Ковалюк Захар Дмитрович

Номер патенту: 118064

Опубліковано: 25.07.2017

Автори: Боледзюк Володимир Богданович, Ковалюк Захар Дмитрович

МПК: C30B 29/68

Мітки: спосіб, bi2te3, одержання, кристалів, напівпровідникових, шаруватих, основі, феромагнітними, температури, матеріалів, властивостями, кімнатний, bi2se3

Формула / Реферат:

Спосіб одержання напівпровідникових матеріалів, які мають феромагнітні властивості при кімнатній температурі, що базується на методі електрохімічного інтеркалювання іонів кобальту Со2+ у міжшаровий простір монокристалів шаруватих напівпровідників Bi2Se3, Ві2Те3, який відрізняється тим, що процес впровадження іонів кобальту відбувається у зразки, які розташовані в постійному магнітному полі, направленому паралельно базовій площині кристалу та...

Номер патенту: 116894

Опубліковано: 12.06.2017

Автори: Нетяга Віктор Васильович, Бахтінов Анатолій Петрович, Ковалюк Захар Дмитрович, Водоп'янов Володимир Миколайович, Кудринський Захар Русланович

МПК: H01L 21/288, B82B 3/00

Мітки: основі, нанокомпозитних, матеріалів, іонних, а3в6, шаруватих, напівпровідників, наночастинок, спосіб, виготовлення, іонотронних, мек, мeno3, солей

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення іонотронних нанокомпозитних матеріалів на основі 2D наночастинок шаруватих напівпровідників А3В6 і іонних солей MeNО3 (Me=K, Na, Rb, Cs), що ґрунтується на методі впровадження розплавів цих солей у міжшаровий простір об'ємних (3D) монокристалів А3В6, який відрізняється тим, що процес впровадження розплавів іонних солей MeNО3 (Me=K, Na, Rb, Cs) в кристали А3В6 проводять при значеннях температури, які перевищують значення...

Номер патенту: 107984

Опубліковано: 24.06.2016

Автори: Юрценюк Сидір Прокопович, Ковалюк Захар Дмитрович, Семенчик Іван Іванович

МПК: B01J 20/20, H01G 9/00, C01B 31/12 ...

Мітки: додаткової, суперконденсаторів, активації, спосіб, поверхні, активної, матеріалу, електродного

Формула / Реферат:

Спосіб активації додаткової активної внутрішньої поверхні електродного матеріалу суперконденсаторів, який відрізняється тим, що суперконденсатор в готовому вигляді піддається обробці імпульсами постійного струму тривалістю 0,02¸0,03 с зі скважністю 0,5¸5 с (переважно 2¸3 с) при напрузі, що перевищує номінальну напругу суперконденсатора в 5¸15 разів (переважно 6¸9 разів), а кількість імпульсів складає...

Номер патенту: 106400

Опубліковано: 25.04.2016

Автори: Ковалюк Захар Дмитрович, Цибуленко Юрій Михайлович, Боледзюк Володимир Богданович

МПК: C30B 29/68

Мітки: феромагнітними, напівпровідникових, шаруватих, нанокомпозитних, матеріалів, основі, спосіб, in2se3, отримання, кристалів, властивостями, inse

Формула / Реферат:

Спосіб отримання нанокомпозитних напівпровідникових матеріалів, які мають феромагнітні властивості при кімнатній температурі, ґрунтується на методі електрохімічного впровадження (інтеркалювання) іонів кобальту у міжшаровий простір монокристалів шаруватих напівпровідників InSeб In2Se3, InTe, який відрізняється тим, що процес впровадження іонів кобальту відбувається у зразки, які розташовані в градієнтному магнітному полі, направленому...

Номер патенту: 110751

Опубліковано: 10.02.2016

Автори: Нетяга Віктор Васильович, Ковалюк Захар Дмитрович, Кудринський Захар Русланович, Водоп'янов Володимир Миколайович, Бахтінов Анатолій Петрович

МПК: H01L 31/053, H01L 31/112, H01L 31/08 ...

Мітки: гібридний, фотоперетворювач, напівпровідниковий, наноіонний

Формула / Реферат:

Гібридний напівпровідниковий наноіонний фотоперетворювач, що містить прозорий для оптичного випромінювання фронтальний шар металу, фоточутливий напівпровідниковий матеріал з шаруватою кристалічною структурою і розташовані на металевому шарі і на напівпровідниковому матеріалі контактні електроди, який відрізняється тим, що як фоточутливий напівпровідниковий матеріал використовується нанокомпозитний матеріал, який являє собою тверду...

Номер патенту: 109832

Опубліковано: 12.10.2015

Автори: Ковалюк Захар Дмитрович, Бахтінов Анатолій Петрович, Кудринський Захар Русланович, Нетяга Віктор Васильович, Водоп'янов Володимир Миколайович

МПК: H01G 9/15, H01G 4/06

Мітки: конденсатора, спосіб, виготовлення, наноіонного

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення наноіонного конденсатора, що включає в себе впровадження в ван-дер-ваальсівський простір між шарами напівпровідникового матеріалу з шаруватою кристалічною структурою рідкої розплавленої іонної солі і наступного охолодження нанокомпозитного матеріалу, що складається з шаруватого кристалу і іонної солі, який відрізняється тим, що як шаруватий напівпровідниковий матеріал використовують високоомний селенід індію з електронним...

Номер патенту: 99262

Опубліковано: 25.05.2015

Автори: Ковалюк Захар Дмитрович, Камінський Василь Михайлович, Товарницький Мірча Васильович, Кудринський Захар Русланович, Кушнір Богдан Валерійович

МПК: H01G 4/06

Мітки: фазі, спосіб, in2ses4, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання фази шарів In2SeS4 кубічної структури на підкладках шаруватих кристалів InSe, що включає їх відпал в парах сірки, який відрізняється тим, що як підкладки використовуються шаруваті кристали моноселеніду індію.

Номер патенту: 87571

Опубліковано: 10.02.2014

Автори: Хандожко Віктор Олександрович, Саміла Андрій Петрович, Балазюк Віталій Назарович, Ковалюк Захар Дмитрович, Раранський Микола Дмитрович

МПК: G01N 24/00

Мітки: процес, монокристалу, реєстрації, галію, селеніду, температури, основі

Формула / Реферат:

Процес реєстрації температури на основі монокристалу селеніду галію, який відрізняється тим, що як термометричний параметр вибирається температурна залежність власної частоти ядерного квадрупольного резонансу FP, причому лінійна залежність температури Т, яка визначається в інтервалі 20<T<130 °C відповідає частоті ядерного квадрупольного резонансу FP, що розташована в діапазоні 18,150<FP<19,110 МГц.

Номер патенту: 104430

Опубліковано: 10.02.2014

Автори: Ковалюк Захар Дмитрович, Бахтінов Анатолій Петрович, Нетяга Віктор Васильович, Водоп'янов Володимир Миколайович

МПК: H01G 11/00, H01G 4/00, H01L 27/00 ...

Мітки: спіновий, високочастотний, конденсатор

Формула / Реферат:

Високочастотний спіновий конденсатор, що містить послідовно розташовані шар феромагнітного металу, шар напівпровідника n-типу провідності з нанорозмірною сильнолегованою областю на границі розділу між цим напівпровідником і феромагнітним металом, а також напівпровідниковий матеріал p-типу провідності, який відрізняється тим, що як напівпровідниковий матеріал p-типу провідності беруть нанокомпозитний матеріал, який...

Номер патенту: 84872

Опубліковано: 11.11.2013

Автори: Саміла Андрій Петрович, Балазюк Віталій Назарович, Раранський Микола Дмитрович, Ковалюк Захар Дмитрович, Хандожко Віктор Олександрович

МПК: G01N 24/00

Мітки: квадрупольного, речовини, термометра, резонансу, напівпровідникового, основі, ядерного, застосування, термометричної, gаsе, кристала

Формула / Реферат:

Застосування напівпровідникового кристала GaSe як термометричної речовини для термометра на основі ядерного квадрупольного резонансу.

Номер патенту: 101001

Опубліковано: 25.02.2013

Автори: Дуплавий Василь Йосипович, Катеринчук Валерій Миколайович, Заслонкін Андрій Володимирович, Товарницький Мірча Васильович, Ковалюк Захар Дмитрович

МПК: C30B 1/00, C30B 29/46, C30B 11/00 ...

Мітки: грані, кристалах, одержання, кристалографічній, осі, спосіб, шаруватих, колінеарної

Формула / Реферат:

Спосіб одержання грані, колінеарної кристалографічній осі с, в шаруватих кристалах InSe і GaSe, який відрізняється тим, що вирощують шаруватий кристал в кварцовій ампулі, в якій перед вирощуванням розміщують кварцову пластину, орієнтовану співвісно з віссю ампули, після чого в ампулу поміщають попередньо синтезований матеріал.

Номер патенту: 99859

Опубліковано: 10.10.2012

Автори: Нетяга Віктор Васильович, Коноплянко Денис Юрійович, Ковалюк Захар Дмитрович, Бахтінов Анатолій Петрович, Водоп'янов Володимир Миколайович

МПК: H01G 9/20, H01G 7/00, H01L 29/15 ...

Мітки: нанокомпозитний, фотоконденсатор

Формула / Реферат:

Нанокомпозитний фотоконденсатор, що містить прозорий для оптичного випромінювання фронтальний шар металу, фоточутливий напівпровідниковий матеріал з шаруватою кристалічною структурою і розташовані на металевому шарі і на напівпровідниковому матеріалі контактні електроди, який відрізняється тим, що як фоточутливий напівпровідниковий матеріал використовується нанокомпозитний матеріал, який являє собою напівпровідникову матрицю селеніду галію з...

Номер патенту: 70598

Опубліковано: 25.06.2012

Автори: Шевчик Віталій Васильович, Боледзюк Володимир Богданович, Ковалюк Захар Дмитрович

МПК: C30B 29/68

Мітки: напівпровідникового, феромагнітного, одержання, матеріалу, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання феромагнітного напівпровідникового матеріалу, який ґрунтується на методі електрохімічного впровадження (інтеркалювання) іонів кобальту у міжшаровий простір монокристалів шаруватого напівпровідника GaSe, який відрізняється тим, що процес впровадження іонів кобальту відбувається у зразки, які розташовані в постійному магнітному полі, направленому перпендикулярно напрямку електричного струму.

Номер патенту: 98860

Опубліковано: 25.06.2012

Автори: Ковалюк Захар Дмитрович, Юрценюк Сидір Прокопович, Боднарашек Володимир Михайлович, Юрценюк Наталя Сидорівна

МПК: H01G 9/00, G01N 33/22

Мітки: поверхні, визначення, суперконденсатора, внутрішньої, спосіб, ефективно, питомої, електрода, пористого

Формула / Реферат:

Спосіб визначення питомої ефективної робочої поверхні пористого електрода суперконденсатора, який відрізняється тим, що проводять вимірювання ємностей суперконденсатора в двох режимах розряду: при постійному струмі та на високій частоті (105 - 106 Гц), а потім розраховують питому ефективну робочу поверхню за формулою:  [м2/г], де, Sпит..eф - питома ефективна...

Номер патенту: 98833

Опубліковано: 25.06.2012

Автори: Ковалюк Захар Дмитрович, Юрценюк Наталя Сидорівна, Юрценюк Сидір Прокопович, Боднарашек Володимир Михайлович

МПК: C01B 31/02, B01J 20/20, H01G 9/00 ...

Мітки: органічної, пористого, рослинного, походження, синтезу, матеріалу, спосіб, вуглецевого, сировини

Формула / Реферат:

1. Спосіб синтезу пористого вуглецевого матеріалу з органічної сировини рослинного походження методом двостадійного піролізу, а саме, карбонізацією та активацією, який відрізняється тим, що як вихідну сировину використовують кукурудзяні рильця (corn stigmas), на стадії карбонізації проводять 4-5-разове кисневе травлення напусканням в робочу зону повітря з розрахунку 20-30 % від об'єму завантаженої сировини, а при активації як активний реагент...

Номер патенту: 97301

Опубліковано: 25.01.2012

Автори: Нетяга Віктор Васильович, Бахтінов Анатолій Петрович, Коноплянко Денис Юрійович, Ковалюк Захар Дмитрович

МПК: H01G 4/06

Мітки: накопичувальний, інтеркаляційний, конденсатор

Формула / Реферат:

Інтеркаляційний накопичувальний конденсатор, який складається з шарів монокристала селеніду галію із включеннями інтеркалянту, які знаходяться у Ван-дер-ваальсових щілинах цього кристала, який відрізняється тим, що як інтеркалянт використаний сегнетоелектричний матеріал KNO3, який впроваджений в міжшарові щілини селеніду галію в розплавленому стані.

Номер патенту: 97269

Опубліковано: 25.01.2012

Автори: Коноплянко Денис Юрійович, Ковалюк Захар Дмитрович, Нетяга Віктор Васильович, Бахтінов Анатолій Петрович

МПК: H01G 4/06

Мітки: спосіб, виготовлення, інтеркаляційного, фільтрового, конденсатора

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення інтеркаляційного фільтрового конденсатора, що включає інтеркалювання шаруватого напівпровідника селеніду галію (GaSe) сегнетоелектричним матеріалом, який відрізняється тим, що інтеркалювання шаруватого напівпровідника GaSe проводять шляхом впровадження в двовимірні (2D) міжшарові Ван-дер-Ваальсівські щілини тривимірних (3D) нанорозмірних включень з розплаву сегнетоелектричного матеріалу KNO3 при температурі від 329 до 339...

Номер патенту: 97268

Опубліковано: 25.01.2012

Автори: Ковалюк Захар Дмитрович, Бахтінов Анатолій Петрович, Коноплянко Денис Юрійович, Нетяга Віктор Васильович

МПК: H01G 4/06

Мітки: фільтровий, інтеркаляційний, конденсатор

Формула / Реферат:

Інтеркаляційний фільтровий конденсатор, що містить шаруватий монокристал селенід галію та включення інтеркалянту в міжшарових Ван-дер-Ваальсівських щілинах монокристала селеніду галію, який відрізняється тим, що як інтеркалянт використаний сегнетоелектричний матеріал KNO3 в формі тривимірних (3D) нанорозмірних включень.

Номер патенту: 62625

Опубліковано: 12.09.2011

Автори: Ковалюк Захар Дмитрович, Брус Віктор Васильович, Ілащук Марія Іванівна, Мар'янчук Павло Дмитрович, Ульяницький Костянтин Сергійович

МПК: H01L 33/00

Мітки: сонячний, елемент

Формула / Реферат:

1. Сонячний елемент на основі анізотипної гетероструктури n-TiO2/p-CdTe, який містить поглинач сонячного випромінювання та нанесену на поглинач плівку n-ТіО2, який відрізняється тим, що поглинач сонячного випромінювання виконаний у вигляді сколотої монокристалічної підкладки p-CdTe, а нанесена на підкладку плівка n-ТіО2 має щільну структуру.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що фронтальний контакт сонячного елемента виконаний...

Номер патенту: 57157

Опубліковано: 10.02.2011

Автори: Брус Віктор Васильович, Мар'янчук Павло Дмитрович, Ковалюк Захар Дмитрович

МПК: H01L 33/26

Мітки: світловипромінююча, напівпровідникова, гетероструктура

Формула / Реферат:

Світловипромінююча напівпровідникова гетероструктура, що містить монокристалічний шар фосфіду галію n-типу провідності, епітаксійний шар фосфіду галію n-типу провідності, тиловий та фронтальний електричні контакти, яка відрізняється тим, що на епітаксійний шар фосфіду галію нанесена плівка діоксиду титану n-типу провідності, на якій розташований фронтальний електричний контакт, а тиловий електричний контакт розташований на монокристалічному...

Номер патенту: 83271

Опубліковано: 25.06.2008

Автори: Юрценюк Сидір Прокопович, Ковалюк Захар Дмитрович, Юрценюк Наталя Сидорівна, Бухаров Володимир Андрійович

МПК: H01G 9/00, H01G 13/00, H01G 9/04 ...

Мітки: тонких, виготовлення, електродів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення тонких електродів суперконденсаторів, що полягає в нанесенні електродної суміші на підкладку пульверизацією, який відрізняється тим, що формування електрода проводять безпосередньо на сепараторному матеріалі, розміщеному поверх гідрофільної підкладки, а товщину нанесеного шару розраховують за формулою , де d - товщина електрода; m - маса електродної...

Номер патенту: 80614

Опубліковано: 10.10.2007

Автори: Бахтінов Анатолій Петрович, Водоп'янов Володимир Миколайович, Слинько Євген Іларіонович, Ковалюк Захар Дмитрович

МПК: C30B 23/02

Мітки: спосіб, точок, одержання, квантових, телуриду, свинцю

Формула / Реферат:

Спосіб одержання квантових точок телуриду свинцю, який включає випаровування матеріалу, що містить телурид свинцю, і його осадження в вакуумі на сколоту в кристалографічній площині (111) підкладку з фториду барію, який відрізняється тим, що матеріал осаджують при температурі підкладки не менше 350 °С на нижню поверхню (111) підкладки, яку деформують зовнішніми силами і створюють в перпендикулярному до площини (111) напрямі направлену від...

Номер патенту: 79362

Опубліковано: 11.06.2007

Автори: Мінтянський Ілля Васильович, Савицький Петро Іванович, Заслонкін Андрій Володимирович, Дудяк Олександр Володимирович, Ковалюк Захар Дмитрович

МПК: H01M 4/58, H01M 6/14, H01M 4/36 ...

Мітки: літієвий, елемент, півторавольтовий

Формула / Реферат:

Півторавольтовий літієвий елемент, що містить літієвий анод та халькогенідний катод, утворений з активного матеріалу та в'яжучої речовини, з розміщеним між ними сепаратором, з електролітом із електропровідної літієвої солі в органічному розчиннику, який відрізняється тим, що як активний матеріал катода використовується мідно-вісмутовий сульфід Cu4Bi5S10.

Номер патенту: 77971

Опубліковано: 15.02.2007

Автори: Савицький Петро Іванович, Мінтянський Ілля Васильович, Дудяк Олександр Володимирович, Заслонкін Андрій Володимирович, Ковалюк Захар Дмитрович

МПК: H01M 4/36, H01M 4/58, H01M 4/24 ...

Мітки: джерело, літієве, струму

Формула / Реферат:

Літієве джерело струму, що містить літієвий анод та халькогенідний катод, утворений з активного матеріалу та в'яжучої речовини, з розміщеним між ними сепаратором, з електролітом із електропровідної літієвої солі в органічному розчиннику, яке відрізняється тим, що як активний матеріал використовується мідно-вісмутовий халькогенід CuBiSeS.

Номер патенту: 68477

Опубліковано: 16.08.2004

Автори: Будзуляк Іван Михайлович, Гаврилюк Степан Васильович, Ковалюк Захар Дмитрович

МПК: H01G 13/00

Мітки: фільтрових, конденсаторів, виготовлення, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання фільтрових конденсаторів, що містять два електроди, сформовані із активованого вуглеволокна і розділені сепаратором із водним розчином електроліту, який відрізняється тим, що як електродний матеріал використовують активований вуглець, отриманий із фруктових кісточок, а як електроліт – 36 % воднийрозчин гідроксиду калію.2. Спосіб отримання фільтрових конденсаторів за п. 1, який відрізняється тим, що на основі...

Номер патенту: 53699

Опубліковано: 17.02.2003

Автори: Ковалюк Захар Дмитрович, Будзуляк Іван Михайлович, Григорчак Іван Іванович

МПК: C01B 19/00

Мітки: спосіб, інтеркалювання

Формула / Реферат:

1. Спосіб інтеркалювання, що полягає у впровадженні в тверді тіла з шаруватою кристалічною структурою "гостьових" компонентів шляхом дифузії останніх в область ван-дер-ваальсових зв'язків, який відрізняється тим, що зазначена дифузія забезпечується і стимулюється імпульсним лазерним опроміненням, яке направляється під кутом 90° ± 10° до площини поглинаючої плівки "гостьового" компонента, нанесеної на одну з граней зразка,...

Номер патенту: 46345

Опубліковано: 15.05.2002

Автори: Орлецький Володимир Борисович, Будзуляк Іван Михайлович, Ковалюк Захар Дмитрович

МПК: H01G 7/00, H01G 5/00, H01G 4/00 ...

Мітки: спосіб, конденсаторів, подвійним, отримання, вуглецю, шаром, активованого, електричним

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання активованого вуглецю, що полягає в карбонізації фруктових кісточок у вакуумі при температурі 450-500°С протягом 50-60 хвилин з наступною активацією матеріалу в 10-15% водному розчині КОН при температурі 840-880°С протягом 70-80 хвилин.2. Спосіб отримання активованого вуглецю за п.1, який відрізняється тим, що активацію карбонізованих фруктових кісточок проводять у закритому контейнері з можливістю...

Номер патенту: 46137

Опубліковано: 15.05.2002

Автори: Григорчак Іван Іванович, Заслонкін Андрій Володимирович, Мінтянський Ілля Васильович, Савицький Петро Іванович, Ковалюк Захар Дмитрович

МПК: H01M 6/16, H01M 4/58

Мітки: елемент, гальванічний

Формула / Реферат:

Гальванічний елемент, що містить літієвий анод та катод, утворений халькогенідом із шаруватою кристалічною структурою та зв'язуючою речовиною, з розміщеним між ними сепаратором, з електролітом із електропровідної солі в органічному розчиннику, який відрізняється тим, що халькогенідом є селенід вісмуту, легований в процесі синтезу атомами міді в концентраційному інтервалі 0,8

Номер патенту: 45130

Опубліковано: 15.03.2002

Автори: Заслонкін Андрій Володимирович, Савицький Петро Іванович, Смакоус Микола Миколайович, Мінтянський Ілля Васильович, Ковалюк Захар Дмитрович

МПК: H01M 4/00

Мітки: елемент, літієвий

Формула / Реферат:

1. Літієвий елемент, що містить літієвий анод та халькогеніднии катод, утворений з активного матеріалу та в'яжучої речовини, з розміщеним між ними сепаратором, з електролітом із електропровідної літієвої солі в органічному розчиннику, який відрізняється тим, що як халькогенід використовується мідно-вісмутовий селенід CuBiSe2.2. Літієвий елемент по п. 1, який відрізняється тим, що мідно-вісмутовий селенід CuBiSe2 одержують прямим...

Номер патенту: 44438

Опубліковано: 15.02.2002

Автори: Григорчак Іван Іванович, Ковалюк Захар Дмитрович, Бахматюк Богдан Петрович

МПК: H01G 9/00

Мітки: псевдоконденсатор

Формула / Реферат:

Псевдоконденсатор, який містить два электроди, розділені електролітом, який відрізняється тим, що електродами служать зразки дисульфіду титану з інтеркаляційно активованими областями ван-дер-Ваальса, а як електроліт використані апротонні розчини перхлоратів, фторборатів тетраалкіламонію чи літію.

Номер патенту: 44472

Опубліковано: 15.02.2002

Автори: Шастал Манолій Манолійович, Юрценюк Сидір Прокопович, Ковалюк Захар Дмитрович

МПК: H01G 9/00, H01G 2/00

Мітки: конденсатор, електричному, шарі, подвійному

Формула / Реферат:

Конденсатор на подвійному електричному шарі, що містить два електроди з вуглецево-графітного матеріалу з розміщеним між ними сепаратором, змоченим розчином електроліту, який відрізняється тим, що один з електродів (катод) виготовляють з суміші Сu(ОН)2, струмопровідної добавки та зв'язуючого компонента, переважно у співвідношенні (65±5): (30±5) : (4±1) ваг. %, відповідно.

Номер патенту: 39335

Опубліковано: 15.06.2001

Автори: Юрценюк Сидір Прокопович, Ковалюк Захар Дмитрович, Шастал Манолій Манолійович

МПК: H01G 13/00

Мітки: подвійному, виготовлення, електричному, електродами, спосіб, шарі, збалансованими, конденсаторів

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення конденсаторів на подвійному електричному шарі, що включає в себе розміщення двох електродів з вуглецевого матеріалу з поміщеним між ними сепаратором змоченим розчином електроліту, який відрізняється тим, що електроди виготовляють різними по масі при співвідношенні мас переважно в границях від 1 : 1,05 до 1 : 2.2. Спосіб по п. 1, який відрізняється тим, що границі співвідношення мас електродів, для кожного...

Номер патенту: 36945

Опубліковано: 16.04.2001

Автори: Ковалюк Захар Дмитрович, Юрценюк Сидір Прокопович

МПК: H01G 7/00

Мітки: електричному, конденсатор, шарі, ємністю, подвійному, неполярний, асиметричною

Текст:

...тобто стаканчика від кришки, забезпечується кільцеподібною прокладкою (наприклад, із поліпропілену). Отримуємо партію конденсаторів із співвідношенням мас електродів mм /m в – (1:20); (1:10); (1:3,3); (1:2); (1:1,4), де m м – маса меншого електроду, а m в – маса більшого електроду. 6. На діючих зразках конденсаторів по п. 5 проводять виміри ємностей С 1 і С2 при двох напрямках прикладеної зарядної напруги, тобто при величині зарядної...

Номер патенту: 28186

Опубліковано: 16.10.2000

Автори: Григорчак Іван Іванович, Гаврилюк Степан Васильович, Ковалюк Захар Дмитрович, Бахматюк Богдан Петрович, Шастал Манолій Манолійович

МПК: H01M 4/36, H01M 4/06

Мітки: струму, джерело, електричного

Формула / Реферат:

1. Джерело електричного струму, що містить літієвий анод і катод із фторованого матеріалу з розміщеним між ними сепаратором з електролітом із електропровідної солі в органічному розчиннику, яке відрізняється тим, що як фторований матеріал береться халькогенід вісмуту формули Ві2 Сh3 (Ch - S, Se, Те) із шаруватою кристалічною структурою, витриманий в газоподібному фторі при температурі 100-140°С протягом 60-80 хвилин.2. Джерело...