C30B 29/46 — сіро-, селен-або теллурсодержащіе з’єднання

Номер патенту: 115204

Опубліковано: 25.09.2017

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Соломон Андрій Михайлович, Ізай Віталій Юрійович, Погодін Артем Ігорович, Кохан Олександр Павлович

МПК: C30B 11/02, C30B 29/46, C30B 1/06 ...

Мітки: ag7ges5i, спрямовано, вирощування, розплаву-розчину, спосіб, методом, кристалізації

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування Ag7GeS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву - розчину, який включає ступінчасте нагрівання вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти срібло, германій, сірку та попередньо синтезований і очищений AgІ у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури 1273 К і шихту витримують при цій температурі протягом 72 год. та здійснюють...

Номер патенту: 114584

Опубліковано: 26.06.2017

Автори: Лалаянц Олександр Іванович, Галкін Сергій Миколайович, Звєрєва Віра Сергіївна, Рибалка Ірина Анатоліївна

МПК: C30B 29/46, C01B 19/00, C01G 9/00, C30B 29/48 ...

Мітки: шихти, цинку, спосіб, отримання, селеніду

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання шихти селеніду цинку, який включає завантаження елементарного цинку та селену у реактор, де у нижню частину вертикального реактора завантажують елементарний цинк, нагрівають нижню частину вище температури кипіння цинку з підтримкою у верхній частині реактора температури нижче за температуру кипіння цинку, але вище за температуру твердіння селену, і синтезують шихту у паровій фазі з елементарного цинку та селену, який...

Номер патенту: 116463

Опубліковано: 25.05.2017

Автори: Корбутяк Дмитро Васильович, Єрмаков Валерій Миколайович, Томашик Зінаїда Федорівна, Будзуляк Сергій Іванович, Тріщук Любомир Іванович, Серпак Наталія Федорівна, Капуш Ольга Анатоліївна, Демчина Любомир Андрійович, Борук Сергій Дмитрович, Томашик Василь Миколайович, Оптасюк Сергій Васильович

МПК: C30B 7/00, C30B 29/46

Мітки: нанокристалів, розчинів, колоїдних, спосіб, телуриду, кадмію, високочистих, синтезу

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу високочистих колоїдних розчинів нанокристалів кадмію телуриду, який включає синтез нанокристалів кадмію телуриду в колоїдному розчині з прекурсорів кадмію, телуру та модифікатора в деіонізованій воді, причому як модифікатор використовують тіогліколеву кислоту з концентрацією 4,6.10-2-1,15.10-1 моль/л, а синтез проводять впродовж 2-9 хв., який відрізняється тим, що до отриманого водного колоїдного розчину нанокристалів кадмію...

Номер патенту: 112507

Опубліковано: 26.12.2016

Автори: Оптасюк Сергій Васильович, Борук Сергій Дмитрович, Томашик Зінаїда Федорівна, Курик Андрій Онуфрійович, Томашик Василь Миколайович, Демчина Любомир Андрійович, Капуш Ольга Анатоліївна, Будзуляк Сергій Іванович, Тріщук Любомир Іванович, Корбутяк Дмитро Васильович, Єрмаков Валерій Миколайович

МПК: C30B 7/08, C30B 29/46

Мітки: кадмію, спосіб, синтезу, розчиннику, телуриду, нанокристалів, органічно-неорганічному

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу нанокристалів кадмію телуриду в колоїдному розчині з прекурсору кадмію - CdI2, прекурсору телуру – H2Te, модифікатора - тіогліколевої кислоти та регулятора кислотності колоїдного розчину NaOH в деіонізованій воді впродовж 2-9 хв, який відрізняється тим, що синтез здійснюють в колоїдному розчині, який додатково містить метанол при наступному мольному співвідношенні компонентів:метанол - (3,1±0,1)´10-1...

Номер патенту: 110303

Опубліковано: 10.10.2016

Автори: Єрмаков Валерій Миколайович, Мазарчук Ірина Опанасівна, Демчина Любомир Андрійович, Тріщук Любомир Іванович, Томашик Василь Миколайович, Будзуляк Сергій Іванович, Курик Андрій Онуфрійович, Борук Сергій Дмитрович, Томашик Зінаїда Федорівна, Капуш Ольга Анатоліївна, Корбутяк Дмитро Васильович

МПК: C01B 17/20, C01G 11/00, C01B 19/04 ...

Мітки: колоїдному, отримання, нанокристалів, спосіб, телуриду, розчині, кадмію, монодисперсних

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу нанокристалів кадмій телуриду в колоїдному розчині з прекурсорів кадмію, телуру та модифікатора - тіогліколевої кислоти з концентрацією 4,6×10-2-1,15×10-1 моль/л в деіонізованій воді впродовж 2-9 хв., який відрізняється тим, що отриманий колоїдний розчин нанокристалів додатково розділяють на різні фракції за розмірами нанокристалів шляхом седиментаційного осадження за допомогою додавання до колоїдного розчину...

Номер патенту: 106139

Опубліковано: 25.04.2016

Автори: Гуранич Оксана Григорівна, Пісак Роман Петрович, Рубіш Василь Михайлович, Риган Михайло Юрійович, Гуранич Павло Павлович

МПК: C30B 11/02, C01B 19/00, C01G 15/00 ...

Мітки: спосіб, синтезу, сегнетоелектричного, складу, матеріалу, tlgаsе2)x(tlgаs2)1-x

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу сегнетоелектричного матеріалу складу (TlGaSe2)x(TlGaS2)1-x, який включає синтез тіогалату та селеногалату талію, сплавлення їх суміші в герметизованій кварцовій ампулі та наступну кристалізацію розплаву, який відрізняється тим, що кристалізацію розплаву здійснюють шляхом охолодження з швидкістю 40-50 К/год. до температури 400-420 °С, витримки при цій температурі протягом 3-5 годин та подальшого охолодження в режимі виключеної...

Номер патенту: 108169

Опубліковано: 25.03.2015

Автори: Ільчук Григорій Архипович, Лопатинський Іван Євстахійович, Чекайло Микола Володимирович, Українець Валентин Остапович, Українець Наталія Андріївна, Кусьнеж Віктор Вацлавович

МПК: C30B 29/46

Мітки: кристалічного, отримання, ag8sise6, спосіб, аргіродиту

Формула / Реферат:

Спосіб отримання кристалічного аргіродиту Ag8SiSe6, згідно з яким кварцову ампулу, завантажену шихтою елементарних компонент срібла, кремнію і селену напівпровідникової чистоти, взятих у стехіометричному співвідношенні, вакуумують до залишкового тиску (0,9-1,2) 10-4 тор та нагрівають, який відрізняється тим, що при нагріванні проводять першу температурну витримку при температурі з діапазону DТвит1 = 500-720 K до проходження хімічної реакції...

Номер патенту: 107755

Опубліковано: 10.02.2015

Автори: Українець Валентин Остапович, Українець Наталія Андріївна, Ільчук Григорій Архипович, Чекайло Микола Володимирович, Гончар Федір Михайлович

МПК: C30B 29/46

Мітки: спосіб, ag8gеsе6, кристалічного, отримання, аргіродиту

Формула / Реферат:

Спосіб отримання кристалічного аргіродиту Ag8GeSe6, згідно з яким кварцову ампулу, завантажену шихтою елементарних компонент срібла, германію, селену напівпровідникової чистоти, взятих у стехіометричному співвідношенні, вакуумують до залишкового тиску (0,9-1,2)∙10-4 тор та нагрівають, який відрізняється тим, що при нагріванні проводять першу температурну витримку при температурі в діапазоні ΔТвит1 = 560-740 K до проходження першої...

Номер патенту: 107754

Опубліковано: 10.02.2015

Автори: Чекайло Микола Володимирович, Петрусь Роман Юрійович, Українець Валентин Остапович, Ільчук Григорій Архипович, Українець Наталія Андріївна

МПК: C30B 29/46

Мітки: аргіродиту, отримання, спосіб, ag8snse6, кристалічного

Формула / Реферат:

Спосіб отримання кристалічного аргіродиту Ag8SnSe6, згідно з яким кварцову ампулу, завантажену шихтою елементарних компонент срібла, олова, селену напівпровідникової чистоти, взятих у стехіометричному співвідношенні, вакуумують до залишкового тиску (0,9-1,2) 10-4 тор та нагрівають, який відрізняється тим, що при нагріванні проводять першу температурну витримку при температурі в діапазоні ΔТвит1 = 493-570 K до проходження хімічних...

Номер патенту: 101001

Опубліковано: 25.02.2013

Автори: Катеринчук Валерій Миколайович, Заслонкін Андрій Володимирович, Дуплавий Василь Йосипович, Ковалюк Захар Дмитрович, Товарницький Мірча Васильович

МПК: C30B 29/68, C30B 11/00, C30B 29/46, C30B 1/00 ...

Мітки: одержання, кристалах, шаруватих, колінеарної, спосіб, осі, грані, кристалографічній

Формула / Реферат:

Спосіб одержання грані, колінеарної кристалографічній осі с, в шаруватих кристалах InSe і GaSe, який відрізняється тим, що вирощують шаруватий кристал в кварцовій ампулі, в якій перед вирощуванням розміщують кварцову пластину, орієнтовану співвісно з віссю ампули, після чого в ампулу поміщають попередньо синтезований матеріал.

Номер патенту: 95882

Опубліковано: 12.09.2011

Автори: Комарь Віталій Корнійович, Загоруйко Юрій Анатолійович, Христьян Володимир Анатолійович, Коваленко Назар Олегович, Герасименко Андрій Спартакович, Пузіков В'ячеслав Михайлович

МПК: C30B 11/00, C30B 29/10, C30B 29/46 ...

Мітки: матеріал, кристалічний, діапазону, середнього, лазерів, заліза, цинку, частоти, селеніду, легованого, елементів, основі, перестроюванням, іонами, активних

Формула / Реферат:

Кристалічний матеріал для активних елементів лазерів середнього ІЧ діапазону з перестроюванням частоти на основі селеніду цинку, легованого іонами заліза, який відрізняється тим, що додатково містить домішку магнію, вміст якої складає 0,11<х<0,60 і створює твердий розчин заміщення Fe2+:Zn1-хMgxSe.

Номер патенту: 94142

Опубліковано: 11.04.2011

Автори: Загоруйко Юрій Анатолійович, Федоренко Ольга Олександрівна, Комарь Віталій Корнійович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Коваленко Назар Олегович, Герасименко Андрій Спартакович

МПК: C30B 29/10, C30B 29/46, C30B 11/00 ...

Мітки: легованого, лазерів, елементів, матеріал, селеніду, активних, хромом, середнього, діапазону, частоти, кристалічний, основі, перестроюванням, цинку

Формула / Реферат:

Кристалічний матеріал для активних елементів лазерів середнього ІЧ діапазону з перестроюванням частоти на основі селеніду цинку, легованого хромом, який відрізняється тим, що матеріал додатково містить домішку магнію і створює твердий розчин заміщення Zn1-xMgxSe:Cr2+ при 0,22<х<0,6, де х - частка домішкових іонів магнію в катіонній підрешітці.

Номер патенту: 57163

Опубліковано: 10.02.2011

Автори: Ащеулов Анатолій Анатолійович, Маник Орест Миколайович, Білинський-Слотило Володимир Романович

МПК: C30B 29/46, C30B 31/20, C30B 9/00 ...

Мітки: fesexte1-x, отримання, твердих, злитків, розчинів, fese, процес, полікристалічних

Формула / Реферат:

Процес створення полікристалічних злитків FeSe, FeTe та твердих розчинів FeSexTe1-x, що складається з етапів завантаження наважки, розміщення її у технологічній печі і проведення синтезу, який відрізняється тим, що на етапі синтезу розплав піддають дії зовнішнього магнітного поля, яке обертається навколо осі наважки.

Номер патенту: 92286

Опубліковано: 11.10.2010

Автори: Лалаянц Олександр Іванович, Рижиков Володимир Діомидович, Гриньов Борис Вікторович, Галкін Сергій Миколайович, Бреславський Ігор Анатолійович, Воронкін Євгеній Федорович

МПК: C30B 29/10, C30B 29/46, G01T 1/202 ...

Мітки: сцинтиляційний, одержання, цинку, матеріал, селеніду, активованого, основі, спосіб, напівпровідниковий

Формула / Реферат:

1. Напівпровідниковий сцинтиляційний матеріал на основі активованого селеніду цинку, який відрізняється тим, що активуючим елементом є елементи третьої групи, що утворюють з селенідом цинку тверді розчини заміщення, при співвідношенні компонентів, % мольн.: активуючий елемент 1.10-5-1.10-3 ZnSe решта. 2. Напівпровідниковий сцинтиляційний матеріал на основі...

Номер патенту: 89341

Опубліковано: 11.01.2010

Автори: Гриньов Борис Вікторович, Лалаянц Олександр Іванович, Катрунов Костянтин Олексійович, Рижиков Володимир Діомидович, Старжинський Микола Григорович, Галкін Сергій Миколайович, Гальчинецький Леонід Павлович

МПК: C30B 33/02, C01B 19/00, C01G 9/00, C30B 29/46 ...

Мітки: цинку, селеніду, спосіб, термообробки, кристалів, активованих

Формула / Реферат:

Спосіб термообробки активованих кристалів селеніду цинку, що включає попередній відпал кристалів і подальший відпал кристалів у насиченій парі цинку при температурі 950-1000 °С протягом 24-48 годин з подальшим двостадійним охолодженням спочатку до температури 600±10 °С зі швидкістю 100+10 °С/хв., потім до кімнатної температури зі швидкістю 2-3 °С/хв., який відрізняється тим, що попередній відпал кристалів проводять у водні при...

Номер патенту: 87353

Опубліковано: 10.07.2009

Автори: Копил Олександр Іванович, Микитюк Павло Дмитрович

МПК: C30B 23/00, C30B 29/46

Мітки: пристрій, розчинів, а4в6, вирощування, твердих, а2в6, сполук, методом, монокристалів, сублімації

Формула / Реферат:

1. Пристрій для вирощування монокристалів твердих розчинів сполук А4В6, А2В6 методом сублімації, що складається з контейнера для розміщення наважки вихідних компонентів та високотемпературної трубчатої печі з внутрішнім діаметром, більшим за зовнішній діаметр контейнера, який відрізняється тим, що контейнер складається з двох з'єднаних вздовж поздовжньої осі симетрії частин, причому торець однієї частини з меншим діаметром має капіляр,...

Номер патенту: 62129

Опубліковано: 15.12.2003

Автори: Богданова-Борець Олександра Василівна, Шпирко Григорій Миколайович, Риган Михайло Юрієвич

МПК: C30B 28/00, C30B 29/52, C30B 29/46 ...

Мітки: синтезу, спосіб, тіоалюмінатів, кадмію, цинку, селеноалюмінатів

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу тіоалюмінатів та селеноалюмінатів цинку й кадмію, який включає сплавлення елементарних компонентів, взятих у стехіометричних кількостях у вакуумованих ампулах з плавленого кварцу, який відрізняється тим, що спочатку сплавляють алюміній з цинком або кадмієм, одержаний сплав розміщують у кварцову ампулу разом з наважкою сірки або селену і нагрівають суміш до одержання розплаву алюмінату.

Номер патенту: 51767

Опубліковано: 16.12.2002

Автори: Сілін Віталій Іванович, Старжинський Микола Григорович, Гальчинецький Леонід Павлович, Рижиков Володимир Діомидович

МПК: C30B 29/46, C30B 29/48

Мітки: напівпровідникового, матеріалу, одержання, спосіб, n-типу, цинку, селеніду, основі

Формула / Реферат:

Спосіб одержання напівпровідникового матеріалу n - типу на основі селеніду цинку, що включає вирощування кристалів із розплаву під тиском інертного газу з наступною термообробкою зразків у насичених парах цинку, який відрізняється тим, що за сировину для вирощування використовують частки розміром 0,1 - 2,0 мм, механоактивовані шляхом роздрібнення в середовищі, що вміщує кисень, попередньо вирощених кристалів селеніду цинку.

Номер патенту: 51766

Опубліковано: 16.12.2002

Автори: Сілін Віталій Іванович, Рижиков Володимир Діомидович, Гальчинецький Леонід Павлович, Старжинський Микола Григорович

МПК: C30B 29/48, C30B 29/46

Мітки: сцинтилятора, спосіб, активованого, одержання, селеніду, основі, телуром, цинку

Формула / Реферат:

Спосіб одержання сцинтилятора на основі селеніду цинку, активованого телуром, що включає попереднє підготування сировини, вирощування кристала з розплаву під тиском інертного газу і термообробку в насичених парах цинку, який відрізняється тим, що за сировину використовують частки розміром 0,1-2 мм, механоактивовані шляхом роздрібнення в середовищі, що вміщує кисень, попередньо вирощеного кристала селеніду цинку, активованого телуром із...

Номер патенту: 39072

Опубліковано: 15.05.2001

Автори: Запухляк Руслан Ігорович, Варшава Славомир Степанович, Фреїк Дмитро Михайлович, Шепетюк Володимир Андрійович

МПК: C30B 29/46, C30B 23/02

Мітки: отримання, матеріалу, спосіб, pb(1-x)sn(x)se, розчину, твердого, тонкоплівкового

Формула / Реферат:

Спосіб отримання тонкоплівкового матеріалу твердого розчину Pb1-xSnxSe різного типу провідності методом гарячої стінки шляхом нагрівання підкладки до температури Тп, випаровування вихідної речовини при Тв, нагріванні стінок камери до Тс, додаткового джерела халькогену до Тд, який відрізняється тим, що як вихідну речовину використовують твердий розчин Pb1-xSnxSe складу х= 0-0,15, для отримання плівок n-типу підкладку нагрівають до Тп= 423-560...

Номер патенту: 28554

Опубліковано: 16.10.2000

Автор: Степаненко Олег Пилипович

МПК: C30B 29/46, C30B 11/00

Мітки: зонним, електропечі, пристрій, здійснення, телуриду, кадмію, парової, спосіб, очистки, фазі, нагрівачем

Формула / Реферат:

1. Способ очистки теллурида кадмия через паровую фазу в электропечи с зонным нагревателем, включающим загрузку исходного материала, герметизацию, продувку инертным газом и направленную подачу газа-носителя в зоны испарения, отличающийся тем, что процесс ведут в течении 24-26 часа, направляя поток теза- носителя в ограниченный объем зоны испарения при расходе его 2,5-3,5 л/мин и температурном режиме в зоне испарения

Номер патенту: 28555

Опубліковано: 16.10.2000

Автор: Степаненко Олег Пилипович

МПК: C30B 29/46, C30B 11/00

Мітки: здійснення, синтезу, телуриду, кадмію, пристрій, фазі, парової, спосіб

Формула / Реферат:

1. Способ синтеза теллурида кадмия, из паровой фазы, включающий раздельную загрузку исходных компонентов, продувку инертньм газом, подачу газа-носителя и электропитания в зону испарения исходных компонентов, в зоны синтеза и кристаллизации, отличающийся тем, что процесс проводят в тепловом поле с градиентным профилем в зоне испарения для кадмия при 630-660°С и для теллура 760-800°С при расходе газо-носителя соответственно для кадмия 2,8...

Номер патенту: 25786

Опубліковано: 30.10.1998

Автори: Байцар Роман Іванович, Фреїк Дмитро Михайлович, Белей Мирон Іванович, Шепетюк Володимир Андрійович, Варшава Славомир Степанович

МПК: C30B 29/46

Мітки: snте)х, плівок, епітаксійних, спосіб, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання епітаксійних плівок (SnTe)x(PbSe)1-x шляхом нагріву підкладки до температури Tп, випаровування вихідної речовини при Tв, нагріву стінок реактора до Tс, додаткового джерела халькогену до Tд, який відрізняється тим, що як матеріал підкладки використовують BaF2, а як вихідну речовину - суміш компонентів SnTe i PbSe при х = 0,7, причому підкладку нагрівають до Tп = 570 - 630К, суміш компонентів випаровують при Tв = 820К, стінки...

Номер патенту: 25785

Опубліковано: 30.10.1998

Автори: Варшава Славомир Степанович, Буджак Ярослав Степанович, Шепетюк Володимир Андрійович, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C30B 29/46

Мітки: епітаксійних, вирощування, шарів, спосіб, snте)х

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування епітаксійних шарів (SnTe)x(PbSe)1-x, що включає нагрів вихідної речовини до температури Tв, стінок реактора до Tс, підкладки до Tп, який відрізняється тим, що як матеріал підкладки використовують BaF2, а вихідною речовиною служить синтезований полікристалічний твердий розчин (SnTe)x(PbSe)1-x, для одержання шарів n-типу провідності його склад вибирають при x до 0,2, для одержання шарів p-типу провідності x = 0,2 - 1,0,...

Номер патенту: 16710

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Старжинський Микола Григорович, Файнер Михайло Шайович, Рижиков Володимир Діомидович, Гальчинецький Леонід Павлович

МПК: C30B 33/02, C30B 29/46

Мітки: елементів, селеніду, цинку, оптичних, термообробки, спосіб

Формула / Реферат:

Способ термообработки оптических элемен­тов из селенида цинка, включающий выдержку при их нагреве, отличающийся тем, что, с целью уменьшения коэффициента оптического поглоще­ния в инфракрасной области, термообработку про­водят в атмосфере насыщенного пара теллура при нагреве до 1000-1050°С в течение 40-44 ч.

Номер патенту: 11449

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Пєсков Віктор Андріанович, Прошкін Микола Миколайович

МПК: C30B 29/46, C30B 33/10

Мітки: розчин, травлення, алюмінієм, контактного, термоелементів, поверхні, напівпровідникових, хімічного

Формула / Реферат:

Раствор для химического и контактного с алюминием травления поверхности полупровод­никовых термоэлементов из халькогенидов висму­та и сурьмы, содержащий водный раствор щелочи, отличающийся тем, что, с целью упрощения про­цесса травления и повышения качества поверхности термоэлементов, травитель дополнительно содер­жит трехзамещенный лимоннокислый натрий, а в качестве щелочи содержит гидрат окиси калия при следующем соотношении компонентов,...

Номер патенту: 9410

Опубліковано: 30.09.1996

Автори: Кочерба Григорій Іванович, Чугунов Валерій Дмитрович, Писарський Віталій Павлович, Остаф'єв Аркадій Венедиктович, Саліщєв Гурій Сєргєєвіч, Карфідов Володимир Петрович, Горбунов Алєксандр Фьодоровіч

МПК: C30B 29/46, C30B 23/02

Мітки: оптичних, покриттів, видобування, матеріал, основі, цинку, сульфіда, спосіб

Формула / Реферат:

1. Материал для оптических покрытий на ос­нове сульфида цинка, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества покрытий за счет уст­ранения поглощения в области спектра 0,4-14 мкм, стабилизации высокого показателя прелом­ления и увеличения механической прочности, он содержит добавку серы в количестве 0,3-4,0 мас.%, имеет гексагональную структуру и плот­ность 0,6-0,8 от теоретической.2. Способ получения материала для оптических...