Скло для високовольтних товстоплівкових резисторів

1. Скло для високовольтних товстоплівкових резисторів, що містить PbO, SiО2, Al2O3 , яке відрізняється тим, що додатково містить ТіО2 і ВаО 3 20814 4 частинок різного розміру: від 1мкм до 20-30мкм. перемішуванням порошку скла, з'єднань рутенія і Для одержання стабільних результатів і повторютимчасового органічного зв'язувального. Потім ваності номіналів резисторів скла класифікується пасту наносять на керамічні підшарки, методом по розмірах часток, тобто розділяється на Фракції: трафаретного друку, підсушують і піддають тер1-3мкм, 3-5мкм, 5-7мкм і більше 10мкм методом мообробці при температурі 850±20°С. Резистори, центрифугирования. виготовлені з використанням скла пропонованого Корисна модель пояснюється на конкретних складу, характеризуються підвищеною стійкістю прикладах, які наведено в таблиці 1. до напруги, високою стабільністю до впливу клімаХарактеристики одержаних стекол наведено в тичних факторів. таблиці 2. Характеристики одержаних паст наведено в таблиці 3. Стекла мають питомий опір 1013Ом×см, середТехнологічні умови ню температуру початку розм'якшення, добру влагостійкість, добре погоджені за коефіцієнтом лінійТрафаретна печатка: через сталеву сітку з розміром комірок 56мкм. Сушіння: при температурі ного термічного розширення з матеріалом основи 125-150×1/°С протягом 10-15 хвилин Впікання: мак(КЛТР підшарку з кераміки 70×10-61/°С). На основі зазначених стекол виготовляють симальна температура впікання 850±5×1/°С. Час товстоплівкові рутеніїві резистори. Для цього одевитримки при максимальній температурі 10 хвиржують резистивні пасти, які готують ретельним лин. Таблиця 1 Склад 1 2 3 Зміст вихідних компонентів, мас. % SiO АlО ВаО 35,0 10,0 4,0 30,0 7,0 6,0 25,0 5,0 7,0 РbО 50,0 55,0 60,0 ТіО2 1,0 2,0 3,0 Таблиця 2 Склад 1 2 3 КЛТР,1/°С -6 66×10 68×10-6 70×10-6 Температура початку розм'я гчення, °С 610 600 590 R, Ом .см Гідролітичний клас 10 10 10 11 11 11 Таблиця 3 Назва показника 5571 10 ±20 ±100 100 15 Номінальне значення опору, МО м/п Припустиме відхилення, % ТКО (60-125)10-6 1/°С) Градієнт напруги, В/мм Припустиме навантаження, Вт/мм Стабільність резисторів, після впливу кліматичних факторів і електричного навантаження, %, не більш ±1,0 Марка пасти 5575 5581 50 100 ±20 ±20 ±150 ±200 200 250 15 15 ±1,5 Література: 1. Патент США №3324049, кл.252-514, опубл. 1967р. 2. Патент України №12849, з 4.04.2005 опубл. 15.03.2006 Бюл. №3, 2006р. Комп’ютерна в ерстка Н. Лисенко Підписне Тираж 26 прим. Міністерство осв іт и і науки України Держав ний департамент інтелектуальної в ласності, вул. Урицького, 45, м. Київ , МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислов ої в ласності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601 ±1,5