Полухін Олексій Степанович

Номер патенту: 4383

Опубліковано: 17.01.2005

Автори: Солодовнік Анатолій Іванович, Полухін Олексій Степанович, Копаєва Ольга Вікторівна, Макашов Валерій Федорович, Тоцький Олександр Федорович

МПК: H01L 25/04

Мітки: контактний, вузол, струмопровідний, паяний

Формула / Реферат:

1. Струмопровідний паяний контактний вузол силового напівпровідникового приладу, який містить металізований силовий верхній контакт напівпровідникового кристала, хоча б частково вкритий шаром м'якого припою, і термічно неузгоджений з кристалом силовий струмопровідний контактний вивід, переважно штампований, що припаяний до цього силового контакту, який відрізняється тим, що вивід містить не менш як три виступаючі частини, що спрямовані в бік...

Номер патенту: 2748

Опубліковано: 16.08.2004

Автори: Солодовнік Анатолій Іванович, Полухін Олексій Степанович, Тетерьвова Наталія Олексіївна, Рачинський Любомир Ярославович

МПК: H01L 21/208

Мітки: приладу, периферійною, р-областю, наскрізною, напівпровідникового, кристал

Формула / Реферат:

1. Кристал напівпровідникового приладу з наскрізною периферійною р-областю, який складається з багатошарової структури не менш як з одним горизонтальним р-n переходом, яка оточена ззовні замкненою наскрізною периферійною р-областю на основі перекристалізованого кремнію, що є суміжною з нижньою р-областю і створює з шаром вихідного кремнію вертикальний р-n перехід, а також з верхнього і нижнього контактів і замкненої області пасивації...

Номер патенту: 67914

Опубліковано: 15.07.2004

Автори: Солодовнік Анатолій Іванович, Полухін Олексій Степанович, Зуєва Тетяна Костянтинівна

МПК: H01L 21/22

Мітки: багатошарових, виготовлення, напівпровідникових, структур, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення багатошарових напівпровідникових структур, який включає створення на пластині кремнію випрямних p-n переходів необхідного концентраційного профілю дифузією акцепторної домішки з наступним створенням окисної маски термічним окисленням, фотолітографічну обробку, локальну дифузію донорної домішки і подальше формування структури приладу, який відрізняється тим, що перед окисленням на місці майбутньої дифузії донорної...

Номер патенту: 67122

Опубліковано: 15.06.2004

Автори: Коляда Алевтина Іванівна, Губенко Лідія Іллівна, Коваленко Олена Костянтинівна, Солодовнік Анатолій Іванович, Копаєва Ольга Вікторівна, Полухін Олексій Степанович

МПК: H01L 21/22

Мітки: виготовлення, структур, прямої, полярності, діодів, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення структур діодів прямої полярності, який включає створення на катодній поверхні пластини n-кремнію локального маскувального покриття, формування зон металу-розчинника на основі алюмінію відповідно до конфігурації наскрізних відокремлюючих областей по периметру структур, створення цих наскрізних відокремлюючих областей термоміграцією з одночасною дифузією алюмінію з пари, видалення маски і подальшу дифузію фосфору в...

Номер патенту: 56620

Опубліковано: 15.05.2003

Автори: Рибак Роман-Мирон Йосипович, Павлинів Ярослав Ілліч, Полухін Олексій Степанович, Костюченко Віра Георгієвна, Солодовнік Анатолій Іванович, Рожковська Людмила Вікторівна

МПК: H01L 29/02, H01L 23/02

Мітки: прилад, контактами, напівпровідниковий, варіанти, силовий, притискними

Формула / Реферат:

1. Силовий напівпровідниковий прилад з притискними контактами, який містить корпус з металевими струмопровідними електродами, між контактними поверхнями яких розташований напівпровідниковий кристал з одним або двома плоскими термокомпенсаторами, який відрізняється тим, що хоча б одна контактна поверхня термокомпенсатора, яка не є прилеглою до напівпровідникового кристалу, вкрита шаром напиленого алюмінію.2. Прилад за п. 1, який...

Номер патенту: 56001

Опубліковано: 15.04.2003

Автори: Зуєва Тетяна Костянтинівна, Полухін Олексій Степанович, Солодовнік Анатолій Іванович

МПК: H01L 21/225, H01L 21/306

Мітки: локальної, алюмінію, дифузії, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб локальної дифузії алюмінію, який містить локальне, наприклад з застосуванням фотолітографії, нанесення на поверхню кремнієвої пластини алюмінію і наступне проведення дифузії в окислювальній атмосфері, який відрізняється тим, що алюміній наносять у вигляді сполуки в складі рідкого джерела дифузії, а перед фотолітографією проводять термообробку пластини в окислювальній атмосфері.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що...

Номер патенту: 1679

Опубліковано: 17.03.2003

Автори: Полухін Олексій Степанович, Копаєва Ольга Вікторівна, Тоцький Олександр Федорович, Солодовнік Анатолій Іванович

МПК: H01L 25/00

Мітки: силовий, напівпровідниковий, модуль

Формула / Реферат:

1. Силовий напівпровідниковий модуль, який містить рамковий пластмасовий корпус переважно прямокутної форми з зовнішніми отворами для кріплення і профільним заглибленням по внутрішньому периметру нижнього торця, до опорної площини якого приклеєна і прилягає металізована з двох боків керамічна пластина з периферійною неметалізованою областю по її периметру, на верхньому боці якої змонтовані схемні компоненти, і яка залита всередині корпусу...

Номер патенту: 53903

Опубліковано: 17.02.2003

Автори: Полухін Олексій Степанович, Солодовнік Анатолій Іванович, Зуєва Тетяна Костянтинівна

МПК: H01L 21/22

Мітки: кристалів, кремнієвих, областями, спосіб, напівпровідникових, виготовлення, приладів, відокремлюючими

Формула / Реферат:

1.Спосіб виготовлення кристалів кремнієвих напівпровідникових приладів з відокремлюючими p+ областями, що включає створення в кремнієвій підкладці n-типу випрямних плоских р-n переходів дифузією, формування відокремлюючих p+ областей термоміграцією линійних зон на основі алюмінію, яка супроводжується дифузією алюмінію з пари в поверхню підкладки, створення інжектуючих р-n переходів, наступну однобічну пасивацію випрямних р-n переходів,...

Номер патенту: 45871

Опубліковано: 15.04.2002

Автори: Рачинський Любомир Ярославович, Зуєва Тетяна Костянтинівна, Полухін Олексій Степанович, Копаєва Ольга Вікторівна, Тетерьвова Наталія Олексіївна, Солодовнік Анатолій Іванович

МПК: H01L 21/383, H01L 21/22

Мітки: областями, відокремлюючими, кремнієвого, напівпровідникового, спосіб, кристалу, виготовлення, приладу

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення кристала кремнієвого напівпровідникового приладу з периферійними відокремлюючими областями, який включає формування на плоскій поверхні підложки n-типу провідності маскувального покриття і зон металу – розчинника на основі алюмінію відповідно до конфігурації відокремлюючих областей, видалення маскувального покриття, занурення і термоміграцію зон крізь підложку у вакуумі, створення за допомогою дифузії і, в разі...

Номер патенту: 41209

Опубліковано: 15.08.2001

Автори: Семенов Олег Сергійович, Полухін Олексій Степанович

МПК: H01L 21/208

Мітки: периферійними, кремнієвих, виготовлення, відокремлюючими, областями, матричних, епітаксіальних, структур, спосіб

Формула / Реферат:

1.Спосіб виготовлення кремнієвих епітаксіальних матричних структур і периферійними відокремлюючими областями, який включає підготовку пластини-джерела і підкладки, утворення відокремлюючих р+областей, формування зони капілярним втягуванням металу-розчинника на основі алюмінію в щілину між пластиною-джерелом і підкладкою, перекристалізацію пластини-джерела зоною, що просувається в полі градієнта температури під час термоміграції, і...