Ульяницький Констянтин Сергійович
Спосіб отримання напівізолюючих кристалів cd1-xmnxte
Номер патенту: 95790
Опубліковано: 12.01.2015
Автори: Махній Віктор Петрович, Склярчук Валерій Михайлович, Ульяницький Констянтин Сергійович
МПК: C30B 31/06
Мітки: отримання, кристалів, cd1-xmnxte, спосіб, напівізолюючих
Формула / Реферат:
Спосіб отримання напівізолюючих кристалів Cd1-xMnxTe, що включає легування домішкою Sn, який відрізняється тим, що легування проводять шляхом відпалу підкладинок Cd1-xMnxTe у вакуумованій до 10-4 Торр кварцовій ампулі в насиченій парі Sn при температурі 850±50 °C.