Сагайдачна Наталія Володимирівна
Резистивний сенсор етанолу
Номер патенту: 85925
Опубліковано: 10.12.2013
Автори: Сагайдачна Наталія Володимирівна, Капустяник Володимир Богданович, Турко Борис Ігорович
МПК: G01N 33/14, G01N 33/497, G01N 33/02 ...
Мітки: сенсор, етанолу, резистивний
Формула / Реферат:
Резистивний сенсор етанолу, який містить чутливий напівпровідниковий шар, нанесений на непровідну підкладку із двома електродами, систему подачі газу і вимірювальну схему, який відрізняється тим, що як чутливий напівпровідниковий шар використовують наноструктури ZnO.
Світловипромінювальний діод
Номер патенту: 84706
Опубліковано: 25.10.2013
Автори: Турко Борис Ігорович, Капустяник Володимир Богданович, Сагайдачна Наталія Володимирівна
МПК: H01L 33/24
Мітки: світловипромінювальний, діод
Формула / Реферат:
Світловипромінювальний діод, що містить підкладку з прозорим провідним плівковим електродом, частково покритим шаром зародків ZnO, нанодроти ZnO з p-типом електропровідності, вкриті діелектричним ізоляційним шаром, плівковий золотий контактний електрод, який відрізняється тим, що як шар зародків використовують ZnO з n-типом електропровідності, а як діелектричний ізоляційний матеріал - фоторезист.
Вакуумметр
Номер патенту: 84649
Опубліковано: 25.10.2013
Автори: Турко Борис Ігорович, Панасюк Мирон Романович, Дубов Юрій Георгійович, Сагайдачна Наталія Володимирівна
МПК: G01L 21/00
Мітки: вакуумметр
Формула / Реферат:
Вакуумметр, що містить чутливий напівпровідниковий шар, нанесений на непровідну підкладку з двома електродами, який відрізняється тим, що як чутливий напівпровідниковий шар використовують наноструктури ZnO з р-типом провідності.
Спосіб отримання наноструктурованих матеріалів zno
Номер патенту: 74828
Опубліковано: 12.11.2012
Автори: Турко Борис Ігорович, Сагайдачна Наталія Володимирівна
МПК: C01G 9/00
Мітки: спосіб, наноструктурованих, матеріалів, отримання
Формула / Реферат:
Спосіб отримання наноструктур ZnO, за яким готують суміш порошків у масовому співвідношенні 1:1, наповнюють нею ванночку прямокутної форми на 70 %, яку разом з кремнієвою підкладкою з кристалічною орієнтацією (100), що розташована на віддалі 2 - 4 мм від неї, поміщають горизонтально у нагрівник, який відрізняється тим, що як суміш використовують або порошок металічного Zn, або порошок ZnO з порошком металічного Zn, яку витримують упродовж 30...