Юр’єв Сергій Олексійович

Спосіб виявлення дефектних частин напівпровідникових кристалів

Завантаження...

Номер патенту: 31098

Опубліковано: 25.03.2008

Автори: Савкіна Рада Константинівна, Ющук Степан Іванович, Смірнов Олексій Борисович, Юр'єв Сергій Олексійович

МПК: G01N 29/04

Мітки: виявлення, дефектних, частин, кристалів, напівпровідникових, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб виявлення дефектних частин напівпровідникових кристалів, що включає нагрівання напівпровідникових кристалів та візуалізацію дефектів, який відрізняється тим, що нагрівання напівпровідникових кристалів до виявлення дефектів здійснюють ультразвуком, а візуалізацію дефектів проводять в інфрачервоному діапазоні довжин хвиль.

Спосіб вирощування монокристалічних плівок ферит-гранатів методом рідинно-фазної епітаксії

Завантаження...

Номер патенту: 40028

Опубліковано: 16.07.2001

Автори: Варшава Славомир Степанович, Юрчишин Петро Іванович, Юр'єв Сергій Олексійович, Ющук Степан Іванович

МПК: C30B 29/28, C30B 19/00

Мітки: епітаксії, плівок, вирощування, монокристалічних, рідинно-фазної, ферит-гранатів, спосіб, методом

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування   монокристалічних плівок ферит-гранатів методом рідинно-фазної епітаксії, що включає занурення під­кладки з галій-гадолінієвого гранату в перенасичений розплав суміші феритоутворювальних окисидів та розчинника, і осадження плі­вок при заданих температурних режимах,   який   відріз­няється тим, що  як     розчинник беруть суміш оксидів молібдену, вісмуту і свинцю в таких співвідношеннях (мол. %): МоО3 - 5.0-10.0;  Bі2О3 -...