Товарницький Мірча Васильович
Спосіб отримання фази in2ses4
Номер патенту: 99262
Опубліковано: 25.05.2015
Автори: Товарницький Мірча Васильович, Камінський Василь Михайлович, Кушнір Богдан Валерійович, Ковалюк Захар Дмитрович, Кудринський Захар Русланович
МПК: H01G 4/06
Мітки: спосіб, in2ses4, фазі, отримання
Формула / Реферат:
Спосіб отримання фази шарів In2SeS4 кубічної структури на підкладках шаруватих кристалів InSe, що включає їх відпал в парах сірки, який відрізняється тим, що як підкладки використовуються шаруваті кристали моноселеніду індію.
Спосіб одержання грані, колінеарної кристалографічній осі с, в шаруватих кристалах inse і gase
Номер патенту: 101001
Опубліковано: 25.02.2013
Автори: Заслонкін Андрій Володимирович, Дуплавий Василь Йосипович, Ковалюк Захар Дмитрович, Катеринчук Валерій Миколайович, Товарницький Мірча Васильович
МПК: C30B 11/00, C30B 29/46, C30B 1/00 ...
Мітки: спосіб, грані, колінеарної, кристалах, одержання, кристалографічній, шаруватих, осі
Формула / Реферат:
Спосіб одержання грані, колінеарної кристалографічній осі с, в шаруватих кристалах InSe і GaSe, який відрізняється тим, що вирощують шаруватий кристал в кварцовій ампулі, в якій перед вирощуванням розміщують кварцову пластину, орієнтовану співвісно з віссю ампули, після чого в ампулу поміщають попередньо синтезований матеріал.