Патенти з міткою «товстоплівкових»

Номер патенту: 110982

Опубліковано: 10.03.2016

Автори: Бугайова Тетяна Миколаївна, Лепіх Ярослав Ілліч, Лавренова Тетяна Іванівна

МПК: H01C 17/065, H01B 1/08

Мітки: матеріал, резистивний, товстоплівкових, елементів

Формула / Реферат:

Резистивний матеріал для товстоплівкових елементів, який містить струмопровідну фазу на основі оксидних сполук рутенію 6-10 мас. %, срібла 15-25 мас. % та паладію 2-6 мас. %, склозв'язуюче, органічне сполучне, який відрізняється тим, що як склозв'язуюче використовується легкоплавке скло наступного складу, мас. %: Ві2О3 66,0-73,5 ZnO 7,0-12,0 SiO2 ...

Номер патенту: 90549

Опубліковано: 26.05.2014

Автори: Бугайова Тетяна Миколаївна, Лепіх Ярослав Ілліч, Лавренова Тетяна Іванівна

МПК: H01C 17/00

Мітки: елементів, резистивний, матеріал, низькоомний, товстоплівкових

Формула / Реферат:

Низькоомний резистивний матеріал для товстоплівкових елементів, що містить струмопровідну фазу на основі оксидних з'єднань рутенію, срібла та паладію, стеклозв'язуюче, органічне сполучне, який відрізняється тим, що як стеклозв'язуюче використовують легкоплавке скло наступного складу, (мас, %): Ві2О3 66,0-73,5 ZnO 7,0-12,0 SiO2 5,0-8,5 ...

Номер патенту: 68124

Опубліковано: 12.03.2012

Автори: Бугайова Тетяна Миколаївна, Лавренова Тетяна Іванівна, Лепіх Ярослав Ілліч, Курмашев Шаміль Джамашевич

МПК: H01C 17/00, C03C 14/00

Мітки: товстоплівкових, скло, резисторів, легкоплавке

Формула / Реферат:

Легкоплавке скло для товстоплівкових резисторів, що включає SiO2, Ві2О3, СdO, яке відрізняється тим, що додатково містить ZnO, MgO, В2О3, а інгредієнти узяті в наступному співвідношенні (%, мас): Ві2О3 66,0-73,5 ZnO 7,0-12,0 SiO2 5,0-8,5 В2О, 7,5-10,0 CdO 3,0-8,5 ...

Номер патенту: 53734

Опубліковано: 11.10.2010

Автор: Осєчкін Сергій Іванович

МПК: H05K 1/16, C04B 35/468

Мітки: комутаційних, діелектричних, товстоплівкових, плат, шарів, ізоляційних, паста, багаторівневих

Формула / Реферат:

Паста для товстоплівкових діелектричних ізоляційних шарів багаторівневих комутаційних плат, що містить дрібнодисперсний порошок склокристалічного титано-барієвого матеріалу із вмістом двоокису титану, окису барію, двоокису кремнію, окису цинку, окису бору, окису алюмінію, двоокису цирконію, окису кадмію, окису свинцю, окису вісмуту, дрібнодисперсний порошок окису металу як наповнювач і органічну зв'язку із вмістом терпінеолу і етилцелюлози,...

Номер патенту: 52943

Опубліковано: 10.09.2010

Автор: Осєчкін Сергій Іванович

МПК: H01B 1/02

Мітки: внутрішніх, рівнів, плат, товстоплівкових, комутаційних, струмопровідних, паста, шарів, багаторівневих

Формула / Реферат:

Паста для товстоплівкових струмопровідних шарів внутрішніх рівнів багаторівневих комутаційних плат, яка містить суміш дрібнодисперсного порошку срібла, дрібнодисперсного порошку паладію, дрібнодисперсного порошку аморфного вісмутборосилікатного скла і органічну зв'язку, яка відрізняється тим, що вона додатково містить дрібнодисперсний порошок свинцевосилікатного склокристалічного матеріалу при наступному співвідношенні всіх компонентів,...

Номер патенту: 52628

Опубліковано: 25.08.2010

Автор: Осєчкін Сергій Іванович

МПК: H01B 1/02

Мітки: багаторівневих, плат, товстоплівкових, шарів, паста, зовнішніх, рівнів, струмопровідних, комутаційних

Формула / Реферат:

Паста для товстоплівкових струмопровідних шарів зовнішніх рівнів багаторівневих комутаційних плат, що містить суміш дрібнодисперсного порошку срібла, дрібнодисперсного порошку платини, дрібнодисперсного порошку безсвинцевого скла із вмістом окису бору і окису цинку, органічну зв'язку із вмістом терпінеолу, етилцелюлози і води, яка відрізняється тим, що вона додатково містить дрібнодисперсний порошок вісмутборосилікатного скла при наступному...

Номер патенту: 37213

Опубліковано: 25.11.2008

Автори: Бронников Анатолій Никифорович, Клімов Всеволод Валентинович, Штонда Олексій Сергійович, Селікова Нелля Іванівна, Скірдіна Інна Костянтинівна

МПК: H01L 21/00, C04B 35/00

Мітки: свинцю, п'єзоелектричних, товстоплівкових, елементів, основі, багатошарових, спосіб, одержання, цирконату-титанату

Формула / Реферат:

Спосіб одержання багатошарових товстоплівкових п'єзоелектричних елементів на основі цирконату-титанату свинцю, який включає отримання наповнювача на основі дрібнодисперсної синтезованої шихти п'єзоелектричного матеріалу ЦТССт-3 із добавкою 2 мас. % Ві2О3 у пристроях з високим рівнем енергетичної дії, змішування наповнювача з органічним зв'язуючим, отримання сегнетоелектричної пасти, нанесення сегнетоелектричної пасти та срібловмісної пасти...

Номер патенту: 20814

Опубліковано: 15.02.2007

Автори: Сидорець Ростислав Григорович, Вікулін Іван Михайлович, Пучкова Надія Сергіївна, Смирнов Анатолій Миколайович

МПК: C03C 14/00

Мітки: скло, товстоплівкових, резисторів, високовольтних

Формула / Реферат:

1. Скло для високовольтних товстоплівкових резисторів, що містить PbO, SiО2, Al2O3, яке відрізняється тим, що додатково містить ТіО2 і ВаО при наступному співвідношенні компонентів, мас. %: РbО – 50...60, SiO2 - 25...35, Al2O3 - 5...10, ВаО - 5...10, ТiO2 - 1...5.2. Скло за п. 1, яке відрізняється тим, що після здрібнювання (помелу) на планетарному млині його додатково класифікують методом центрифугування за розмірами частинок 1-0...

Номер патенту: 16229

Опубліковано: 17.07.2006

Автори: Шибаєв Володимир Олександрович, Максимов Володимир Миколайович, Тельніков Євгеній Якович

МПК: H01B 1/00, H05B 3/00

Мітки: матеріал, товстоплівкових, резисторів

Формула / Реферат:

1. Матеріал для товстоплівкових резисторів, що містить провідну фазу і склозв'язуюче, який відрізняється тим, що провідна фаза містить бориди металів, наприклад: ТіВ2, CrB2, NiB, Ni2B, Ni3B, Ni3B-Ni, ВаВ6, СаВ6, і т.ін., а склозв'язуючим є скло, що кристалізується.2. Матеріал за п. 1, який відрізняється тим, що провідна фаза містить ТіВ2 та/або CrB2, та/або NiB, та/або N2B, та/або Ni3В, та/або Ni3В-Ni, та/або ВаВ6, та/або СаВ6 і...

Номер патенту: 12849

Опубліковано: 15.03.2006

Автори: Сидорець Ростислав Григорович, Пучкова Надія Сергіївна, Вікулін Іван Михайлович, Смирнов Анатолій Миколайович

МПК: C03C 14/00, H01C 17/06

Мітки: резисторів, товстоплівкових, скло

Формула / Реферат:

1. Скло для товстоплівкових резисторів, яке містить PbO, SiO2 і Ві2О3, яке відрізняється тим, що воно додатково містить CdO і Аl2О3 при наступному співвідношенні компонентів, мас %:PbO                55-65SiO2                20-30Ві2О3                1-3CdO                  4-7Аl2О3                5-10.2. Скло за п. 1, яке відрізняється тим, що після подрібнення (помелу) на планетарному млині воно...

Номер патенту: 25448

Опубліковано: 30.10.1998

Автори: Яворів Ігор Богданович, Шередько Микола Андрійович, Калашник Ліна Дмитрівна, Кужель Богдан Степанович, Левін Євген Михайлович

МПК: H01B 1/06

Мітки: резистивний, електронагрівачів, матеріал, товстоплівкових

Формула / Реферат:

1. Резистивний матеріал для товстоплівкових електронагрівачів, що містить провідну фазу і склозв'язку, який відрізняється тим, що провідною фазою є дисиліцид хрому, а склозв'язка містить компоненти у наступному співвідношенні мас.%: BaO3 45,0 - 50,0 Аl2O3 1,0 - 8,0 ZnO 25,0 - 33,0 MnO 13,0 - 19,0 ...

Номер патенту: 19294

Опубліковано: 25.12.1997

Автори: Калашник Ліна Дмитрівна, Яворів Ігор Богданович, Левін Євген Михайлович, Тебенько Ігор Васильович, Шередько Микола Андрійович, Прокопишин Іван Юрійович

МПК: H01B 1/06, H01C 7/00

Мітки: товстоплівкових, матеріал, резисторів

Формула / Реферат:

Материл для толстопленочных резисторов, включающий борсодержащий силицид никеля в количестве 30-60 мас.% и стекло-связующее на основе системы B2O3-AI2O3-ZnO-MnO-Na2O-Li2O в количестве 40-70 мас.%, отличающийся тем, что он дополнительно содержит в составе стекло-связующего оксид калия при следующем соотношении компонентов стеклосвязующего, мас.%: 

Номер патенту: 11037

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Підковка Володимир Олексійович, Кузьма Юрій Богданович, Тебенько Ігор Васильович, Бодак Оксана Іванівна, Левін Євген Михайлович, Котик Василь Степанович, Калашник Ліна Дмитрівна, Прокопишин Іван Юрійович, Шередько Микола Андрійович, Яворів Ігор Богданович

МПК: H01C 7/00, H01B 1/06

Мітки: товстоплівкових, резисторів, матеріал