Соловйова Любов Валентинівна

Номер патенту: 21275

Опубліковано: 04.11.1997

Автори: Соловйов Іван Іванович, Соловйова Любов Валентинівна

МПК: H01L 21/02

Мітки: виготовлення, спосіб, індукцією, статичною, транзисторів

Формула / Реферат:

1. Способ изготовления транзисторов со статической индукцией, включающий выращивание на кремниевой подложке эпитаксального слоя первого типа проводимости, формирование на эпитаксальном слое слоев нитрида и оксида кремния, формирование из слоев нитрида и оксида кремния маски, формирование областей затвора второго типа проводимости, стравливание части толщины эпитаксального слоя через маску, выращивание на эпитаксальном слое термического оксида...

Номер патенту: 2974

Опубліковано: 26.12.1994

Автори: Соловйова Любов Валентинівна, Соловйов Іван Іванович

МПК: H01L 29/73

Мітки: високовольтний, транзистор

Формула / Реферат:

1. Высоковольтный транзистор, содержащий области эмиттера, базы и коллектора, слой защитного диэлектрика с окнами для контактов к активным областям, при этом в области коллектора расположены кольцевые охранные области противоположного коллектору типа проводимости, отличающийся тем, что на защитном диэлектрике сформирован полевой электрод, расположенный над коллекторной областью вне области пространственного заряда охранных колец и соединенный...