Солодовнік Анатолій Іванович

Номер патенту: 4383

Опубліковано: 17.01.2005

Автори: Полухін Олексій Степанович, Макашов Валерій Федорович, Тоцький Олександр Федорович, Солодовнік Анатолій Іванович, Копаєва Ольга Вікторівна

МПК: H01L 25/04

Мітки: струмопровідний, контактний, вузол, паяний

Формула / Реферат:

1. Струмопровідний паяний контактний вузол силового напівпровідникового приладу, який містить металізований силовий верхній контакт напівпровідникового кристала, хоча б частково вкритий шаром м'якого припою, і термічно неузгоджений з кристалом силовий струмопровідний контактний вивід, переважно штампований, що припаяний до цього силового контакту, який відрізняється тим, що вивід містить не менш як три виступаючі частини, що спрямовані в бік...

Номер патенту: 2748

Опубліковано: 16.08.2004

Автори: Солодовнік Анатолій Іванович, Полухін Олексій Степанович, Тетерьвова Наталія Олексіївна, Рачинський Любомир Ярославович

МПК: H01L 21/208

Мітки: кристал, приладу, р-областю, периферійною, напівпровідникового, наскрізною

Формула / Реферат:

1. Кристал напівпровідникового приладу з наскрізною периферійною р-областю, який складається з багатошарової структури не менш як з одним горизонтальним р-n переходом, яка оточена ззовні замкненою наскрізною периферійною р-областю на основі перекристалізованого кремнію, що є суміжною з нижньою р-областю і створює з шаром вихідного кремнію вертикальний р-n перехід, а також з верхнього і нижнього контактів і замкненої області пасивації...

Номер патенту: 67914

Опубліковано: 15.07.2004

Автори: Зуєва Тетяна Костянтинівна, Солодовнік Анатолій Іванович, Полухін Олексій Степанович

МПК: H01L 21/22

Мітки: структур, спосіб, виготовлення, багатошарових, напівпровідникових

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення багатошарових напівпровідникових структур, який включає створення на пластині кремнію випрямних p-n переходів необхідного концентраційного профілю дифузією акцепторної домішки з наступним створенням окисної маски термічним окисленням, фотолітографічну обробку, локальну дифузію донорної домішки і подальше формування структури приладу, який відрізняється тим, що перед окисленням на місці майбутньої дифузії донорної...

Номер патенту: 67122

Опубліковано: 15.06.2004

Автори: Коваленко Олена Костянтинівна, Полухін Олексій Степанович, Коляда Алевтина Іванівна, Губенко Лідія Іллівна, Копаєва Ольга Вікторівна, Солодовнік Анатолій Іванович

МПК: H01L 21/22

Мітки: виготовлення, структур, полярності, прямої, діодів, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення структур діодів прямої полярності, який включає створення на катодній поверхні пластини n-кремнію локального маскувального покриття, формування зон металу-розчинника на основі алюмінію відповідно до конфігурації наскрізних відокремлюючих областей по периметру структур, створення цих наскрізних відокремлюючих областей термоміграцією з одночасною дифузією алюмінію з пари, видалення маски і подальшу дифузію фосфору в...

Номер патенту: 56620

Опубліковано: 15.05.2003

Автори: Костюченко Віра Георгієвна, Рожковська Людмила Вікторівна, Рибак Роман-Мирон Йосипович, Павлинів Ярослав Ілліч, Солодовнік Анатолій Іванович, Полухін Олексій Степанович

МПК: H01L 29/02, H01L 23/02

Мітки: напівпровідниковий, контактами, притискними, силовий, прилад, варіанти

Формула / Реферат:

1. Силовий напівпровідниковий прилад з притискними контактами, який містить корпус з металевими струмопровідними електродами, між контактними поверхнями яких розташований напівпровідниковий кристал з одним або двома плоскими термокомпенсаторами, який відрізняється тим, що хоча б одна контактна поверхня термокомпенсатора, яка не є прилеглою до напівпровідникового кристалу, вкрита шаром напиленого алюмінію.2. Прилад за п. 1, який...

Номер патенту: 56001

Опубліковано: 15.04.2003

Автори: Полухін Олексій Степанович, Солодовнік Анатолій Іванович, Зуєва Тетяна Костянтинівна

МПК: H01L 21/306, H01L 21/225

Мітки: спосіб, алюмінію, дифузії, локальної

Формула / Реферат:

1. Спосіб локальної дифузії алюмінію, який містить локальне, наприклад з застосуванням фотолітографії, нанесення на поверхню кремнієвої пластини алюмінію і наступне проведення дифузії в окислювальній атмосфері, який відрізняється тим, що алюміній наносять у вигляді сполуки в складі рідкого джерела дифузії, а перед фотолітографією проводять термообробку пластини в окислювальній атмосфері.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що...

Номер патенту: 1679

Опубліковано: 17.03.2003

Автори: Копаєва Ольга Вікторівна, Солодовнік Анатолій Іванович, Полухін Олексій Степанович, Тоцький Олександр Федорович

МПК: H01L 25/00

Мітки: напівпровідниковий, модуль, силовий

Формула / Реферат:

1. Силовий напівпровідниковий модуль, який містить рамковий пластмасовий корпус переважно прямокутної форми з зовнішніми отворами для кріплення і профільним заглибленням по внутрішньому периметру нижнього торця, до опорної площини якого приклеєна і прилягає металізована з двох боків керамічна пластина з периферійною неметалізованою областю по її периметру, на верхньому боці якої змонтовані схемні компоненти, і яка залита всередині корпусу...

Номер патенту: 53903

Опубліковано: 17.02.2003

Автори: Зуєва Тетяна Костянтинівна, Полухін Олексій Степанович, Солодовнік Анатолій Іванович

МПК: H01L 21/22

Мітки: кремнієвих, приладів, відокремлюючими, кристалів, спосіб, напівпровідникових, виготовлення, областями

Формула / Реферат:

1.Спосіб виготовлення кристалів кремнієвих напівпровідникових приладів з відокремлюючими p+ областями, що включає створення в кремнієвій підкладці n-типу випрямних плоских р-n переходів дифузією, формування відокремлюючих p+ областей термоміграцією линійних зон на основі алюмінію, яка супроводжується дифузією алюмінію з пари в поверхню підкладки, створення інжектуючих р-n переходів, наступну однобічну пасивацію випрямних р-n переходів,...

Номер патенту: 45871

Опубліковано: 15.04.2002

Автори: Копаєва Ольга Вікторівна, Полухін Олексій Степанович, Тетерьвова Наталія Олексіївна, Зуєва Тетяна Костянтинівна, Солодовнік Анатолій Іванович, Рачинський Любомир Ярославович

МПК: H01L 21/383, H01L 21/22

Мітки: кремнієвого, спосіб, напівпровідникового, областями, виготовлення, приладу, відокремлюючими, кристалу

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення кристала кремнієвого напівпровідникового приладу з периферійними відокремлюючими областями, який включає формування на плоскій поверхні підложки n-типу провідності маскувального покриття і зон металу – розчинника на основі алюмінію відповідно до конфігурації відокремлюючих областей, видалення маскувального покриття, занурення і термоміграцію зон крізь підложку у вакуумі, створення за допомогою дифузії і, в разі...

Номер патенту: 41770

Опубліковано: 17.09.2001

Автори: Олішевський Олександр Степанович, Солодовнік Анатолій Іванович, Макашов Валерій Федорович, Павлинів Ярослав Ілліч, Рибак Роман Йосипович

МПК: H01L 29/00

Мітки: напівпровідниковий, термодинамічною, стійкістю, прилад, високою, силовий

Формула / Реферат:

1. Силовий напівпровідниковий прилад з високою термодинамічною стійкістю, що містить корпус, утворений з керамічного кільця і тонких металевих манжет, що з'єднують його з двома струмопровідними електродами, між якими знаходяться випрямний елемент, який складається з напівпровідникової структури та одного або двох термокомпенсаторів, і контактні прокладки, а також центруюче ізоляційне кільце, який відрізнясться тим, що центруюче ізоляційне...

Номер патенту: 18629

Опубліковано: 25.12.1997

Автори: Трущенков Валерій Олексійович, Маргуліс Ісаак Соломонович, Солодовнік Анатолій Іванович, Матвієнко Микола Павлович, Захарюгін Олександр Дмитрович

МПК: G05B 11/01, F04B 49/00

Мітки: установкою, система, управління, автоматичного, водовідливною

Формула / Реферат:

Система автоматического управления водоотливной установкой, содержащая датчики нижнего, верхнего и аварийного уровней, датчики давления, датчики производительности, датчики температуры подшипников, датчики включения высоковольтной ячейки двигателя, датчики закрытия задвижки, датчики заклинивания привода задвижки, приводы задвижек, приводы главных насосов, два блока управления насосами, привод заливочного насоса, блок звуковой сигнализации,...

Номер патенту: 6067

Опубліковано: 29.12.1994

Автори: Солодовнік Анатолій Іванович, Захарюгін Олександр Дмитрович, Матвієнко Микола Павлович

МПК: G05B 19/18

Мітки: керування, установкою, автоматичного, пристрій, водовідливною

Формула / Реферат:

Устройство для автоматического управлення водоотливной установкой, содержащее датчики верхнего и нижнего уровней, датчик аварийного уровня, а также в каждом канале датчики произво­дительности, давления, температуры, включения высоковольтных ячеек и закрытия задвижек, сиг­нальные выходы которых соединены соответствен­но с первым, вторым, третьим, четвертым и пятым сигнальными входами соответствующего блока управления канала, первые управляющие...

Номер патенту: 6144

Опубліковано: 29.12.1994

Автори: Солодовнік Анатолій Іванович, Захарюгін Олександр Дмитрович, Матвієнко Микола Павлович

МПК: F04D 15/00

Мітки: керування, агрегатом, насосним, пристрій, автоматичного

Формула / Реферат:

Устройство для автоматического управлення насосним агрегатом, включающим главный и за­ливочный насосы с двигателем, содержащее датчи­ки уровня, датчик производительности, датчик давления, датчик температуры, датчик включения высоковольтной ячейки двигателя и два элемента памяти, отличающееся тем, что, с целью повыше­ния надежности работы путем расширения диагно­стических возможностей устройства, последнее снабжено кнопкой установки устройства...