H01L 29/872 — діоди Шотки

Номер патенту: 111231

Опубліковано: 10.11.2016

Автори: Ащеулов Анатолій Анатолійович, Галочкин Олександр Вікторович, Романюк Ірина Ігорівна, Добровольський Юрій Георгійович

МПК: H01L 29/872

Мітки: фотодіод, основі, шотткі, in2hg3te6

Формула / Реферат:

Фотодіод Шотткі, що містить поглинач оптичного випромінювання з n-In2Hg3Te6 та нанесений на нього фронтальний шар і омічні контакти до них, який відрізняється тим, що містить шар, додатково оброблений лазерним випромінюванням, причому фронтальний бар'єрний шар до підкладки n-In2Hg3Te6 виконаний з хрому.

Номер патенту: 79669

Опубліковано: 25.04.2013

Автори: Шутов Станіслав Вікторович, Деменський Олексій Миколайович, Фролов Олександр Миколайович, Самойлов Микола Олександрович

МПК: H01L 21/329, H01L 21/31, H01L 21/04 ...

Мітки: діодів, кільцем, шотткі, охоронним, виготовлення, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення діодів Шотткі з охоронним кільцем в епітаксійному шарі першого типу провідності, нанесеному на високолеговану підкладку того ж типу провідності, який включає нанесення на епітаксійний шар першого маскувального шару, який відрізняється тим, що як маскувальний шар використовують шар нітриду кремнію, при першій фотолітографії видаляють нітрид кремнію навкруг основної площі контакту Шотткі, проводять дифузію домішки другого...

Номер патенту: 38840

Опубліковано: 26.01.2009

Автор: ПЕРЕВЕРТАЙЛО ВОЛОДИМИР ЛЕОНТІЙОВИЧ

МПК: H01L 29/872, G01T 1/00

Мітки: діод, рентгеночутливий, гамма

Формула / Реферат:

1. Гамма-, рентгеночутливий діод, який виконаний у вигляді діода, що має основу з покриттям, на якому розташований контактний електрод, який відрізняється тим, що як діод використовують щонайменше один діод Шотткі, основа якого (1) виконана з селеніду цинку, легованого телуром, а шар (2) - з матеріалу з шириною забороненої зони, меншою або рівною енергії вторинних фотонів з lс, породжених матеріалом основи, або енергетичними рівнями в...