Патенти з міткою «шотткі»

Номер патенту: 119116

Опубліковано: 11.09.2017

Автори: Дмитрієв Вадим Сергійович, Дмитрієва Любов Борисівна

МПК: H01L 29/47

Мітки: бар'єром, контактів, шотткі, виготовлення, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення контакту з бар'єром Шотткі Ag/n-GaAs, що включає знежирення пластини GaAs, хімічне полірування, напилення на підкладку срібла крізь спеціальні молібденові маски методом вакуумного випаровування, який відрізняється тим, що пластини n-GaAs з nе.ш.=1015…1017 см-3 після хімічного полірування послідовно промивають в гарячій і холодній дистильованій і деіонізованій воді, витримують у діоксиянтарній кислоті, промивають в...

Номер патенту: 111697

Опубліковано: 25.11.2016

Автор: Литвиненко Віктор Миколайович

МПК: H01L 29/47

Мітки: охоронним, спосіб, шотткі, кільцем, виготовлення, діода

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення діода Шотткі з охоронним кільцем, що включає термічне окислення кремнієвої пластини n-типу провідності, відкриття контактних вікон в шарі окислу за допомогою фотолітографії, проведення дифузії бору в дві стадії для одержання р-n переходу області охоронного кільця, утворення випрямляючих контактів з бар'єром Шотткі, який відрізняється тим, що після термічного окислення на зворотній стороні пластини формують гетеруючий шар...

Номер патенту: 111231

Опубліковано: 10.11.2016

Автори: Галочкин Олександр Вікторович, Добровольський Юрій Георгійович, Романюк Ірина Ігорівна, Ащеулов Анатолій Анатолійович

МПК: H01L 29/872

Мітки: фотодіод, in2hg3te6, шотткі, основі

Формула / Реферат:

Фотодіод Шотткі, що містить поглинач оптичного випромінювання з n-In2Hg3Te6 та нанесений на нього фронтальний шар і омічні контакти до них, який відрізняється тим, що містить шар, додатково оброблений лазерним випромінюванням, причому фронтальний бар'єрний шар до підкладки n-In2Hg3Te6 виконаний з хрому.

Номер патенту: 95094

Опубліковано: 10.12.2014

Автори: Дмитрієва Любов Борисівна, Дмитрієв Вадим Сергійович

МПК: H01L 29/47

Мітки: галію, арсеніді, спосіб, бар'єром, шотткі, контактів, виготовлення

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення контакту з бар'єром Шотткі на арсеніді галію GaAs, що включає отримання методом вакуумного випаровування випрямляючих контактів з Ag до епітаксійного n-GaAs з високолегованою підкладкою, який відрізняється тим, що пластину GaAs заздалегідь послідовно знежирюють в суміші толуолу і метилового спирту (1:2), хімічно полірують в суміші 3H2SO4-1H2O2-1H2O, витримують у винній кислоті продовж 15-25 хв., промивають в етиловому...

Номер патенту: 92087

Опубліковано: 25.07.2014

Автори: Брус Віктор Васильович, Мар'янчук Павло Дмитрович

МПК: H01L 33/00

Мітки: графіту, фоточутлівих, плівок, шотткі, діодів, спосіб, виготовлення, основі

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення фоточутливих діодів Шотткі на основі плівок графіту, що передбачає їх нанесення на поверхню напівпровідника, який відрізняється тим, що нанесення графітової плівки здійснюють шляхом ковзання об'ємного зразка високочистого графіту при фіксованому навантаженні по підготовленій поверхні напівпровідникової підкладки.

Номер патенту: 105345

Опубліковано: 25.04.2014

Автори: Жуков Олександр Вікторович, Бендеберя Геннадій Миколайович, Трубаєва Ольга Геннадіївна, Сліпченко Микола Іванович, Зеня Ігор Михайлович, Старжинський Микола Григорович, Гриньов Борис Вікторович, Галат Олександр Борисович

МПК: H01L 31/06

Мітки: шотткі, уф-фотодіод, бар'єром

Формула / Реферат:

1. УФ-фотодіод з бар'єром Шотткі, що містить бар'єрний шар нікелю з лицевої сторони підкладки, виконаній з твердого розчину сполук А2В6, та шаром індію із її зворотної сторони, який відрізняється тим, що підкладка виконана з твердого розчину сполук ZnS-ZnSe, яка додатково містить донорну домішку оксиду або халькогеніду металів при наступному співвідношенні компонентів, мол. %: ZnSe 1-70 ...

Номер патенту: 103379

Опубліковано: 10.10.2013

Автори: Мамикін Сергій Васильович, Соснова Марія Вікторівна, Коровін Олександр Вадимович, Казанцева Зоя Іванівна, Минько Віктор Іванович, Дмитрук Микола Леонтійович

МПК: G01N 21/55

Мітки: плазмон-поляритонний, шотткі, бар'єра, основі, поляризаційно-чутливий, фотодетектор

Формула / Реферат:

Поляризаційно-чутливий плазмон-поляритонний фотодетектор на основі бар'єра Шотткі, який складається з поверхнево-бар'єрної гетеростуктури, а саме напівпровідникової підкладки, на яку нанесено шар металу, що має періодично-профільований рельєф на межі поділу метал/повітря у вигляді дифракційної ґратки, який відрізняється тим, що напівпровідникова підкладка є плоскою, а для формування періодично-профільованого рельєфу на межі поділу...

Номер патенту: 82724

Опубліковано: 12.08.2013

Автори: Політанський Леонід Францович, Грицюк Богдан Миколайович, Нічий Сергій Васильович

МПК: H01L 23/32

Мітки: шотткі, бар'єрів, спосіб, створення

Формула / Реферат:

Спосіб створення бар'єрів Шотткі за допомогою лазерного випромінювання, який відрізняється тим, що в область формування бар'єра на поверхню напівпровідникового матеріалу попередньо наносять розчин солі металу, з роботою виходу електрона, що забезпечує отримання випрямляючого контакту з напівпровідником, після чого проводять обробку даної області поверхні імпульсним лазерним випромінюванням з енергією, яка забезпечує термічний відпал...

Номер патенту: 79669

Опубліковано: 25.04.2013

Автори: Самойлов Микола Олександрович, Деменський Олексій Миколайович, Шутов Станіслав Вікторович, Фролов Олександр Миколайович

МПК: H01L 21/04, H01L 21/329, H01L 21/31 ...

Мітки: охоронним, діодів, кільцем, спосіб, виготовлення, шотткі

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення діодів Шотткі з охоронним кільцем в епітаксійному шарі першого типу провідності, нанесеному на високолеговану підкладку того ж типу провідності, який включає нанесення на епітаксійний шар першого маскувального шару, який відрізняється тим, що як маскувальний шар використовують шар нітриду кремнію, при першій фотолітографії видаляють нітрид кремнію навкруг основної площі контакту Шотткі, проводять дифузію домішки другого...

Номер патенту: 72164

Опубліковано: 10.08.2012

Автори: Крицька Тетяна Володимирівна, Веремійченко Георгій Микитович, Рижков Микола Ігорович, Маруненко Юрій Володимирович, Болтовець Микола Силович, Зоренко Олександр Вольтович, Березюк Федір Борисович

МПК: G01R 23/02

Мітки: бар'єром, шотткі, змішувач, надвисоких, діоді, частот, планарному

Формула / Реферат:

Змішувач надвисоких частот на планарному діоді з бар'єром Шотткі, що містить активний параметричний елемент - безкорпусний діод з бар'єром Шотткі, який виконаний з плоскими смужковими виводами і з'єднаний анодним кінцем з узгодженою смужковою лінією передачі, розміщеною вздовж симетричної і паралельно вузькій стороні хвилеводу з пристроями для подавання сигналів, які приймаються приймачем та гетеродином, узгоджену з активним елементом...

Номер патенту: 60700

Опубліковано: 25.06.2011

Автори: Сєліверстова Світлана Ростиславівна, Фролов Олександр Миколайович, Сєліверстов Ігор Анатолійович

МПК: H01L 21/31, H01L 21/04, H01L 21/329 ...

Мітки: охоронним, шотткі, кремнієвих, спосіб, діодів, виготовлення, кільцем

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення кремнієвих діодів Шотткі з охоронним кільцем в епітаксійному шарі першого типу провідності, нанесеному на високолеговану підкладку того ж типу провідності, який включає нанесення на епітаксійний шар першого маскувального шару, який відрізняється тим, що як маскувальний шар використовують шар нітриду кремнію, при першій фотолітографії видаляють нітрид кремнію навкруг основної площі контакту Шотткі, проводять дифузію...

Номер патенту: 94679

Опубліковано: 25.05.2011

Автори: Воронкін Євгеній Федорович, Галкін Сергій Миколайович, Рижиков Володимир Діомидович, Білецький Микола Іванович, Онищенко Геннадій Михайлович

МПК: H01L 31/06, H01L 31/0264

Мітки: бар'єром, шотткі, уф-фотодіод

Формула / Реферат:

1. УФ-фотодіод з бар'єром Шотткі, виготовлений на основі селеніду цинку (ZnSe) з напівпрозорим бар'єрним металевим шаром з лицьового боку ZnSe-підкладки та шаром індію на її зворотному боці, та додатковим шаром, який відрізняється тим, що додатковий шар утворений з оксиду цинку товщиною 1×10-5-2×10-5 мм на лицьовому боці ZnSe-підкладки та на її торцевих боках під  напівпрозорим бар'єрним металевим шаром, на який нанесений по...

Номер патенту: 91576

Опубліковано: 10.08.2010

Автор: ПЕРЕВЕРТАЙЛО ВОЛОДИМИР ЛЕОНТІЙОВИЧ

МПК: H01L 21/00, G01T 1/00

Мітки: гамма, шотткі, рентгеночутливий, діод

Формула / Реферат:

1. Гамма-, рентгеночутливий діод Шотткі, що має основу та шар матеріалу (2), на якому розташований контактний електрод, який відрізняється тим, що основа діода Шотткі виконана з селеніду цинку, легованого телуром, а шар матеріалу (2) виконаний здатним до ефективного поглинання квантів випромінювання з довжиною хвилі lс, і його ширина забороненої зони менше або дорівнює енергії вторинних фотонів, породжених матеріалом основи, при цьому...

Номер патенту: 51493

Опубліковано: 26.07.2010

Автори: Кривуца Валентин Антонович, Веремійченко Георгій Микитович, Лєдєньова Тетяна Миколаївна, Болтовець Микола Силович, Басанець Володимир Васильович, Личман Кирило Олексійович

МПК: H01L 23/48

Мітки: бар'єри, параметричний, нвч, діод, шотткі

Формула / Реферат:

НВЧ параметричний діод на бар'єрі Шотткі, який містить в собі осесиметричну напівпровідникову структуру з областями n і n+, бар'єр Шотткі, сформований зі сторони n-шару, омічний контакт, який виконаний до сторони n+, контактуючі з'єднувальні шари, які нанесені на омічний контакт та на шар, який утворює з поверхнею n бар'єр Шотткі, який відрізняється тим, що напівпровідникова структура виконана з карбіду кремнію, а між шаром омічного контакту...

Номер патенту: 48467

Опубліковано: 25.03.2010

Автори: Шабашкевич Борис Григорович, Добровольський Юрій Георгійович, ПЕРЕВЕРТАЙЛО ВОЛОДИМИР ЛЕОНТІЙОВИЧ, Воронкін Євген Федорович, Рижиков Володимир Діомидович, Галкін Сергій Миколайович

МПК: H01L 31/06, H01L 31/0264, H01L 31/0216 ...

Мітки: чутливий, діапазоні, бар'єром, спектра, шотткі, фотодіод, ультрафіолетовому

Формула / Реферат:

Фотодіод з бар'єром Шотткі, чутливий в ультрафіолетовому діапазоні спектра, що виконаний на основі селеніду цинку з бар'єрним шаром нікелю з лицевої сторони ZnSe-підкладки та шаром індію із її зворотної сторони, який відрізняється тим, що на бар'єрному надтонкому шарі нікелю виконаний додатковий просвітлюючий шар суміші двоокису олова (SnО2) та окису індію (Іn2О3) або шар двоокису олова (SnО2), легованого фтором, при цьому просвітлюючий шар...

Номер патенту: 42429

Опубліковано: 10.07.2009

Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Воронкін Євген Федорович, Шабашкевич Борис Григорович, Галкін Сергій Миколайович, ПЕРЕВЕРТАЙЛО ВОЛОДИМИР ЛЕОНТІЙОВИЧ, Добровольський Юрій Георгійович

МПК: H01L 31/0264, H01L 31/0216, H01L 31/06 ...

Мітки: діапазоні, бар'єром, чутливий, спектра, фотодіод, ультрафіолетовому, шотткі

Формула / Реферат:

Фотодіод з бар'єром Шотткі, чутливий в ультрафіолетовому діапазоні спектра, на основі селеніду цинку з напівпрозорим бар'єрним шаром нікелю з лицевої сторони ZnSe-підкладки та шаром індію із її зворотної сторони, який відрізняється тим, що бар'єрний шар нікелю пропускає не менше 70 % випромінювання на довжині хвилі 400 нм, має додаткове потовщення, що є контактним шаром нікелю на лицевій стороні ZnSe-підкладки, товщиною не менше 0,2 мкм,...

Номер патенту: 29698

Опубліковано: 25.01.2008

Автори: Когут Ігор Тимофійович, Дружинін Анатолій Олександрович, Голота Віктор Іванович

МПК: H01L 29/66

Мітки: структурами, шотткі, елемент, кремній-на-ізоляторі, діодах, ключовий

Формула / Реферат:

Ключовий елемент на діодах Шотткі зі структурами "кремній-на-ізоляторі", який складається із підкладки р-типу провідності, на якій послідовно розміщують шари ізолятора та смужку із монокристалічної плівки кремнію n-типу провідності, який відрізняється тим, що в смужці із плівки кремнію витравлюють 5 вузьких канавок на всю товщину рекристалізованої плівки кремнію, причому 3 сусідні канавки заповнюють алюмінієм для утворення бар'єрів...

Номер патенту: 17438

Опубліковано: 15.09.2006

Автори: Добровольський Юрій Георгійович, Воробець Георгій Іванович, Воробець Олександр Іванович

МПК: H01L 31/18

Мітки: спосіб, виготовлення, кадмію, діода, основі, шотткі, високоомного, телуриду

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення діода Шотткі на основі телуриду кадмію, який включає механічну та хімічну обробку пластин телуриду кадмію, створення бар'єра Шотткі та омічних контактів вакуумним напиленням та лазерного опромінювання, який відрізняється тим, що лазерне опромінювання з певною довжиною хвилі здійснюють в режимі модульованої добротності в квазіадіабатичних умовах при використанні серії з 20 імпульсів тривалістю

Номер патенту: 55798

Опубліковано: 15.04.2003

Автори: Литвиненко Віктор Миколайович, Литвиненко Сергій Вікторович

МПК: H01L 29/40

Мітки: діода, структур, бар'єром, спосіб, виготовлення, шотткі

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення структур діода з бар'єром Шотткі, що включає осадження нітриду і двооксиду кремнію на кремнієві пластини, фотолітографію, травлення меза-структур і їх термічне окислення, видалення нітриду кремнію з контактних майданчиків і формування на них випрямляючих контактів, який відрізняється тим, що перед видаленням нітриду кремнію проводять дифузію бору в робочу сторону пластин при Т = 950 -1050°С протягом 20-30 хвилин в...

Номер патенту: 18621

Опубліковано: 25.12.1997

Автори: Плахотка Лариса Степанівна, Губа Сергій Констянтинович, Воронін Валєрій Олександрович

МПК: H01L 21/18

Мітки: транзисторів, структур, одержання, шотткі, спосіб, арсеніду, інтегральних, польових, основі, галію, схем

Формула / Реферат:

Способ получения структур арсенида галлия для интегральных схем на основе полевых транзисторов Шоттки, включающий последовательное выращивание в едином технологическом цикле на полуизолирующей подложке арсенида галлия высокоомного буферного слоя методом газофазного осаждения из смеси, содержащей трихлорид мышьяка с водородом, с использованием источника галлия, активного слоя  -типа проводимости и контактного слоя  -типа проводимости,...

Номер патенту: 16522

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Босий Віталій Ісайович, Кохан Валентин Петрович, Феоклістов Володимир Юр'євич, Іващук Анатолій Васильович, Петровський Олег Іванович

МПК: H01L 21/30

Мітки: спосіб, шотткі, польових, виготовлення, транзисторів, бар'єром

Формула / Реферат:

Способ изготовления полевых транзисторов с барьером Шоттки, включающий последовательное формирование на подложке n и n+ слоев и слоя диэлектрика, формирование истока и стока, выполнение литографии затвора, удаление на открытых участках диэлектрика и n+ слоя, формирование затвора путем вакуумного напыления и испарителя, взрывную литографию, отличающийся тем, что, с целью снижения шумов полевых транзисторов с барьером Шоттки за счет уменьшения...

Номер патенту: 7499

Опубліковано: 29.09.1995

Автори: Іванов Володимир Миколайович, Коваленко Леонід Євгенійович, Скакун Василь Захарович, Цвірко Юрій Антонович, Яшнік Владілен Макарович

МПК: H01L 29/40

Мітки: галлія, шотткі, бар'єром, арсеніду, контакт

Номер патенту: 4739

Опубліковано: 28.12.1994

Автори: Іванов Володимир Миколайович, Скакун Василь Захарович, Коваленко Леонід Євгенійович

МПК: H01L 29/00

Мітки: формування, спосіб, бар'єра, шотткі, напівпровіників

Формула / Реферат:

Способ формирования барьера Шоттки к полупроводникам AIIIBV, включающий нанесение на поверхность полупроводника путем магнетронного распыления пленки из соединений типа фаз внедрения: нитридов, боридов, карбидов или силицидов переходных металлов III-V групп при подаче на полупроводниковую подложку отрицательного смещения, отличающийся тем, что проводят магнетронное распыление фазы внедрения из мишени стехиометрического состава в инертной...

Номер патенту: 3489

Опубліковано: 27.12.1994

Автор: Ботвінік Михайло Овсійович

МПК: G01R 31/26, G11C 29/00

Мітки: транзисторно-транзисторної, контролю, діодами, спосіб, логіки, шотткі, мікросхем

Формула / Реферат:

Способ контроля микросхем транзисторно-транзисторной логики с диодами Шоттки, включающий измерение статических параметров и проверку функционирования, отличающийся тем, что контролируют три дополнительных параметра каждого вентиля: максимальный ток нагрузки при открытом состоянии выхода при заданном уровне выходного напряжения, обеспечивающем максимальный ток базы выходного транзистора, ток утечки выхода при максимальном напряжении питания и...