Патенти з міткою «in2hg3te6»
Фотодіод шотткі на основі in2hg3te6
Номер патенту: 111231
Опубліковано: 10.11.2016
Автори: Галочкин Олександр Вікторович, Романюк Ірина Ігорівна, Добровольський Юрій Георгійович, Ащеулов Анатолій Анатолійович
МПК: H01L 29/872
Мітки: in2hg3te6, фотодіод, основі, шотткі
Формула / Реферат:
Фотодіод Шотткі, що містить поглинач оптичного випромінювання з n-In2Hg3Te6 та нанесений на нього фронтальний шар і омічні контакти до них, який відрізняється тим, що містить шар, додатково оброблений лазерним випромінюванням, причому фронтальний бар'єрний шар до підкладки n-In2Hg3Te6 виконаний з хрому.
Процес отримання монокристалів in2hg3te6
Номер патенту: 105367
Опубліковано: 10.03.2016
Автори: Дремлюженко Сергій Григорович, Захарук Зінаїда Іванівна, Колісник Михайло Георгієвич, Ащеулов Анатолій Анатолійович, Галочкин Олександр Вікторович
МПК: C30B 13/12, C30B 13/10, C30B 1/00 ...
Мітки: процес, in2hg3te6, монокристалів, отримання
Формула / Реферат:
Процес отримання монокристалів In2Hg3Te6, що складається з етапів синтезу вихідних компонентів In, Hg, Те та зонної перекристалізації синтезованого злитку, який відрізняється тим, що на етапі синтезу вихідних компонентів спочатку синтезують злитки Іn2Те3 при температурі Т1=(690±2)°С та HgTe при температурі Т2=(740±2)°С та наступне їх сплавлення в стехіометричному складі у злиток In2Hg3Te6 при температурі Т3=(776±2)°С, при цьому час синтезу...