Рибак Роман-Мирон Йосипович
Силовий напівпровідниковий прилад з притискними контактами (варіанти)
Номер патенту: 56620
Опубліковано: 15.05.2003
Автори: Солодовнік Анатолій Іванович, Рожковська Людмила Вікторівна, Рибак Роман-Мирон Йосипович, Павлинів Ярослав Ілліч, Костюченко Віра Георгієвна, Полухін Олексій Степанович
МПК: H01L 29/02, H01L 23/02
Мітки: силовий, напівпровідниковий, притискними, варіанти, прилад, контактами
Формула / Реферат:
1. Силовий напівпровідниковий прилад з притискними контактами, який містить корпус з металевими струмопровідними електродами, між контактними поверхнями яких розташований напівпровідниковий кристал з одним або двома плоскими термокомпенсаторами, який відрізняється тим, що хоча б одна контактна поверхня термокомпенсатора, яка не є прилеглою до напівпровідникового кристалу, вкрита шаром напиленого алюмінію.2. Прилад за п. 1, який...