Мітки: утриманням, вирощування, спосіб, кристалу, тиглі, розплаву

Формула / Реферат:

1. Спосіб вирощування кристалу з утриманням розплаву у тиглі, що включає прикладання напруги між зовнішньою та внутрішньою поверхнею тигля, який відрізняється тим, що як тигель використовують кварцовий тигель, як розплав - розплав кремнію, причому до внутрішньої стінки тигля прикладають негативну полярність напруги.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що напругу прикладають між розплавом та зовнішньою поверхнею тигля, наприклад...

Номер патенту: 62553

Опубліковано: 15.12.2003

Автори: Проц Лариса Анатоліївна, Лавріненко Валерій Іванович, Пуга Павло Павлович, Соломон Андрій Михайлович

МПК: G01N 23/20

Мітки: контролю, спосіб, кристалу, якості

Формула / Реферат:

1. Спосіб контролю якості кристалу, який включає опромінення поверхні досліджуваного та еталонного кристалів монохроматичним рентгенівським променем та зняття кривих качання шляхом вимірювання інтенсивності відбитого рентгенівського променя при різних кутах повороту пучка відносно кристала та порівняння кривих качання, який відрізняється тим, що еталонний та досліджуваний кристали зішліфовують з утворенням площин з ідентичною...

Номер патенту: 62154

Опубліковано: 15.12.2003

Автори: Риган Михайло Юрієвич, Богданова-Борець Олександра Василівна, Шпирко Григорій Миколайович

МПК: C30B 11/00

Мітки: кадмію, спосіб, кристалу, тіогалату, одержання

Формула / Реферат:

Спосіб одержання кристалу тіогалату кадмію, який включає виготовлення і термічну обробку подвійної ампули з плавленого кварцу, розміщення в порожнині внутрішньої ампули шихти тіогалату кадмію, вакуумування та герметизацію порожнини ампули, розплавлення шихти тіогалату кадмію та наступну направлену кристалізацію розплаву, який відрізняється тим, що термічну обробку подвійної ампули здійснюють при температурі 1000-1200°С протягом 1-3 годин в...

Номер патенту: 49341

Опубліковано: 16.09.2002

Автори: Кудрявцев Дмитро Петрович, Просвірнін Андрій Леонідович, Оселедчик Юрій Семенович, Світанько Микола Вікторович

МПК: C30B 17/00

Мітки: спосіб, вирощування, борату, sr4b14, лантаноїдами, кристалу, легованого, стронцію

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування кристалу борату стронцію Sr4B14O25, легованого лантаноїдами, який включає приготування шихти стехіометричного складу з SrO і В2О3, узятих в молярному відношенні 1:2, розплавлення її, наступне охолодження і вирощування монокристалів на орієнтовану затравку з обертанням і програмованим витягуванням, який відрізняється тим, що в шихту вводять легуючі домішки у вигляді окислу лантаноїду RЕ2О3 в кількості

Номер патенту: 45871

Опубліковано: 15.04.2002

Автори: Тетерьвова Наталія Олексіївна, Копаєва Ольга Вікторівна, Рачинський Любомир Ярославович, Солодовнік Анатолій Іванович, Полухін Олексій Степанович, Зуєва Тетяна Костянтинівна

МПК: H01L 21/383, H01L 21/22

Мітки: приладу, виготовлення, кристалу, областями, напівпровідникового, кремнієвого, відокремлюючими, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення кристала кремнієвого напівпровідникового приладу з периферійними відокремлюючими областями, який включає формування на плоскій поверхні підложки n-типу провідності маскувального покриття і зон металу – розчинника на основі алюмінію відповідно до конфігурації відокремлюючих областей, видалення маскувального покриття, занурення і термоміграцію зон крізь підложку у вакуумі, створення за допомогою дифузії і, в разі...

Номер патенту: 35135

Опубліковано: 15.03.2001

Автори: Коложварі Марія Василівна, Богданова-Борець Олександра Василівна, Проц Лариса Анатоліївна, Шпирко Григорій Миколайович

МПК: C30B 15/00

Мітки: вирощування, кристалу, пристрій

Формула / Реферат:

Пристрій для вирощування кристалу, який містить тигель із розплавом, підставку із штоком, нагрівач та механізм вертикального переміщення тигля, який відрізняється тим, що механізм вертикального переміщення тигля містить розміщену під тиглем ємність з рідиною, в яку занурений поплавок, поплавок жорстко з'єднаний з підставкою тигля за допомогою несучого штоку, причому площа горизонтального перерізу ємності S та площа горизонтального перерізу...

Номер патенту: 32842

Опубліковано: 15.02.2001

Автори: Проц Лариса Анатолієвна, Коложварі Марія Василівна, Шпирко Григорій Миколайович, Богданова-Борець Олександра Василівна

МПК: C30B 11/00

Мітки: направленою, розплаву, кристалу, вирощування, спосіб, кристалізацією

Формула / Реферат:

1. Спосіб вирощування кристалу направленою кристалізацією розплаву, який включає розміщення речовини, яку кристалізують, в порожнину вертикально установленого контейнеру зі звуженим нижнім кінцем, розплавлення речовини та направлене охолодження розплаву знизу, який відрізняється тим, що направлене охолодження розплаву здійснюють шляхом занурення контейнеру в рідину з температурою, яка нижча температури плавлення речовини, яка...

Номер патенту: 26019

Опубліковано: 26.02.1999

Автори: Абрамов Володимир Миколайович, Алешкевич Олег Володимирович

МПК: B28D 5/00

Мітки: підготовки, спосіб, кристалу, обточування

Формула / Реферат:

Способ подготовки кристалла к обтачиванию, включающий операции установки кристалла в державках станка, при которой ось кристалла располагают параллельно оси вращения, дискретного вращения кристалла в станке, регистрации контуров профилей кристалла, по которым судят о форме и геометрических параметрах предполагаемого изделия, которое может быть изготовлено из кристалла, отличающийся тем, что предварительно формируют трехмерные изображения...

Номер патенту: 16667

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Соломаха Юрій Олексійович, Стаднік Петро Омел'янович, Гавриш Валентина Олексіївна, Заславський Борис Григорович, Васецький Сергій Іванович, Даниленко Едуард Васильович

МПК: C30B 15/00

Мітки: процесом, розплаву, спосіб, витягування, керування, здійснення, кристалу

Формула / Реферат:

1. Способ управления процессом вытягива­ния кристалла из расплава путем дозирования под­питки в зависимости от уровня расплава и регулирования диаметра кристалла в зависимости от температуры расплава, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности регулирова­ния диаметра растущего кристалла, задают интер­вал времени между подпитками, измеряют фактические интервалы времени между подпитка­ми , а температуру расплава изменяют по отклоне­нию...

Номер патенту: 2399

Опубліковано: 26.12.1994

Автори: Нагірна Ганна Нестерівна, Одесюк Іван Тимофійович, Петров Юрій Сергійович

МПК: B28D 5/00

Мітки: кристалу, огранки, алмазу, спосіб, деформованого

Формула / Реферат:

1. Способ огранки деформированного кристалла алмаза, преимущественно при изготов­лении бриллиантов, включающий установку кристалла алмаза в держатель, поворот кристалла алмаза по часовой стрелке вокруг оси держателя на угол 22 "З0', пробное шлифование в различных направлениях относительно кристалло­графических осей алмаза, выбор направления шлифования с наибольшей интенсивностью съема и последующее шлифование и полирование гра­ней,...