Коложварі Марія Василівна

Номер патенту: 35135

Опубліковано: 15.03.2001

Автори: Проц Лариса Анатоліївна, Шпирко Григорій Миколайович, Коложварі Марія Василівна, Богданова-Борець Олександра Василівна

МПК: C30B 15/00

Мітки: вирощування, кристалу, пристрій

Формула / Реферат:

Пристрій для вирощування кристалу, який містить тигель із розплавом, підставку із штоком, нагрівач та механізм вертикального переміщення тигля, який відрізняється тим, що механізм вертикального переміщення тигля містить розміщену під тиглем ємність з рідиною, в яку занурений поплавок, поплавок жорстко з'єднаний з підставкою тигля за допомогою несучого штоку, причому площа горизонтального перерізу ємності S та площа горизонтального перерізу...

Номер патенту: 32842

Опубліковано: 15.02.2001

Автори: Проц Лариса Анатолієвна, Коложварі Марія Василівна, Богданова-Борець Олександра Василівна, Шпирко Григорій Миколайович

МПК: C30B 11/00

Мітки: кристалізацією, розплаву, вирощування, спосіб, кристалу, направленою

Формула / Реферат:

1. Спосіб вирощування кристалу направленою кристалізацією розплаву, який включає розміщення речовини, яку кристалізують, в порожнину вертикально установленого контейнеру зі звуженим нижнім кінцем, розплавлення речовини та направлене охолодження розплаву знизу, який відрізняється тим, що направлене охолодження розплаву здійснюють шляхом занурення контейнеру в рідину з температурою, яка нижча температури плавлення речовини, яка...

Номер патенту: 32987

Опубліковано: 15.02.2001

Автори: Богданова-Борець Олександра Василівна, Коложварі Марія Василівна, Шпирко Григорій Миколайович

МПК: G01N 23/20, C30B 33/00

Мітки: орієнтування, спосіб, монокристалу

Текст:

...згідно винаходу, на монокристалі виконують принаймні дві пари паралельних зрізів , визначають взаємне розміщення виконаних зрізів , розділяють монокристал на дві частини, кожна з яких містить принаймні два непаралель-них зрізи, після чого визначають просторове положення по відношенню -до кристалографічних напрямків монокристалу зрізів однієї , переваж 2. но, меншої частини монокристалу 1 по ньому судять про орієнтацію зрізів на другій...

Номер патенту: 32857

Опубліковано: 15.02.2001

Автори: Богданова-Борець Олександра Василівна, Коложварі Марія Василівна, Проц Лариса Анатолієвна, Шпирко Григорій Миколайович

МПК: C30B 15/30

Мітки: розплаву, витягуванням, кристалів, пристрій, вирощування

Текст:

...кристалу U~t , а його гори зонтальний переріз St , тигель з горизонтальним перерізом $І, , то для забезпечення постійності рівня розплаву по відношенню до нагріваючрго елементу необхідно тигель піднімати зі швидкістю Ол'—-fs—~ І . При перемінному перерізі тиглю відповідно повинна змінюватися і швид кість його піднімання. На початковій і кінцевій стадіях росту криста лу переріз його по висоті змінюється , що також вимагає зміни швидкості...