Пучкова Надія Сергіївна

Номер патенту: 20814

Опубліковано: 15.02.2007

Автори: Сидорець Ростислав Григорович, Пучкова Надія Сергіївна, Смирнов Анатолій Миколайович, Вікулін Іван Михайлович

МПК: C03C 14/00

Мітки: високовольтних, резисторів, товстоплівкових, скло

Формула / Реферат:

1. Скло для високовольтних товстоплівкових резисторів, що містить PbO, SiО2, Al2O3, яке відрізняється тим, що додатково містить ТіО2 і ВаО при наступному співвідношенні компонентів, мас. %: РbО – 50...60, SiO2 - 25...35, Al2O3 - 5...10, ВаО - 5...10, ТiO2 - 1...5.2. Скло за п. 1, яке відрізняється тим, що після здрібнювання (помелу) на планетарному млині його додатково класифікують методом центрифугування за розмірами частинок 1-0...

Номер патенту: 12849

Опубліковано: 15.03.2006

Автори: Сидорець Ростислав Григорович, Пучкова Надія Сергіївна, Вікулін Іван Михайлович, Смирнов Анатолій Миколайович

МПК: H01C 17/06, C03C 14/00

Мітки: товстоплівкових, скло, резисторів

Формула / Реферат:

1. Скло для товстоплівкових резисторів, яке містить PbO, SiO2 і Ві2О3, яке відрізняється тим, що воно додатково містить CdO і Аl2О3 при наступному співвідношенні компонентів, мас %:PbO                55-65SiO2                20-30Ві2О3                1-3CdO                  4-7Аl2О3                5-10.2. Скло за п. 1, яке відрізняється тим, що після подрібнення (помелу) на планетарному млині воно...