Патенти з міткою «cd1-xmnxte»
Спосіб створення поверхневої наноструктури на підкладинках cd1-xmnxte (0,04<=x<=0,45)
Номер патенту: 119883
Опубліковано: 10.10.2017
Автори: Махній Віктор Петрович, Сльотов Олексій Михайлович
МПК: H01L 21/477
Мітки: cd1-xmnxte, створення, спосіб, 0,04<=x<=0,45, наноструктури, поверхневої, підкладинках
Формула / Реферат:
Спосіб створення поверхневої наноструктури на підкладинках Cd1-xMnxTe (0,04≤x≤0,45), що включає механічне і хімічне полірування підкладинок та їх відпал на повітрі, який відрізняється тим, що відпал підкладинок проводять при температурі 650±20 °C протягом часу, який визначають за емпіричним виразом tв=35+1,3·x, хв.
Спосіб отримання напівізолюючих кристалів cd1-xmnxte
Номер патенту: 95790
Опубліковано: 12.01.2015
Автори: Склярчук Валерій Михайлович, Махній Віктор Петрович, Ульяницький Констянтин Сергійович
МПК: C30B 31/06
Мітки: напівізолюючих, кристалів, спосіб, cd1-xmnxte, отримання
Формула / Реферат:
Спосіб отримання напівізолюючих кристалів Cd1-xMnxTe, що включає легування домішкою Sn, який відрізняється тим, що легування проводять шляхом відпалу підкладинок Cd1-xMnxTe у вакуумованій до 10-4 Торр кварцовій ампулі в насиченій парі Sn при температурі 850±50 °C.
Спосіб виготовлення детектора іонізуючого випромінювання на напівізолюючих матеріалах cdte та cd1-xznxte (cd1-xmnxte)
Номер патенту: 92343
Опубліковано: 11.08.2014
Автори: Фочук Петро Михайлович, Склярчук Валерій Михайлович
МПК: C30B 11/00, C30B 11/12, C30B 11/04 ...
Мітки: напівізолюючих, cd1-xznxte, матеріалах, іонізуючого, детектора, виготовлення, спосіб, випромінювання, cd1-xmnxte
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення детектора іонізуючого випромінювання на основі напівізолюючих матеріалів CdTe та Cd1-xZnxTe (Cd1-xMnxTe) з питомим опором р³107 Ом×см, що включає створення двох контактів до напівпровідника, який відрізняється тим, що обидва контакти виготовляють випрямляючими.