Соловйов Іван Іванович

Номер патенту: 21275

Опубліковано: 04.11.1997

Автори: Соловйова Любов Валентинівна, Соловйов Іван Іванович

МПК: H01L 21/02

Мітки: індукцією, транзисторів, статичною, спосіб, виготовлення

Формула / Реферат:

1. Способ изготовления транзисторов со статической индукцией, включающий выращивание на кремниевой подложке эпитаксального слоя первого типа проводимости, формирование на эпитаксальном слое слоев нитрида и оксида кремния, формирование из слоев нитрида и оксида кремния маски, формирование областей затвора второго типа проводимости, стравливание части толщины эпитаксального слоя через маску, выращивание на эпитаксальном слое термического оксида...

Номер патенту: 5301

Опубліковано: 28.12.1994

Автори: Соловйов Іван Іванович, Скрипник Юрій Олексійович, Коваленко Олег Васильович

МПК: G01R 31/26, H01H 1/00

Мітки: приладів, напівпровідникових, відбракування, спосіб

Формула / Реферат:

Способ отбраковки полупроводниковых приборов, включающий воздействие на контролируемый прибор тренирующими электропотенциалами и импульсом греющей мощности величиной не менее 1,5 максимально допустимой рассеиваемой мощности, определение изменения параметров контролируемого прибора и сравнение этого изменения с эталонным значением, отличающийся тем, что после воздействия на контролируемый прибор импульсом греющей мощности и в процессе...

Номер патенту: 2974

Опубліковано: 26.12.1994

Автори: Соловйов Іван Іванович, Соловйова Любов Валентинівна

МПК: H01L 29/73

Мітки: транзистор, високовольтний

Формула / Реферат:

1. Высоковольтный транзистор, содержащий области эмиттера, базы и коллектора, слой защитного диэлектрика с окнами для контактов к активным областям, при этом в области коллектора расположены кольцевые охранные области противоположного коллектору типа проводимости, отличающийся тем, что на защитном диэлектрике сформирован полевой электрод, расположенный над коллекторной областью вне области пространственного заряда охранных колец и соединенный...