Юр’єв Сергій Олексійович
Спосіб виявлення дефектних частин напівпровідникових кристалів
Номер патенту: 31098
Опубліковано: 25.03.2008
Автори: Савкіна Рада Константинівна, Ющук Степан Іванович, Смірнов Олексій Борисович, Юр'єв Сергій Олексійович
МПК: G01N 29/04
Мітки: виявлення, дефектних, частин, кристалів, напівпровідникових, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб виявлення дефектних частин напівпровідникових кристалів, що включає нагрівання напівпровідникових кристалів та візуалізацію дефектів, який відрізняється тим, що нагрівання напівпровідникових кристалів до виявлення дефектів здійснюють ультразвуком, а візуалізацію дефектів проводять в інфрачервоному діапазоні довжин хвиль.
Спосіб вирощування монокристалічних плівок ферит-гранатів методом рідинно-фазної епітаксії
Номер патенту: 40028
Опубліковано: 16.07.2001
Автори: Варшава Славомир Степанович, Юрчишин Петро Іванович, Юр'єв Сергій Олексійович, Ющук Степан Іванович
МПК: C30B 29/28, C30B 19/00
Мітки: епітаксії, плівок, вирощування, монокристалічних, рідинно-фазної, ферит-гранатів, спосіб, методом
Формула / Реферат:
Спосіб вирощування монокристалічних плівок ферит-гранатів методом рідинно-фазної епітаксії, що включає занурення підкладки з галій-гадолінієвого гранату в перенасичений розплав суміші феритоутворювальних окисидів та розчинника, і осадження плівок при заданих температурних режимах, який відрізняється тим, що як розчинник беруть суміш оксидів молібдену, вісмуту і свинцю в таких співвідношеннях (мол. %): МоО3 - 5.0-10.0; Bі2О3 -...