Рожковська Людмила Вікторівна
Силовий напівпровідниковий прилад з притискними контактами (варіанти)
Номер патенту: 56620
Опубліковано: 15.05.2003
Автори: Костюченко Віра Георгієвна, Рибак Роман-Мирон Йосипович, Павлинів Ярослав Ілліч, Рожковська Людмила Вікторівна, Полухін Олексій Степанович, Солодовнік Анатолій Іванович
МПК: H01L 23/02, H01L 29/02
Мітки: напівпровідниковий, прилад, притискними, силовий, варіанти, контактами
Формула / Реферат:
1. Силовий напівпровідниковий прилад з притискними контактами, який містить корпус з металевими струмопровідними електродами, між контактними поверхнями яких розташований напівпровідниковий кристал з одним або двома плоскими термокомпенсаторами, який відрізняється тим, що хоча б одна контактна поверхня термокомпенсатора, яка не є прилеглою до напівпровідникового кристалу, вкрита шаром напиленого алюмінію.2. Прилад за п. 1, який...