Патенти з міткою «напівізолюючих»
Спосіб отримання напівізолюючих кристалів cd1-xmnxte
Номер патенту: 95790
Опубліковано: 12.01.2015
Автори: Склярчук Валерій Михайлович, Ульяницький Констянтин Сергійович, Махній Віктор Петрович
МПК: C30B 31/06
Мітки: напівізолюючих, спосіб, кристалів, cd1-xmnxte, отримання
Формула / Реферат:
Спосіб отримання напівізолюючих кристалів Cd1-xMnxTe, що включає легування домішкою Sn, який відрізняється тим, що легування проводять шляхом відпалу підкладинок Cd1-xMnxTe у вакуумованій до 10-4 Торр кварцовій ампулі в насиченій парі Sn при температурі 850±50 °C.
Спосіб виготовлення детектора іонізуючого випромінювання на напівізолюючих матеріалах cdte та cd1-xznxte (cd1-xmnxte)
Номер патенту: 92343
Опубліковано: 11.08.2014
Автори: Фочук Петро Михайлович, Склярчук Валерій Михайлович
МПК: C30B 11/12, C30B 11/00, C30B 11/04 ...
Мітки: cd1-xznxte, матеріалах, випромінювання, спосіб, напівізолюючих, cd1-xmnxte, іонізуючого, виготовлення, детектора
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення детектора іонізуючого випромінювання на основі напівізолюючих матеріалів CdTe та Cd1-xZnxTe (Cd1-xMnxTe) з питомим опором р³107 Ом×см, що включає створення двох контактів до напівпровідника, який відрізняється тим, що обидва контакти виготовляють випрямляючими.
Спосіб визначення параметрів переносу заряду в напівізолюючих матеріалах на основі cdte та його твердих розчинів
Номер патенту: 87411
Опубліковано: 10.02.2014
Автори: Склярчук Валерій Михайлович, Фочук Петро Михайлович
МПК: C30B 11/12, C30B 11/00, C30B 11/04 ...
Мітки: визначення, твердих, спосіб, переносу, матеріалах, параметрів, розчинів, заряду, напівізолюючих, основі
Формула / Реферат:
1. Спосіб визначення параметрів переносу заряду в напівізолюючих матеріалах на основі CdTe та його твердих розчинів, що включає створення двох омічних контактів до напівпровідника відомої товщини (d) та визначення добутку рухливості вільних носіїв заряду (m) на час їх життя (t) - mt, який відрізняється тим, що вимірюють вольт-амперну характеристику зразка (ВАХ), причому діапазон напруг вибирають таким, щоб спостерігались дві ділянки ВАХ -...
Спосіб одержання однорідних напівізолюючих монокристалів cdte:cl для створення на їх основі детекторів спектрометрів іонізуючого випромінювання
Номер патенту: 37223
Опубліковано: 25.11.2008
Автори: Ткачук Вікторія Іллівна, Клето Геннадій Іванович, Мельничук Тетяна Аркадієвна, Савчук Андрій Йосипович, Ткачук Петро Миколайович
МПК: C30B 11/00
Мітки: детекторів, однорідних, одержання, монокристалів, створення, випромінювання, напівізолюючих, основі, іонізуючого, спектрометрів, спосіб, cdte:cl
Формула / Реферат:
Спосіб одержання однорідних напівізолюючих монокристалів CdTe:Cl для створення на їх основі детекторів-спектрометрів іонізуючого випромінювання, що включає вирощування монокристалів з розплаву методом Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що синтезований телурид кадмію, попередньо очищений від легколетких домішок, разом із добавкою CdCl2ּ(NCl=1018-1020 см-3) завантажують у подвійну неграфітизовану кварцову ампулу, ампулу...
Спосіб одержання однорідних напівізолюючих монокристалів cdte:cl для створення на їх основі детекторів-спектрометрів ядерного випромінювання
Номер патенту: 58151
Опубліковано: 15.07.2003
Автори: Ткачук Вікторія Іллівна, Раранський Микола Дмитрович, Ткачук Петро Миколайович
МПК: C30B 11/00
Мітки: монокристалів, випромінювання, cdte:cl, спосіб, однорідних, ядерного, створення, напівізолюючих, детекторів-спектрометрів, одержання, основі
Формула / Реферат:
Спосіб одержання однорідних напівізолюючих монокристалів CdTe:Cl для створення на їх основі детекторів-спектрометрів ядерного випромінювання, що включає вирощування монокристалів з розплаву методом Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що полікристалічний порошок синтезованого CdTe поміщають у робочу камеру трисекційної кварцової ампули, ампулу розміщують в температурному полі горизонтальної трубчатої печі з градієнтом температури...