Патенти з міткою «транзисторів»

Номер патенту: 105570

Опубліковано: 26.05.2014

Автори: Архіпова Валентина Миколаївна, Дзядевич Сергій Вікторович, Солдаткін Олександр Олексійович, Шелякіна Маргарита Костянтинівна

МПК: B82Y 15/00, G01N 27/00, G01N 33/00 ...

Мітки: польових, біосенсор, l-аргініну, інгібування, потенціометричний, ефекту, уреази, основі, pн-чутливих, розчинах, транзисторів, ферментний, водних, визначення

Формула / Реферат:

Ферментний потенціометричний біосенсор для визначення L-аргініну у водних розчинах на основі рН-чутливих польових транзисторів та ефекту інгібування уреази, який містить потенціометричний датчик на основі двох рН-чутливих польових транзисторів, на один з яких нанесена робоча ферментна мембрана на основі уреази, що є чутливою до L-аргініну, на другий нанесена мембрана порівняння на основі сироваткового альбуміну білка, вказаний біосенсор...

Номер патенту: 64489

Опубліковано: 10.11.2011

Автори: Козловський Костянтин Павлович, Пластовець Олександр Володимирович

МПК: B02C 13/00, B07B 1/00

Мітки: спосіб, гідрометалургійної, піро, переробки, підготовки, брухту, транзисторів, потужних

Формула / Реферат:

Спосіб підготовки брухту потужних транзисторів до піро- та гідрометалургійної переробки, що містить операції дроблення у молотковій дробарці, грохочення, магнітної сепарації, який відрізняється тим, що дроблення виконують протягом обмеженого часу, а саме 1,5-2,0 хвилини, на решітці з отворами 5 мм, кількість яких зменшена на 90 % від їхнього нормального значення, порціонно, а грохочення дробленої суміші проводять на ситі з...

Номер патенту: 42212

Опубліковано: 25.06.2009

Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович, Ільченко Олена Миколаївна

МПК: H01L 27/00, G01J 1/44

Мітки: оптично, частотним, транзисторів, фоточутлівих, вимірювання, основі, виходом, пристрій, потужності

Формула / Реферат:

Пристрій для вимірювання оптичної потужності з частотним виходом на основі фоточутливих транзисторів, який містить перше джерело постійної напруги, перший МДН-фототранзистор, два резистори, два конденсатори, МДН-транзистор, загальну шину, причому затвор першого МДН-фототранзистора підключений до другого виводу першого резистора, другий вивід другого конденсатора і другий полюс першого джерела постійної напруги підключені до загальної шини,...

Номер патенту: 27068

Опубліковано: 10.10.2007

Автори: Гомольський Дмитро Михайлович, Костенко Валер'ян Остапович, Кравчина Віталій Вікторович

МПК: H01L 21/70

Мітки: схем, комбінованою, ізоляцією, виготовленя, комплементарних, спосіб, інтегральних, транзисторів

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення кремнієвих структур з комбінованою діелектричною ізоляцією комплементарних транзисторів, який включає анізотропне травлення канавок під ізоляцію, окислення рельєфної поверхні підкладки, осадження на неї шару полікристалічного кремнію, формування підкладки полікристалічного кремнію та карманів з монокристалічним кремнієм, які ізольовані між собою діелектричною плівкою оксиду кремнію, осадження епітаксійної плівки з...

Номер патенту: 23770

Опубліковано: 11.06.2007

Автори: Костюкевич Сергій Олександрович, Воронько Андрій Олександрович, Ларкін Сергій Юрійович

МПК: H01L 21/28

Мітки: спосіб, системі, субмікронної, електродної, формування, затворів, нвч-польових, транзисторів

Формула / Реферат:

Спосіб формування субмікронної електродної системи затворів НВЧ-польових транзисторів, який включає формування маски, осадження у вакуумі і видалення маски, який відрізняється тим, що для формування маски використовують фоторезист на основі шарів потрійного з'єднання:As40S60-x, де 5≤х≤25.

Номер патенту: 22865

Опубліковано: 25.04.2007

Автори: Воронько Андрій Олександрович, Ларкін Сергій Юрійович

МПК: H01L 21/70, H01L 21/265

Мітки: ефектом, отримання, шару, спосіб, оксиду, надтонкого, пам'яті, транзисторів

Формула / Реферат:

Спосіб отримання тонких шарів оксиду SiO2, за яким тонкий шар оксиду осаджують з газової фази, відпалюють у атмосфері сухого азоту та опромінюють іонами кремнію, який відрізняється тим, що як імплантовані іони Si використовують низькоенергійні іони Si+ з енергією 1-2 кеВ, а відпал здійснюють при температурі 1030-1070 °С протягом 25-30 хв у атмосфері з вмістом кисню з залишковим тиском кисню 45-50 мбар.

Номер патенту: 33400

Опубліковано: 15.02.2001

Автори: Ніколаєв Володимир Якович, Поремський Олег Віталійович, Кофанов Віктор Леонідович

МПК: G01R 23/16, G01R 31/26

Мітки: надвисокочастотних, транзисторів, виміру, граничної, спосіб, частоти

Текст:

...(1) - шукана гранична частота, - частота на який проводиться вимір, - фаза коефіцієнта передачі. При вимірах, відповідно до даного методу, виникає методична похибка, обумовлена неідеаль ністю короткого замикання на виході транзистора, неточністю калібрування й установки точки зняття сигналу. Для зменшення цих похибок необхідно проведення допоміжних механічних маніпуляцій, що знижують продуктивність вимірів і утрудняють автоматизацію вимірів....

Номер патенту: 33442

Опубліковано: 15.02.2001

Автори: Фролов Олександр Миколайович, Курак Владислав Володимирович, Марончук Ігор Євгенович

МПК: H01L 21/34

Мітки: спосіб, транзисторів, біполярних, високочастотних, виготовлення, n-p-n

Текст:

...отримання не різкого, а плавного або лінійного переходу колектор-база і невисока концентрація бора в базі та на еміторному переході, а також збільшена товщина бази транзистора. Використання плавного р-n переходу колектор-база дозволяє збільшити пробивну напругу UKEO та UKEO за лавинним механізмом пробою. Зменшена концентрація NES ДОЗВОЛЯЄ ПІДВИЩИТИ пробивну напругу UEBO, а збільшена товщина бази транзистора зменшує кількість "проколів"...

Номер патенту: 32322

Опубліковано: 15.12.2000

Автори: Білець Анатолій Іванович, Лосовський Володимир Олександрович

МПК: G01R 31/12, G01R 31/00

Мітки: транзисторів, стану, технічного, прогнозування, біполярних, контролю, спосіб

Текст:

...стану біполярних транзисторів за щільністю низькочастотного флікерного шуму відповідно з винаходом вимірюють ширину бістабільної зони, для чого утворюють послідовний нелінійний контур, з'єднують індуктив ність з колекторним переходом випробуваного транзистора, потім збуджують контур генератором гармонічних коливань з амплітудою та частотою, на якій виникає бістабільна зона і за змінами смуги частоти бістабільної зони визначають залишок...

Номер патенту: 21582

Опубліковано: 06.01.1998

Автор: Лоссовский Володимир Олександрович

МПК: G01R 31/12

Мітки: працюють, спосіб, вигляді, режимі, технічного, польових, контролю, прогнозуючого, транзисторів, стану, ключовому, затвором, р-п-переходу

Формула / Реферат:

Способ прогнозирующего контроля техниче­ского состояния полевых транзисторов с затвором в виде р-n-перехода, работающих в ключевом ре­жиме, по спектральной плотности низкочастотно­го фликкерного шума, отличающийся тем, что измеряют избыточный ток утечки затвора в режи­ме включенного смещения на затвор и отсутствия импульсного входного напряжения затвор-исток и по величине тока утечки, полученного из опыта в процессе наработки, определяют...

Номер патенту: 18621

Опубліковано: 25.12.1997

Автори: Плахотка Лариса Степанівна, Воронін Валєрій Олександрович, Губа Сергій Констянтинович

МПК: H01L 21/18

Мітки: спосіб, структур, польових, арсеніду, основі, шотткі, інтегральних, галію, схем, транзисторів, одержання

Формула / Реферат:

Способ получения структур арсенида галлия для интегральных схем на основе полевых транзисторов Шоттки, включающий последовательное выращивание в едином технологическом цикле на полуизолирующей подложке арсенида галлия высокоомного буферного слоя методом газофазного осаждения из смеси, содержащей трихлорид мышьяка с водородом, с использованием источника галлия, активного слоя  -типа проводимости и контактного слоя  -типа проводимости,...

Номер патенту: 21275

Опубліковано: 04.11.1997

Автори: Соловйова Любов Валентинівна, Соловйов Іван Іванович

МПК: H01L 21/02

Мітки: індукцією, спосіб, транзисторів, виготовлення, статичною

Формула / Реферат:

1. Способ изготовления транзисторов со статической индукцией, включающий выращивание на кремниевой подложке эпитаксального слоя первого типа проводимости, формирование на эпитаксальном слое слоев нитрида и оксида кремния, формирование из слоев нитрида и оксида кремния маски, формирование областей затвора второго типа проводимости, стравливание части толщины эпитаксального слоя через маску, выращивание на эпитаксальном слое термического оксида...

Номер патенту: 16522

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Іващук Анатолій Васильович, Петровський Олег Іванович, Кохан Валентин Петрович, Босий Віталій Ісайович, Феоклістов Володимир Юр'євич

МПК: H01L 21/30

Мітки: шотткі, польових, виготовлення, спосіб, бар'єром, транзисторів

Формула / Реферат:

Способ изготовления полевых транзисторов с барьером Шоттки, включающий последовательное формирование на подложке n и n+ слоев и слоя диэлектрика, формирование истока и стока, выполнение литографии затвора, удаление на открытых участках диэлектрика и n+ слоя, формирование затвора путем вакуумного напыления и испарителя, взрывную литографию, отличающийся тем, что, с целью снижения шумов полевых транзисторов с барьером Шоттки за счет уменьшения...

Номер патенту: 16878

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Кохан Валентин Петрович, Данилов Миколай Григорович, Іващук Анатолій Васильович

МПК: H01L 21/70, H01L 21/28

Мітки: бар'єром, виготовлення, спосіб, структур, польових, транзисторів, шоткі

Формула / Реферат:

Способ изготовления структур полевых транзисторов с барьером Шотки, включающий формирование на полупроводниковой подложке активного и контактного слоев, вытравливание меза-структур, формирование областей истока и стока, вытравливание в области затвора контактного и части активного слоев, формирование барьерной части затворного электрода, формирование контактной части затворного электрода, отличающийся тем, что, с целью уменьшения коэффициента...