Савкіна Рада Константинівна

Номер патенту: 31098

Опубліковано: 25.03.2008

Автори: Юр'єв Сергій Олексійович, Смірнов Олексій Борисович, Ющук Степан Іванович, Савкіна Рада Константинівна

МПК: G01N 29/04

Мітки: напівпровідникових, виявлення, спосіб, кристалів, частин, дефектних

Формула / Реферат:

Спосіб виявлення дефектних частин напівпровідникових кристалів, що включає нагрівання напівпровідникових кристалів та візуалізацію дефектів, який відрізняється тим, що нагрівання напівпровідникових кристалів до виявлення дефектів здійснюють ультразвуком, а візуалізацію дефектів проводять в інфрачервоному діапазоні довжин хвиль.