Вікулін Іван Михайлович

Номер патенту: 119798

Опубліковано: 10.10.2017

Автори: Годованюк Василь Миколайович, Ірха Василь Іванович, Горбачов Віктор Едуардович, Вікулін Іван Михайлович

МПК: G01N 27/00, H01J 9/00

Мітки: сенсор, газовий

Формула / Реферат:

Газовий сенсор, що містить світлодіод, фотоприймач та газочутливу напівпрозору пластинку, який відрізняється тим, що як фотоприймач використовується вимірювальний міст із двох пар фотодіодів, одна із них приймає відбите від пластинки світло та розташована зі сторони світлодіода, а друга - приймає світло, що проходить через пластинку та розташована із протилежного боку пластинки.

Номер патенту: 116574

Опубліковано: 25.05.2017

Автори: Ірха Василь Іванович, Вікулін Іван Михайлович, Горбачов Віктор Едуардович

МПК: G01N 21/00

Мітки: оптоелектронний, рівня, рідини, сенсор

Формула / Реферат:

Оптоелектронний сенсор рівня рідини в замкнутому корпусі, всередині якого знаходяться випромінювач світла та два фотоприймачі, який відрізняється тим, що випромінювач і два фотоприймачі розташовані на верхній поверхні корпусу, а фотоприймачі включені в схему вимірювального мосту.

Номер патенту: 106235

Опубліковано: 25.04.2016

Автори: Ірха Василь Іванович, Ірха Юлія Вікторівна, Вікулін Іван Михайлович

МПК: G01C 1/00

Мітки: положення, спосіб, кутового, осі, обертання, виміру

Формула / Реферат:

Спосіб виміру кутового положення осі обертання оптоелектронним імпульсним методом з перетворенням вимірюваної величини в часові чи цифрові інтервали, який відрізняється тим, що з метою спрощення оптичної схеми точкове джерело світла розміщують на осі обертання, на додаткову скануючу вісь розміщують в нахиленому положенні увігнуте дзеркало на відстані від точкового джерела світла, дещо більшій від його фокусної відстані, зображення джерела,...

Номер патенту: 103817

Опубліковано: 25.12.2015

Автори: Веремьова Ганна Вікторівна, Марколенко Павло Юрійович, Вікулін Іван Михайлович, Горбачов Віктор Едуардович

МПК: G01T 1/00, H01L 31/00, G01N 23/00 ...

Мітки: датчик, радіації

Формула / Реферат:

Датчик радіації, що містить вимірювальний міст з чотирьох напівпровідникових елементів, який відрізняється тим, що використовують як всі чотири елементи польові транзистори, причому два елементи, що розташовані за однією діагоналлю мосту, мають від'ємний коефіцієнт струмової радіаційної чутливості, а два інші, які розташовані за другою діагоналлю, мають додатній коефіцієнт чутливості.

Номер патенту: 103816

Опубліковано: 25.12.2015

Автори: Горбачов Віктор Едуардович, Марколенко Павло Юрійович, Вікулін Іван Михайлович, Веремьова Ганна Вікторівна

МПК: H01L 31/00, G01T 1/00

Мітки: дозиметр, напівпровідниковий

Формула / Реферат:

Напівпровідниковий дозиметр на базі генератора релаксаційних коливань, що має одноперехідний транзистор, в електричне коло емітера якого ввімкнений конденсатор та елемент, що задає струм, який відрізняється тим, що як цій елемент використовують польовий транзистор.

Номер патенту: 103575

Опубліковано: 25.12.2015

Автори: Марколенко Павло Юрійович, Горбачов Віктор Едуардович, Вікулін Іван Михайлович, Веремьєва Ганна Вікторівна

МПК: H01L 31/00

Мітки: магнітного, датчик, поля

Формула / Реферат:

Датчик магнітного поля на основі двоколекторного магнітотранзистора з двома навантажувальними елементами в колах колекторів, які відрізняються тим, що як навантажувальні елементи використовуються магнітодіоди з протилежними знаками магніточутливості.

Номер патенту: 102232

Опубліковано: 26.10.2015

Автори: Вікулін Іван Михайлович, Криськів Світлана Казимирівна, Коробіцин Борис Васильович

МПК: H01L 27/00, G01R 31/28

Мітки: спосіб, забороненої, зони, визначення, ширини, напівпровідників

Формула / Реферат:

Спосіб визначення ширини забороненої зони напівпровідників за вимірянням вольтамперних характеристик при двох температурах, який відрізняється тим, що на гомогенних p-n-структурах при двох невисоких температурах кімнатній та вищій на 30…50 °C, вимірюються вольт-амперні характеристики при струмах, що відповідають лінійній ділянці, з котрих екстраполяцією до нуля струму визначаються струмові напруги відсічки і по отриманій формулі...

Номер патенту: 99523

Опубліковано: 10.06.2015

Автори: Поляков Сергій Миколайович, Веремйова Ганна Вікторівна, Курмашев Шаміль Джамашевич, Вікулін Іван Михайлович

МПК: H01L 31/10

Мітки: пристрій, фотоприймальний

Формула / Реферат:

Фотоприймальний пристрій на базі одноперехідного фототранзистора, який ввімкнено в схему генератора релаксаційних коливань з струмозадаючим елементом в ланцюжку бази і конденсатором С в ланцюжку емітер-база, який заряджений через біполярний фототранзистор, який відрізняється тим, що як струмозадаючий елемент бази одноперехідного фототранзистора використовується МДН-фототранзистор, в якому між металевим шаром затвору і діелектриком...

Номер патенту: 99283

Опубліковано: 25.05.2015

Автори: Веремйова Ганна Вікторівна, Вікулін Іван Михайлович, Поляков Сергій Миколайович, Курмашев Шаміль Джамашевич

МПК: G02F 1/00, H01L 31/10

Мітки: модулятор, оптичний

Формула / Реферат:

Оптичний модулятор, виготовлений з напівпровідникової структури, що містить p- і n-області, а також омічні контакти до них, який відрізняється тим, що проміж p- і n-областями розміщено напівпровідник з забороненою зоною, меншою, ніж заборонені зони p- і n-областей.

Номер патенту: 98930

Опубліковано: 12.05.2015

Автори: Ірха Василь Іванович, Марколенко Павло Юрійович, Вікулін Іван Михайлович, Ірха Юлія Вікторівна

МПК: G01N 27/02

Мітки: сенсор, газочутливий

Формула / Реферат:

Газочутливий сенсор, що містить генератор релаксаційних коливань на основі одноперехідного транзистора із газочутливим метал-діелектрик-напівпровідниковим (МДН) транзистором з індукованим каналом n-типу в колі емітера та МДН-газочутливого конденсатора, а також із струмозадавальним елементом в колі бази одноперехідного транзистора, який відрізняється тим, що як такий елемент використовується газочутливий МДН-транзистор з індукованим каналом...

Номер патенту: 97656

Опубліковано: 25.03.2015

Автори: Вікулін Іван Михайлович, Ірха Василь Іванович

МПК: G01N 27/02

Мітки: газочутливий, пристрій

Формула / Реферат:

Газочутливий пристрій, що містить вимірювальний міст з чотирьох елементів, два із яких являються польовими МДН-транзисторами з газочутливим затвором, який відрізняється тим, що як всі чотири елементи використовуються польові МДН-транзистори, причому два МДН-транзистори з позитивним знаком газочутливості, розташовані в протилежних плечах мосту, являють собою МДН-транзистори з індукованим каналом на основі напівпровідника n-типу провідності, а...

Номер патенту: 92282

Опубліковано: 11.08.2014

Автори: Курмашев Шаміль Джамашевич, Поляков Сергій Миколайович, Вікулін Іван Михайлович, Веремйова Ганна Вікторівна

МПК: H01L 31/10

Мітки: основі, одноперехідного, транзистора, генератор

Формула / Реферат:

Генератор на основі одноперехідного транзистора, що містить одноперехідний транзистор на основі напівпровідника n-типу з двома базовими контактами та емітерним p-n-переходом між ними, який відрізняється тим, що базовий контакт до модульованої частини основи одноперехідного транзистора являє собою другий р-n-перехід.

Номер патенту: 90333

Опубліковано: 26.05.2014

Автори: Вікулін Іван Михайлович, Константинов Костянтин Васильович, Ірха Василь Іванович

МПК: G01N 27/00

Мітки: газочутливий, пристрій

Формула / Реферат:

Газочутливий пристрій, що містить чотирьохелементний вимірюваний міст із чутливими до газу резисторами, який відрізняється тим, що всі чотири елементи вимірів мосту використовують газочутливі резистори, по два із різними знаками чутливості, розташованими в протилежних плечах мосту, причому перший вхід мосту з'єднаний з першою шиною джерела живлення, а другий вхід мосту через додатково підключений резистор з'єднаний з другою шиною джерела...

Номер патенту: 89074

Опубліковано: 10.04.2014

Автори: Софронков Олександр Наумович, Курмашев Шаміль Джамашевич, Вікулін Іван Михайлович

МПК: G02F 1/00, H01L 31/10

Мітки: модулятор, оптичний

Формула / Реферат:

Оптичний модулятор, виготовлений з напівпровідникової структури, що містить р-n-перехід, а також омічні контакти до р- і n-областей, який відрізняється тим, що р-n-перехід виготовлено з напівпровідників з різною шириною забороненої зони.

Номер патенту: 82587

Опубліковано: 12.08.2013

Автори: Вікулін Іван Михайлович, Ірха Василь Іванович, Константинов Костянтин Васильович

МПК: G01N 27/02

Мітки: сенсор, газочутливий

Формула / Реферат:

Газочутливий сенсор, що містить чотириелементний вимірювальний міст із чутливими до даного газу конденсаторами, який відрізняється тим, що як всі чотири елементи мосту використовуються газочутливі конденсатори, причому як два газочутливих конденсатори із додатним знаком чутливості, розташовані в протилежних плечах мосту, використовуються конденсатори із Pd-Si3N4-SiO2-n-Si з товстими діелектричними шарами, а як два інших - із від'ємним знаком...

Номер патенту: 82586

Опубліковано: 12.08.2013

Автори: Веремйова Ганна Вікторівна, Вікулін Іван Михайлович, Курмашев Шаміль Джамашевич

МПК: H01L 31/10

Мітки: фотоприймальний, пристрій

Формула / Реферат:

Фотоприймальний пристрій, що містить вимірювальний міст з чотирьох елементів в плечах та фотоприймачі, який відрізняється тим, що як всі чотири елементи використано польові фототранзистори, причому як два фототранзистори з позитивним знаком фоточутливості, розташованих в протилежних плечах мосту, використовуються МДН-фототранзистори, а як два інших, з негативним знаком фоточутливості, використовуються МДН-фототранзистори з прошарком...

Номер патенту: 80418

Опубліковано: 27.05.2013

Автори: Вікулін Іван Михайлович, Курмашев Шаміль Джамашевич, Софронков Олександр Наумович

МПК: H01C 17/00

Мітки: порошків, кремнію, карбіду, отримання, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання порошків карбіду кремнію, в якому проводиться нагрів газів-реагентів силану та етилену, який відрізняється тим, що нагрів газів проводиться випромінюванням СО2-лазера.

Номер патенту: 79408

Опубліковано: 25.04.2013

Автори: Вікулін Іван Михайлович, Курмашев Шаміль Джамашевич, Веремйова Ганна Вікторівна

МПК: H01L 31/10

Мітки: пристрій, фотоприймальний

Формула / Реферат:

Фотоприймальний пристрій, що містить вимірювальний міст з чотирьох елементів в плечах, включно фотоприймачі, який відрізняється тим, що як всі чотири елементи використано фоторезистори, причому як два фоторезистори з позитивним знаком фоточутливості, розташовані у протилежних плечах мосту, використано сірчано-кадмієві фоторезистори, а як два інші, з негативним знаком фоточутливості, використано фоторезистори, які виготовлено із...

Номер патенту: 78991

Опубліковано: 10.04.2013

Автори: Константинов Костянтин Васильович, Ірха Василь Іванович, Вікулін Іван Михайлович

МПК: G01N 27/00

Мітки: сенсор, газочутливий

Формула / Реферат:

Газочутливий сенсор, що містить чотирьохелементний вимірювальний міст із чутливими до даного газу резисторами, який відрізняється тим, що як всі чотири елементи мосту використовують газочутливі резистори, причому як два газочутливі резистори із позитивним знаком чутливості, розташовані в протилежних плечах мосту, використовують резистори із тонких плівок γ-Ре2О3, а як два інших, із негативним знаком чутливості, резистори із тонких...

Номер патенту: 76593

Опубліковано: 10.01.2013

Автори: Курмашев Шаміль Джамашевич, Вікулін Іван Михайлович, Годованюк Василь Миколайович, Веремйова Ганна Вікторівна

МПК: H01L 31/10

Мітки: фотоприймач

Формула / Реферат:

Фотоприймач, що містить генератор на одноперехідному фототранзисторі, в електричний контур емітера якого ввімкнутий конденсатор, який відрізняється тим, що як конденсатор використовується МДН-структура, електрична ємність якої зменшується із зменшенням напруги.

Номер патенту: 76166

Опубліковано: 25.12.2012

Автори: Ірха Василь Іванович, Вікулін Іван Михайлович

МПК: G01N 27/02

Мітки: газовий, сенсор

Формула / Реферат:

Газовий сенсор, що містить генератор релаксаційних коливань на основі одноперехідного транзистора зі струмозадавальним елементом та конденсатором в колі емітера, який відрізняється тим, що як елемент використовують МДН-транзистор, з індукованим каналом n-типу, а як конденсатор - МДН-структуру з двома виводами від металу та напівпровідника.

Номер патенту: 68148

Опубліковано: 12.03.2012

Автори: Горбачов Віктор Едуардович, Вікулін Іван Михайлович, Курмашев Шаміль Джамашевич, Марколенко Павло Юрійович

МПК: H01L 31/00

Мітки: фотоприймач

Формула / Реферат:

Фотоприймач, на базі генератора релаксаційних коливань, що вміщує кремнієвий одноперехідний фототранзистор, в електричний контур емітера якого ввімкнуто конденсатор і кремнієвий біполярний фототранзистор, який відрізняється тим, що біполярний фототранзистор виконано з германію.

Номер патенту: 62105

Опубліковано: 10.08.2011

Автори: Вікулін Іван Михайлович, Ірха Василь Іванович, Німцович Андрій Іванович

МПК: G01N 27/02

Мітки: сенсор, газочутливий

Формула / Реферат:

Газочутливий сенсор, що містить генератор релаксаційних коливань на основі одноперехідного транзистора з резистором R та конденсатором С, який відрізняється тим, що як конденсатор та резистор використані елементи, величини С та R яких узгоджено змінюються залежно від концентрації даного газу.

Номер патенту: 58429

Опубліковано: 11.04.2011

Автори: Вікуліна Лідія Федорівна, Курмашев Шаміль Джамашевич, Німцович Андрій Іванович, Вікулін Іван Михайлович

МПК: H01L 31/10

Мітки: фотоприймач

Формула / Реферат:

Фотоприймач, що містить одноперехідний фототранзистор на базі напівпровідника n-типу провідності з двома омічними контактами, емітерним p-n-переходом між ними та областю n-типу в емітерній р-області, який відрізняється тим, що в емітерній p-області сформовано додаткову область n-типу.

Номер патенту: 57636

Опубліковано: 10.03.2011

Автори: Сидорець Ростислав Григорович, Смирнов Анатолій Миколайович, Курмашев Шаміль Джамашевич, Вікулін Іван Михайлович, Корецький Валерій Миколайович

МПК: B23K 35/36, B23K 1/00, B23K 35/24 ...

Мітки: паяння, паста, лудіння

Формула / Реферат:

Паста для лудіння і паяння, що містить суміш каніфолі, дибутилфталату, порошку припою ПОС-61, яка відрізняється тим, що склад пасти додатково містить касторове масло, діетиламін солянокислий, малеїнову кислоту або малеїновий ангідрид, а інгредієнти узяті у наступному співвідношенні (в % по масі): каніфоль 1-11 дибутилфталат 2-4 касторове масло ...

Номер патенту: 53618

Опубліковано: 11.10.2010

Автори: Сидорець Ростислав Григорович, Вікулін Іван Михайлович, Курмашев Шаміль Джамашевич

МПК: G01L 9/04

Мітки: тензотранзистор, одноперехідний

Формула / Реферат:

Одноперехідний тензотранзистор, що містить базовий напівпровідник з першим омічним контактом до нього на одній стороні і другим омічним контактом на протилежній стороні та розташованим поруч з ним емітерним p-n-переходом, який відрізняється тим, що поруч з другим омічним контактом на базі розташовано перехід метал-напівпровідник, який електрично поєднано з цим омічним контактом.

Номер патенту: 49256

Опубліковано: 26.04.2010

Автори: Вікулін Іван Михайлович, Вікуліна Лідія Федорівна, Курмашев Шаміль Джамашевич

МПК: H01L 29/82

Мітки: сенсор, магніточутливий

Формула / Реферат:

Магніточутливий сенсор, що містить генератор релаксаційних коливань на базі одноперехідного транзистора, який доповнено конденсатором С, який відрізняється тим, що до схеми генератора включений біполярний магнітотранзистор в двополюсному включенні (тобто з відключеною базою).

Номер патенту: 43677

Опубліковано: 25.08.2009

Автори: Смирнов Анатолій Миколайович, Риптік Парасковія Афанасіївна, Сидорець Ростислав Григорович, Корецький Валерій Миколайович, Вікулін Іван Михайлович

МПК: H01C 17/06

Мітки: резистивний, матеріал, низькоомний

Формула / Реферат:

1. Низькоомний резистивний матеріал, що містить провідну фазу на основі рутенату свинцю, склозв'язку й органічне сполучне, який відрізняється тим, що він додатково містить порошок паладію й срібла при наступних співвідношеннях компонентів, мас. %: рутенат свинцю 6-10 склозв'язка 35-40 порошок паладію 2-6 срібло ...

Номер патенту: 40464

Опубліковано: 10.04.2009

Автори: Сидорець Ростислав Григорович, Смирнов Анатолій Миколайович, Корецький Валерій Миколайович, Вікулін Іван Михайлович

МПК: B23K 35/00, B23K 35/362

Мітки: флюс, водорозчинний

Формула / Реферат:

Водорозчинний флюс, який містить триетаноламін, фталевий ангідрит, етиловий спирт, який відрізняється тим, що він додатково містить розчин поліетиленгліколевих ефірів синтетичних спиртів та дистильовану воду при наступних співвідношеннях компонентів, мас. %: триетаноламін 4,0-18,0 фталевий ангідрит 6,0-22,0 синтанол 1,0-2,0 ...

Номер патенту: 40362

Опубліковано: 10.04.2009

Автори: Смирнов Анатолій Миколайович, Вікулін Іван Михайлович, Сидорець Ростислав Григорович, Джужук Олександр Костянтинович, Корецький Валерій Миколайович

МПК: B23K 1/00

Мітки: лудіння, паста, паяння

Формула / Реферат:

1. Паста для лудіння і паяння, що містить порошкоподібний припій, каніфоль, зв'язуюче - ланолін, яка відрізняється тим, що додатково містить бромід-н-бутилтриалкіламоній при наступному співвідношенні компонентів, мас. %: каніфоль 1-7 ланолін 1-5 бромід-н-бутилтриалкіламоній 5-14 порошкоподібний припій ...

Номер патенту: 34141

Опубліковано: 25.07.2008

Автори: Дмитрієв Михайло Володимирович, Вікулін Іван Михайлович

МПК: H01L 31/042, H01J 15/00

Мітки: напівпровідниковий, фотоприймач

Формула / Реферат:

Напівпровідниковий фотоприймач, що містить випрямні контакти, який відрізняється тим, що на освітлюваній стороні розташовано чотири напівпрозорі електроди, створюючі з напівпровідником випрямні контакти, електрично не зв'язані між собою і розділені зазорами шириною, рівною діаметру світлової плями d, а в центрі фотоприймача електроди рівновіддалені один від одного на відстань D, яка дорівнює d+2L, де L - дифузійна довжина неосновних...

Номер патенту: 33913

Опубліковано: 25.07.2008

Автори: Лемза Віктор Дмитрович, Смирнов Анатолій Миколайович, Вікулін Іван Михайлович, Сидорець Ростислав Григорович

МПК: C03C 3/00

Мітки: скло, виготовлення, легкоплавкої, фарби

Формула / Реферат:

Скло для виготовлення легкоплавкої фарби, що включає РbО, В2О3, SiO2, ZrO2, Nd2О3, яке відрізняється тим, що воно додатково містить СuО при наступному співвідношенні компонентів, мас. %: РbО 75,6-76,0 70-90 % В2O3 14,3-13,0 SiO2 5,1-6,0 ZrО2 4,0-4,5 Nd2O3 ...

Номер патенту: 31461

Опубліковано: 10.04.2008

Автори: Вікулін Іван Михайлович, Панов Леонід Іванович, Дмитрієв Михайло Володимирович

МПК: F25B 9/00

Мітки: охолодження, спосіб, нагрівника

Формула / Реферат:

Спосіб охолодження нагрівника, який передбачає примусове повітряне охолодження нагрівника, який відрізняється тим, що охолоджувану поверхню піддають впливу акустичних хвиль з частотою із діапазону від 25 до 130 Гц.

Номер патенту: 28502

Опубліковано: 10.12.2007

Автори: Курмашев Шаміль Джамашевич, Міронченко Тетяна Іванівна, Вікулін Іван Михайлович

МПК: G02F 1/01

Мітки: оптичний, модулятор

Формула / Реферат:

Оптичний модулятор, виготовлений з напівпровідникового кристала, що містить р-n-перехід, а також омічний контакт, який відрізняється тим, що на напівпровідниковому кристалі поблизу р-n-переходу розміщено додатковий омічний контакт, який електрично сполучено з р-n-преходом, що здатний забезпечити порогове змінення оптичної прозорості напівпровідникового кристала.

Номер патенту: 26020

Опубліковано: 27.08.2007

Автори: Ірха Василь Іванович, Панфілов Максим Іванович, Вікулін Іван Михайлович

МПК: G02F 1/00

Мітки: оптичний, модулятор

Формула / Реферат:

Оптичний модулятор, що містить напівпровідникову пластину з р-n-переходом з однієї сторони та омічний контакт на протилежній стороні, який відрізняється тим, що ці два контакти виконані в вигляді сітки з довжиною сторони комірки, рівній двом довжинам дифузійного зміщення неосновних носіїв заряду, а промінь світла направлений перпендикулярно контактам.

Номер патенту: 20814

Опубліковано: 15.02.2007

Автори: Вікулін Іван Михайлович, Смирнов Анатолій Миколайович, Пучкова Надія Сергіївна, Сидорець Ростислав Григорович

МПК: C03C 14/00

Мітки: резисторів, високовольтних, скло, товстоплівкових

Формула / Реферат:

1. Скло для високовольтних товстоплівкових резисторів, що містить PbO, SiО2, Al2O3, яке відрізняється тим, що додатково містить ТіО2 і ВаО при наступному співвідношенні компонентів, мас. %: РbО – 50...60, SiO2 - 25...35, Al2O3 - 5...10, ВаО - 5...10, ТiO2 - 1...5.2. Скло за п. 1, яке відрізняється тим, що після здрібнювання (помелу) на планетарному млині його додатково класифікують методом центрифугування за розмірами частинок 1-0...

Номер патенту: 20016

Опубліковано: 15.01.2007

Автори: Курмашев Шаміль Джамашевич, Никифоров Станислав Миколайович, Вікулін Іван Михайлович, Панфілов Максим Іванович

МПК: H01L 31/10

Мітки: фототранзистор, одноперехідний

Формула / Реферат:

Одноперехідний фототранзистор, що містить напівпровідник n-типу з двома омічними базовими контактами та емітерним p-n-переходом між ними, який відрізняється тим, що в p-області р-n-переходу сформовано додаткову область n-типу.

Номер патенту: 19977

Опубліковано: 15.01.2007

Автори: Мінгальов Володимир Олександрович, Никифоров Станислав Миколайович, Курмашев Шаміль Джамашевич, Вікулін Іван Михайлович

МПК: H01L 29/00

Мітки: тензотранзистор, одноперехідний

Формула / Реферат:

Одноперехідний тензотранзистор, що містить базовий напівпровідник з першим омічним контактом до нього на одній стороні та другим контактом на протилежній стороні і розташованим поруч з ним емітерним p-n-переходом, який відрізняється тим, що другий контакт до бази виконано у вигляді переходу метал-напівпровідник.

Номер патенту: 19922

Опубліковано: 15.01.2007

Автори: Мінгальов Володимир Олександрович, Курмашев Шаміль Джамашевич, Вікулін Іван Михайлович, Никифоров Станислав Миколайович

МПК: H01L 31/10

Мітки: фотоприймач

Формула / Реферат:

Фотоприймач, що містить чотиришарову p-n-p-n структуру, який відрізняється тим, що містить чотири чотирьохшарові p-n-p-n структури, при цьому аноди та примикаючи до них бази суміщені та є спільними до всіх фототиристорів, а колектори і катоди усередині них розташовані навкруги анода на рівній відстані від нього.

Номер патенту: 14490

Опубліковано: 15.05.2006

Автори: Вікулін Іван Михайлович, Прохоров Георгій Валерійович, Мінгальов Володимир Олександрович

МПК: G01L 9/04

Мітки: датчик, тиску

Формула / Реферат:

Датчик тиску, що являє собою мембрану з напівпровідника першого типу провідності, в якій утворений вимірювальний міст з чотирьох тензорезисторів другого типу провідності, який відрізняється тим, що з метою збільшення тензочутливості в поверхню кожного тензорезистора вбудована додаткова область першого типу провідності.