Романюк Ірина Ігорівна
Фотодіод шотткі на основі in2hg3te6
Номер патенту: 111231
Опубліковано: 10.11.2016
Автори: Добровольський Юрій Георгійович, Галочкин Олександр Вікторович, Романюк Ірина Ігорівна, Ащеулов Анатолій Анатолійович
МПК: H01L 29/872
Мітки: основі, in2hg3te6, шотткі, фотодіод
Формула / Реферат:
Фотодіод Шотткі, що містить поглинач оптичного випромінювання з n-In2Hg3Te6 та нанесений на нього фронтальний шар і омічні контакти до них, який відрізняється тим, що містить шар, додатково оброблений лазерним випромінюванням, причому фронтальний бар'єрний шар до підкладки n-In2Hg3Te6 виконаний з хрому.