C30B 31/06 — контактуванням з дифузійним матеріалом в газоподібному стані
Спосіб отримання напівізолюючих кристалів cd1-xmnxte
Номер патенту: 95790
Опубліковано: 12.01.2015
Автори: Ульяницький Констянтин Сергійович, Склярчук Валерій Михайлович, Махній Віктор Петрович
МПК: C30B 31/06
Мітки: cd1-xmnxte, напівізолюючих, кристалів, спосіб, отримання
Формула / Реферат:
Спосіб отримання напівізолюючих кристалів Cd1-xMnxTe, що включає легування домішкою Sn, який відрізняється тим, що легування проводять шляхом відпалу підкладинок Cd1-xMnxTe у вакуумованій до 10-4 Торр кварцовій ампулі в насиченій парі Sn при температурі 850±50 °C.
Спосіб легування кристалів телуриду кадмію
Номер патенту: 62626
Опубліковано: 12.09.2011
Автори: Косоловський Василь Васильович, Махній Віктор Петрович, Сльотов Михайло Михайлович
МПК: C30B 31/06
Мітки: телуриду, кадмію, кристалів, спосіб, легування
Формула / Реферат:
Спосіб легування кристалів телуриду кадмію, що включає їх відпал у парі домішки, який відрізняється тим, що відпал проводять у парі легуючої домішки Mg при температурі 820-900 °С.