Патенти з міткою «кристалах»

Номер патенту: 101001

Опубліковано: 25.02.2013

Автори: Дуплавий Василь Йосипович, Ковалюк Захар Дмитрович, Заслонкін Андрій Володимирович, Катеринчук Валерій Миколайович, Товарницький Мірча Васильович

МПК: C30B 29/46, C30B 1/00, C30B 11/00 ...

Мітки: спосіб, осі, кристалах, одержання, шаруватих, грані, кристалографічній, колінеарної

Формула / Реферат:

Спосіб одержання грані, колінеарної кристалографічній осі с, в шаруватих кристалах InSe і GaSe, який відрізняється тим, що вирощують шаруватий кристал в кварцовій ампулі, в якій перед вирощуванням розміщують кварцову пластину, орієнтовану співвісно з віссю ампули, після чого в ампулу поміщають попередньо синтезований матеріал.

Номер патенту: 74232

Опубліковано: 25.10.2012

Автори: Стахіра Йосип Михайлович, Белюх Віктор Михайлович

МПК: G01N 21/87

Мітки: орієнтації, визначення, кристалах, спосіб, оптично, форми, індикатриси

Формула / Реферат:

Спосіб визначення орієнтації і форми оптичної індикатриси у кристалах, за яким зразок досліджують у відбитому поляризованому світлі, який відрізняється тим, що визначають положення екстремумів залежності ефективного показника заломлення від кута повороту кристала навколо вертикальної осі, які вказують напрями головних осей індикатриси.

Номер патенту: 99369

Опубліковано: 10.08.2012

Автори: Писаревський Володимир Костянтинович, Коман Богдан Петрович, Морозов Леонід Михайлович

МПК: H01L 21/02, C30B 25/00, C30B 19/00 ...

Мітки: зниження, власнодефектних, кристалах, акцепторів, спосіб, концентрації

Формула / Реферат:

Спосіб зниження концентрації акцепторів у власнодефектних кристалах, за яким кристали вирощують вертикальним способом Бріджмена або способом твердотільної рекристалізації, який відрізняється тим, що з вирощеного кристала вирізають середню частину, отримані злитки розрізають на зразки у формі паралелепіпедів з розмірами  мм, які механічно шліфують і хімічно полірують у...

Номер патенту: 69942

Опубліковано: 25.05.2012

Автори: Качур Наталія Володимирівна, Венгер Євген Федорович, Ляпін Олександр Миколайович, Маслов Володимир Петрович

МПК: G01N 21/31

Мітки: прозорих, кристалах, спосіб, контролю, дефектів

Формула / Реферат:

Спосіб контролю дефектів у прозорих кристалах за величиною потужності випромінювання, що пройшло через зразок вздовж його осі, який відрізняється тим, що між зразком та приладом, що контролює потужність випромінювання встановлюється аналізатор, що обертається навколо осі розповсюдження випромінювання, результати вимірів порівнюються з вимірами еталонного зразка, в якому немає дефектів чи їх рівень визначено виробником або замовником як...

Номер патенту: 6514

Опубліковано: 16.05.2005

Автори: Ащеулов Анатолій Анатолійович, Фотій Василь Давидович

МПК: H01L 35/12

Мітки: розчинів, міцності, спосіб, підвищення, кристалах, адгезійної, шарів, нікелю, твердих, антидифузійних, bi-te-se-sb

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення адгезійної міцності антидифузійних шарів нікелю на кристалах твердих розчинів Bi-Te-Se-Sb, що включає температурний відпал кристала з хімічно нанесеними шарами нікелю, який відрізняється тим, що в процесі температурного відпалу кристали з хімічно нанесеними шарами нікелю піддаються одночасній дії зовнішніх постійного магнітного та імпульсного електричного полів за допомогою циліндричного гіротропного конденсатора при...

Номер патенту: 50233

Опубліковано: 15.10.2002

Автори: Кедюлич Віктор Михайлович, Гуранич Павло Павлович, Шуста Володимир Семенович, Сливка Олександр Георгієвич, Кабаль Роман Васильович, Герзанич Омелян Іванович

МПК: G01R 27/26

Мітки: сегнетоелектричних, дослідження, кристалах, констант, кюрі-вейсса, експрес-спосіб

Формула / Реферат:

Експрес-спосіб дослідження констант Кюрі-Вейсса в сегнетоелектричних кристалах, який включає визначення температурної константи Кюрі-Вейсса при постійному тиску  та баричної константи Кюрі-Вейсса при постійній температурі  і їх баричну та температурну зміну вздовж фазової р,Т-діаграми, який відрізняється...

Номер патенту: 31782

Опубліковано: 15.12.2000

Автори: Коломоєць Володимир Васильович, Єрмаков Валерій Миколайович, Венгер Євген Федорович, Доценко Юрій Павлович, Будзуляк Сергій Іванович, Демчина Любомир Андрійович

МПК: G01L 3/00, G01L 1/06

Мітки: визначення, кристалах, спосіб, напівпровідникових, залишкових, механічних, напружень, багатодолинних

Текст:

...простого, більш точного та більш досконалого, в порівнянні з існуючими аналогами, способу визначення залишкових механічних напружень в кристалах багатодолинних напівпровідників, що виникають в процесі їх вирощування, змін в результаті проведення різного роду технологічних відпалів або в результаті іншого впливу на напівпровідниковий матеріал Вирішення цієї задачі здійснюється шляхом проведення вимірів зміни поздовжнього опору пари зразків...